标签: 烧录

在项目的开发过程中，各位工程师小伙伴们可能会遇到各种类型的问题，其中“烧写问题”就是非常典型的一种。本篇文章，将以飞凌嵌入式OK6254-C开发板为例，详细探讨大家在烧写过程中可能遇到的问题，并提供一系列排查和解决方法，以帮助开发者们更便捷地解决这些问题。 1、DFU烧录问题 我们先来看看DFU烧录需要用到的资料有哪些： 第1步：引导uboot的认识和切换 我们先看看dfu-uboot文件夹内的3个文件，作用是引导DFU烧写的（注意：不要和第2步的uboot文件搞混）。 引导也分为GP版和HSFS版，该如何切换呢？在飞凌嵌入式的出厂资料包内： 位置路径如下： OK62xx\0-镜像文件\images_gp_2g\ok62xx_dfu u-boot、tispl.bin、tiboot3.bin 这3个文件是DFU引导用uboot，对应的uboot按照目录查找，然后拷贝到DFU烧录工具 /dfu-uboot 目录内。 第2步：文件系统和uboot 当我们编译DFU后，会在此目录下看到编译好的rootfs，这是我们唯一需要更换的文件： /home/forlinx/OK62xx-linux-sdk6.1/images/ok62xx_dfu 第2个框内的uboot是开发板启动的uboot，从 /home/forlinx/OK62xx-linux-sdk6.1/images/ 目录下拷贝uboot的u-boot.img，tispl.bin，tiboot3.bin这3个文件。 以下4个文件是我们烧录需要用到的，也是我们编译后生成的文件。 第3步：按照手册正常烧录 接下来我们看几个常见的报错： 【问题描述1】点击烧录后一直打印如下报错 PC端报错： 板端串口报错： 【问题分析1】引导用uboot版本不对，找到您对应的版本（GP或HSFS），然后把对应的引导uboot拷贝过去，重新烧录即可。 【问题描述2】使用的电脑中有camera设备 【问题分析2】需要把camera设备禁用掉，不然无法识别，无法进行dfu烧录，或者换一台设备进行烧录。 2、TF卡烧录问题 【问题描述】烧录的时候串口无打印 【问题分析】 卡的问题，制卡没制好，需要重新制卡； uboot的问题，例如GP的板子，烧录放的是hsfs的uboot； 上一次烧录的是gp，下一次切换版本，需要windows下快速格式化一下； 一次性拷贝所有文件到TF卡，会导致无法烧录。 总结来说，因为文件系统比较大导致了拷贝比较费时间，所以当出现无法烧录的情况时，排查工作只需要拷贝u-boot.img，tispl.bin，tiboot3.bin这3个文件，观察串口是否有打印信息即可。

改善 芯片 在线烧录 稳定性的 6 个方法 在线烧录 系统 至少 由烧录 器 和 工装 或 夹具 组成，有些不能脱机烧录的烧录器还需要搭配 工控机 使用。 工装 或 夹具与 烧录 器 之间 一般 需要较长 （大于 1 0cm） 的接线， 但是很多烧录接口采用的是 高频信号 协议 （ 3 ~ 30MHz 之间 属于高频信号 ）易受 很多外部因素的影响和干扰 从而导致 烧录不良率随之增加， 稳定性不够 。 本文将介绍 几个切实可用的方法来 改善 这 个 问题。 一、降低通讯频率 通讯频率是信息传输的重要参数，频率越高传输速度越快，但信号的衰减会随着频率的增加而增加，因此烧录不稳定时，如果对烧 录速度 要求不高，可以适当的降低通讯频率，以增加烧录的稳定性。 二 、 尽量缩短信号线长度 高频 信号传输 时受传输 距离 影响很大，距离 越远衰减会越大，从而导致烧录不稳定性。 我们可以 把 烧录器的烧录接口布置 在离夹具信号输入口最近的位置，尽量缩短整个信号线的长度 。 三 、 选择 导电能力强的 信号 线 信号传输的完整性与线的材质、长度、粗细有关，可以选择更粗的，导电能力更强的线，好的材质可以减少内阻，降低信号损耗，如纯铜线、镀金线、 镀银线 等。 四、 给 烧录信号线增加屏蔽层，防止电磁干扰。 烧录器通过烧录信号线对芯片烧录时，烧录高频信号对电磁干扰较为敏感。烧 录环境 一般为工厂车间，大功率的设备，使得电磁干扰较为严重，为了降低电磁干扰，我们可以给烧录信号线上增加屏蔽网，或者选择屏蔽功能的线，如屏蔽电缆，网线等。 五 、在关键信号线上接上拉 ， 下拉电阻 。 有些 时候 烧录 器烧录 接口本身驱动能力 不足也会 导致的烧录不稳定 ， 这时候就 需要在接口 信号线 上增加适当的上拉或下拉电阻以增强驱动能力 。 六 、 更换 稳定性更高的 烧录器 烧录器内部电路 抗干扰能力不强或者烧录器接口电路驱动能力不够， 都 会导致 烧录 不稳定。 这种情况的话 最好另外 选 择 一款稳定性更高的 烧录器 了。 无锡 力捷丰的 烧录 器稳定性就 很不错 ，不少对烧录稳定性要求高的汽车电子大厂 ，如：捷普，伟创力，李尔，伟 世 通等， 都是他们的客户。 不知道我总结的 这几个方法能 否 帮到你 ，如果有不明白的或者 有 其他 烧 录相关 的问题都可以 随时 联系我， 我手机号是妖叁零物贰捌零贰陆陆妖。烧 录行业 待了快十年了，积累了一点小经验，希望能 物尽其用 帮到更多的朋友。

历史修改记录 时间 记录 版本号 2012-12-25 初稿完成 1.0                                     目   录 历史修改记录... 2 目   录... 3 1        简介... 4 2        常见问题... 4 2.1        产品设计应用... 4 2.2        开发板... 6 2.3        烧录... 6 3        问题解答... 6 3.1        产品设计应用... 6 3.2        开发板... 10 3.3        烧录... 10   1         简介         客户在应用CSU12XX系列SOC产品的时候常常遇到一些问题，为帮助客户能更容易使用我们 的产品，将一些常见问题进行总结和解答。   2         常见问题 2.1 产品设计应用 问题1    CSU12XX系列芯片工作电压范围是多少？ 问题2    CSU12XX系列和CSU128X系列之间的差异？ 问题3    当晶片进入休眠模式时，应如何设置I/O状态，使功耗最小? 问题4    没有用到的I/O如何处理？ 问题5    电路设计及PCB Layout中，可采用哪些措施以加强芯片抗ESD能力？ 问题6    电路设计及PCB Layout中，可采用哪些措施以加强芯片抗干扰能力？ 问题7    CSU12XX系列芯片在低电压Reset（LVR）状态时，系统是否还在振荡？最小起振电压是多少? 问题8    使用EEPROM时应注意事项？ 问题9    CSU12XX系列芯片I/O内部上拉电阻是多少？ 问题10 当晶片进入休眠模式之前，应如何设置ADC？    问题11        产品开发过程中如何提高EFT特性？    问题12        RC振荡频率主要受哪些因素影响？    问题13        独立按键与MCU如何连接能有效避免I/O口损坏？    问题14        I/O外接下拉电阻，没有外接信号时芯片为何读不到低电平？    问题15        切换ADC通道后，须丢弃多少笔AD数值才稳定？    问题16        单端输入与差分输入有什么不同？    问题17        如何选择VS输出的电压值？    问题18        芯片上电复位的电压是多少？LVR的电压维持多长时间复位，电压是多少？    问题19        当系统使用内部RC振荡器时，频率误差为多少？    问题20        用芯片的BZ功能时感觉声间不够响亮，该怎么办？    问题21        VDDA稳压器是否可以驱动传感器？ 问题22 当LCD采用外部供电时，是否可以取消CA与CB之间的电容？    问题23        内部低电压比较器的1.2V基准的误差是多少？    问题24        使用外部振荡器时，有何注意事项？    问题25        如何正确使用Watchdog？    问题26        编写程序时如何进行间接寻址？    问题27        随着电池电压下降，重量也随着下降低？    问题28        上电无法复位造成死机现象？        2.2   开发板    问题1        使用仿真软件时提示“连接失败！未发现仿真器！”等错误，该如何处理？    问题2        使用开发板上的按键口来作I 2 C通信口，出现异常？    问题3        通过内部寄存器修改I/O口是否带上拉无效？    问题4        调试开发板上的AD内码达不到Datasheet上的有效位？   2.3   烧录    问题1        有哪几种方式可以对芯片进行烧录？    问题2        如何使用离线烧录器烧录芯片？    问题3        如何才能读出被烧录过的芯片程序？   问题4       离线烧录器载入的程序是否可以被读出？   问题5       空检查为不为空？   3         问题解答 3.1产品设计应用 问题1    CSU12XX系列芯片工作电压范围是多少？    解答：CSU12XX系列芯片数字和模拟工作电压均为2.4~3.6V。 问题2    CSU12XX系列和CSU128X系列之间的差异？    解答：CSU12XX系列与CSU128X系列的差异是内部RC振荡频率和外挂晶振频率不同，CSU12XX系列内部RC振荡频率是1MHZ， 可外挂晶振32768HZ； CSU12XX系列内部RC振荡频率是CSU12XX系列内部RC振荡频率是 3.25 MHZ， 可外挂晶振频率范围32768HZ~12MHZ。 问题3    当晶片进入休眠模式时，应如何设置I/O状态，使功耗最小?    解答：I/O口断开上拉电阻，作为输出，并输出低电平。 问题4    没有用到的I/O如何处理？    解答：没有用到的I/O口应设成输入状态，并启用上拉电阻，避免因I/O浮接时造成芯片耗电。或将I/O口设置为输出状态。 问题5    电路设计及PCB Layout中，可采用哪些措施以加强晶片抗ESD能力？    解答：请参考CSU12XX系列PCB布板建议。 问题6    电路设计及PCB Layout中，可采用哪些措施以加强晶片抗干扰能力？    解答：请参考CSU12XX系列PCB布板建议。 问题7    CSU12XX系列芯片在低电压Reset（LVR）状态时，系统是否还在振荡？最小起振电压是多少?    解答：Reset（LVR）状态时，系统还在振荡，最小起振电压是1.8V（但受电源电压波动影响）。如果在保证电路性能的前提下，最低启动电压约为2.3V 问题8    使用EEPROM时应注意事项？    解答：1、SCK、SDA引脚需要开启上拉电阻，或外接10KΩ上拉电阻；                2、一定要确定EEPROM传回正确ACK信号，否则容易造成读写错误。 问题9    CSU12XX系列芯片I/O内部上拉电阻是多少？    解答：CSU12XX系列芯片I/O内部上拉电阻是100KΩ。 问题10 当晶片进入休眠模式之前，应如何设置ADC？        解答：清除NETA、NETC、NETE、NETF寄存器。    问题11        产品开发过程中如何提高EFT特性？        解答：1、电源输入位置要做好滤波，通常采用大小电容组合，外部电源必须要经过电容再到达 芯片电源端；              2、采用3V电池作电源时，RST复位端上拉一个10KΩ的电阻到VDD端；采用LDO稳 压电源时，RST复位端上拉一个100KΩ的电阻到VDD端，并且需添加大小为0.1uF的接地电容。              3、设计外挂晶振电路时，应视晶振参数选择合适的匹配电容和电阻，振荡电路应尽可能 靠近芯片引脚，并与地线和电源线保持足够的距离，以避免电源高频干扰。              4、I/O端具有高杂信号的负载最好以光藕等元件隔离或加吸干扰信号电路。如果是有危险 的负载，应加有上拉或下拉电阻以防止芯片损坏时的误动作。另外，某些特殊场合由于安全的需要，具有危险性的负载也可以利用软体脉冲驱动的方式，透过电容耦合，以避免芯片复位或当机时的误启动造成的危险。    问题12        RC振荡频率主要受哪些因素影响？        解答：1、工作电压；2、工作环境温度；3、外部干扰源：不同的RC组合，会有不同的抗干扰性 能。PCB布板也可以改善RC振荡的稳定性。    问题13        独立按键与MCU如何连接能有效避免I/O口损坏？        解答：产品开发时，按键是很常见的功能，由于考虑到成本等因素，很多客户都是将按键的两端 分别与MCU和GND相连，这种做法在大部分情况下是没有问题的。但是，当工作环境 比较差，比如：ESD、电源等干扰，此时若按键被按下就很可能会有瞬间大电源或高 电压甚至负压灌入I/O口，造成I/O口损坏。 针对这种问题的防范措施是：可以将端口的 上拉打开，并增加一个0.1uF的接地电容。    问题14        I/O外接下拉电阻，没有外接信号时芯片为何读不到低电平？        解答：如果客户在程序中将I/O口的上拉电阻使能，同时又在该I/O口的周边接有下拉电阻，在 没有信号输入的情况下，相当于内置上拉电阻与外接下拉电阻串联分压，所以有可能会导 致I/O口读不到低电平。    问题15        切换ADC通道后，须丢弃多少笔AD数值才稳定？        解答：切换AD通道后，须丢弃前三笔转换的AD值，以确保转换的数值正确性。    问题16        单端输入与差分输入有什么不同？        解答：CSU12XX系列芯片设置为单端输入，其实芯片内部还是差分输入，因为此时的S+端为使 用者输入的信号，S-端为AIN4。    问题17        如何选择VS输出的电压值？        解答：CSU12XX系列芯片内部VS可选2.2V、2.5V、2.8V、3V四种LDO电压输出。电压越低， 功耗也越低，电源电压下降时影响越小，但传感器输出信号越小。为此在满足信号量情况 下，VS选越低的电压越好。    问题18        芯片上电复位的电压是多少？LVR的电压维持多长时间复位，电压是多少？        解答：芯片上电复位的电压是2.2V；LVR的电压维持4uS即芯片复位，电压是1.8V。    问题19        当系统使用内部RC振荡器时，频率误差为多少？        解答：Datasheet上给出内置RC振荡器频率误差有20% 。    问题20        用芯片的BZ功能时感觉声间不够响亮，该怎么办？        解答：每种蜂鸣器都有各自的中心频率，BZ的输出频率越接近蜂鸣器的中收频率，蜂鸣器发出 的声音越响。所以设置BZ的输出频率尽量靠近蜂鸣器的中心频率就可以。    问题21        VDDA稳压器是否可以驱动传感器？        解答：VDDA是用于驱动LCD driver的电源，驱动能力是0.8mA 。驱动能力不能满足传感器的 驱动要求。 问题22 当LCD采用外部供电时，是否可以取消CA与CB之间的电容？ 解答：CA与CB之间的电容是VDDA的升压电容，当LCD采用外部供电时，可以取消CA与 CB之间的电容。    问题23        内部低电压比较器的1.2V基准的误差是多少？        解答：内部低电压比较大的基准电压1.2V的范围：1.25 +/-0.15V    问题24        使用外部振荡器时，有何注意事项？        解答：启用外接振荡器之前，必须先开启内部高速RC振荡器，至少需要延时50mS后方可切换 到外接振荡器。    问题25        如何正确使用Watchdog？        解答：Watchdog是防止外部不可控制事件（如电的干扰等）所造成的程序不正常动作或跳转到未 知的地址。使用者必须适当设计程序及运用CLRWDT指令使程序正常执行时，Watchdog 不会溢出，并且当系统运行不正常时，Watchdog可以溢出唤醒芯片。    问题26        编写程序时如何进行间接寻址？        解答：FSR0/1是存放间接寻址的地址，IND0/1是存放间接寻址地址内的数据。IRP0/1是控制寻 址的范围，“0”为寻00~FF的内容；“1”为寻100~17F的内容。    问题27        随着电池电压下降，重量也随着下降低？        解答：建议设置成VS=2.5V，PGA = 64 。    问题28        上电无法复位造成死机现象？        解答：电源上的滤波电容是0.1uF, 在RESET引脚增加RC复位，电阻为100k 电容为1uF。   3.2   开发板    问题1        使用仿真软件时提示“连接失败！未发现仿真器！”等错误，该如何处理？        解答：1、检查USB线连接是否正确及接触是否良好；2、检查是否安装USB驱动。    问题2        使用开发板上的按键口来作I 2 C通信口，出现异常？        解答：开发板上的按键口上有上拉电阻和0.1uF电容。若作I 2 C通信需去掉0.1uF电容。    问题3        通过内部寄存器修改I/O口是否带上拉无效？        解答：开发板不支持修改I/O是否带上拉电阻（开发板FPGA默认全部I/O口有上拉）    问题4        调试开发板上的AD内码达不到Datasheet上的有效位？       解答：由于开发板有干扰，使仿真时内码比实际芯片的内码有效位低1位左右。   3.3   烧录    问题1        有哪几种方式可以对芯片进行烧录？        解答：1、用开发板进行在线烧录；2、用离线烧录器进行烧录。    问题2        如何使用离线烧录器烧录芯片？        解答：通过IDE软件将编译好的HEX文件下载到离线烧录器上，然后就可以离线烧录。    问题3        如何才能读出被烧录过的芯片程序？        解答：1、将芯片所烧录的程序装载入IDE软件； 2、使用开发板连接好电脑和目标板； 3、点击IDE软件上的“读取”，则可以读出。   问题4       离线烧录器载入的程序是否可以被读出？       解答：离线烧录器载入的程序是不可以被读出。     问题5       空检查为不为空？       解答：1、检查连线VPP、DATA、CLK、VCC、GND是否接触良好；                   2、若是邦定封装，检查邦线邦定是否正确（特别注意DATA、CLK引脚容易错）；

历史修改记录 时间 记录 版本号 2012-12-25 初稿完成 1.0                                   目   录 历史修改记录... 2 目   录... 3 1        简介... 4 2        常见问题... 4 2.1        产品设计应用... 4 2.2        开发板... 6 2.3        烧录... 6 3        问题解答... 7 3.1        产品设计应用... 7 3.2        开发板... 11 3.3        烧录... 11   1         简介         客户在应用CSU11XX系列SOC产品的时候常常遇到一些问题，为帮助客户能更容易使用我们 的产品，将一些常见问题进行总结和解答。 2         常见问题 2.1产品设计应用 问题1            CSU11XX系列芯片上电容易死机现象？ 问题2           CSU11XX与CSU12XX指令上有哪些不同点？ 问题3    当晶片进入休眠模式时，应如何设置，使功耗最小? 问题4    没有用到的I/O如何处理？ 问题5    电路设计及PCB Layout中，可采用哪些措施以加强芯片抗ESD能力？ 问题6    电路设计及PCB Layout中，可采用哪些措施以加强芯片抗干扰能力？ 问题7            CSU11XX系列芯片在低电压Reset（LVR）状态时，系统是否还在振荡？最小起振电压是多少? 问题8    使用 CSU11XX系列芯片开发自动上称人体称易误开机，应如何解决？ 问题9 当采用B波形显示LCD时，关LCDENR 使能标志，如何使LCD不会出现花屏现象？    问题10        看门狗时钟误差大，如何修正？    问题11        高速输出速率时，为何有时会没有AD值输出？    问题12        I/O外接下拉电阻，没有外接信号时芯片为何读不到低电平？    问题13        切换ADC通道后，须丢弃多少笔AD数值才稳定？    问题14 单端输入与差分输入有什么不同？    问题15        如何选择VS输出的电压值？    问题16        芯片上电复位的电压是多少？LVR的电压维持多长时间复位，电压是多少？    问题17        当系统使用内部RC振荡器时，频率误差为多少？    问题18        为何用旧电池标定省EEPROM产品时，用旧电池称重准，换用新电池后重量不准？    问题19        VDDA稳压器是否可以驱动传感器？ 问题20 当LCD采用外部供电时，是否可以取消CA与CB之间的电容？    问题21        内部低电压比较器的1.2V基准的误差是多少？    问题22        使用外部振荡器时，有何注意事项？    问题23        随着电池电压下降，重量也随着下降低？    问题24        LCD显示过暗，笔画不清晰？    问题25        外部晶振不起振？    问题26        间隙供电测量模式下，为什么每次读回的AD值误差大？ 问题27     使用内部温度传感器时，如何保存能做到+/-1度误差？    问题28        当用外部时钟做显示帧频时，从 SLEEP 唤醒后，为什么显示会有某个 COM 先显示？ 问题29        开发高精度带背光的产品时，当背光关闭和点亮时， ADC 的内码会变化？ 2.2 开发板    问题1        使用仿真软件时提示“连接失败！未发现仿真器！”等错误，该如何处理？    问题2        通过内部寄存器修改I/O口是否带上拉无效？    问题3        调试开发板上的AD内码达不到Datasheet上的有效位？    问题4        开发板是否不能仿真低电压报报警功能？   2.3    烧录    问题1        有哪几种方式可以对芯片进行烧录？    问题2        如何使用离线烧录器烧录芯片？    问题3        如何才能读出被烧录过的芯片程序？   问题4       离线烧录器载入的程序是否可以被读出？   问题5       空检查为不空？   问题6       开发板无法烧录芯片，测量 VPP 电压偏低？   问题7       UV 擦除裸片（ DIE ）， UV 强度和时间多少？   3         问题解答 3.1 产品设计应用 问题1    CSU11XX系列芯片上电容易死机现象？    解答：上电瞬间，由于有接触不良现象。造成电源上下波动，使芯片会反复上电复位和掉电复位。所以刚上电时，不要关闭掉电复位功能。 问题2     CSU11XX与CSU12XX指令上有哪些不同点？    解答：1、CSU12XX的BSF和BCF指令执行后会影响Z，而CSU11XX则不会；          2、CSU12XX的INCF和DECF指令执行后会影响C，而CSU11XX则不会；          3、CSU11XX比CSU12XX多两条指令，TBLP k和MOVP （用于OTP自烧录功能） 问题3    当晶片进入休眠模式时，应如何设置I/O状态，使功耗最小?    解答：I/O口断开上拉电阻，作为输出，并输出低电平。 问题4    没有用到的I/O如何处理？    解答：没有用到的I/O口应设成输入状态，并启用上拉电阻，避免因I/O浮接时造成芯片耗电。或将I/O口设置为输出状态。 问题5    电路设计及PCB Layout中，可采用哪些措施以加强晶片抗ESD能力？    解答：请参考CSU12XX系列PCB布板建议。 问题6    电路设计及PCB Layout中，可采用哪些措施以加强晶片抗干扰能力？    解答：请参考CSU12XX系列PCB布板建议。 问题7    CSU12XX系列芯片在低电压Reset（LVR）状态时，系统是否还在振荡？最小起振电压是多少?    解答：Reset（LVR）状态时，系统还在振荡，最小起振电压是1.8V（但受电源电压波动影响）。如果在保证电路性能的前提下，最低启动电压约为2.3V 问题8    使用 CSU11XX系列芯片开发自动上称人体称易误开机，应如何解决？    解答：1、不管是正常称重还是待机扫描状态下的ADCF必须一样，AD输出速率只能通过设置 ADCON寄存器来改变；（自动上称人体称建议使用：ADCF = 500K或250K 扫描时AD速率7.8k或3.9k，正常称重时AD速率30hz；指令周期使用2MHZ）          2、扫描时，取5笔AD值，将第四和第五笔进行算术平均，然后再与开机重量进行比较是 否开机；                3、取开机重量时，需考虑高速状态下AD值会有波动，建议值+/-1.2kg；                4、对于起称重量小于等于5KG的人体称，建议取完低速零点后再取一个稳定的高速零点， 用于计算起称点； 问题9 当采用B波形显示LCD时，关LCDENR 使能标志，如何使LCD不会出现花屏现象？        解答：采用B波形显示时，关闭LCDENR使能会有一个COM笔段花屏。我们建议客户选用A 波形显示，若特殊情况须用B波形，则在关闭LCDENR使能前，切换成A波形。    问题10        看门狗时钟误差大，如何修正？  解答： 可以用主时钟作为标准对看门狗进行设置看门狗定时器时间，（方法：在一定看门狗定时时间内记录AD中断的个数，通过记录的个数确定看门狗时钟偏差幅度，然后修改设置调整看门狗时间）    问题11        高速输出速率时，为何有时会没有AD值输出？ 解答：模拟信号输入端的低通滤波器电容不能太大，我们建议使用47pf    问题12        I/O外接下拉电阻，没有外接信号时芯片为何读不到低电平？        解答：如果客户在程序中将I/O口的上拉电阻使能，同时又在该I/O口的周边接有下拉电阻，在 没有信号输入的情况下，相当于内置上拉电阻与外接下拉电阻串联分压，所以有可能会导 致I/O口读不到低电平。    问题13        切换ADC通道后，须丢弃多少笔AD数值才稳定？        解答：切换AD通道后，须丢弃前三笔转换的AD值，以确保转换的数值正确性。    问题14        单端输入与差分输入有什么不同？        解答：CSU12XX系列芯片设置为单端输入，其实芯片内部还是差分输入，因为此时的S+端为使 用者输入的信号，S-端为AIN4。    问题15        如何选择VS输出的电压值？        解答：CSU12XX系列芯片内部VS可选2.2V、2.5V、2.8V、3V四种LDO电压输出。电压越低， 功耗也越低，电源电压下降时影响越小，但传感器输出信号越小。为此在满足信号量情况 下，VS选越低的电压越好。    问题16        芯片上电复位的电压是多少？LVR的电压维持多长时间复位，电压是多少？        解答：芯片上电复位的电压是2.2V；LVR的电压维持4uS即芯片复位，电压是2.0V。    问题17        当系统使用内部RC振荡器时，频率误差为多少？        解答：Datasheet上给出内置RC振荡器频率误差有+/-20% 。    问题18        为何用旧电池标定省EEPROM产品时，用旧电池称重准，换用新电池后重量不准？ 解答： OTP自烧录时的VPP电压是通过将电池电压升压1倍从VLCD引脚输出到VPP。而OTP烧录的VPP电压要求6.25~6.75V，若采用旧电池来供电，则VPP电压低于标准电压，OTP烧录的电荷就偏低，造成当电池电压高时，会有误读OTP数据。 建议：1、采用OTP自烧录省EEPROM时，用外部稳压电源6.25~6.75V供给VPP或用 外部稳压电源3.3V供给DVDD和AVDD；2、采用3.2V~3.5V的电池供给DVDD和 AVDD；    问题19 VDDA稳压器是否可以驱动传感器？        解答：VDDA是用于驱动LCD driver的电源，驱动能力是0.8mA 。驱动能力不能满足传感器的 驱动要求。 问题20 当LCD采用外部供电时，是否可以取消CA与CB之间的电容？ 解答：CA与CB之间的电容是VDDA的升压电容，当LCD采用外部供电时，可以取消CA与 CB之间的电容。    问题21        内部低电压比较器的1.2V基准的误差是多少？        解答：内部低电压比较大的基准电压1.2V的范围：1.25 +/-0.15V    问题22        使用外部振荡器时，有何注意事项？        解答：启用外接振荡器之前，必须先开启内部高速RC振荡器，至少需要延时50mS后方可切换 到外接振荡器。另外开启外部振荡器时，需注意配置寄存器顺序，具体参照Datasheet。 问题23        随着电池电压下降，重量也随着下降低？        解答：建议设置成VS=2.2V，PGA = 64 。    问题24        LCD显示过暗，笔画不清晰？        解答：1、将分压电阻调小，调小电阻会带来功耗的增加；                    2、将LCD的时钟频率以及LCD帧频调整，一般说来帧频越慢，显示笔画越清晰，但是 帧频过慢会导致LCD显示闪烁的问题；                     3、将波形选为B波形；    问题25        外部晶振不起振？        解答：1、PT2.4和PT2.5 设成模拟输入；                    2、PT2.4和PT2.5数字输入输出使能设置为数字输入；                     3、关掉PT2.4和PT2.5上拉电阻；                     4、设外部晶振是高速还是低速；                     5、开启外部晶振，并延时20ms；    问题26        间隙供电测量模式下，为什么每次读回的AD值误差大？        解答：间隙供电时，关闭模拟部分只需清除NETF寄存即可，模拟部分其它寄存器不要每次上电 都配置。 问题27     使用内部温度传感器时，如何保存能做到+/-1度误差？     解答：1、PGA = 8  取22位AD值；                        2、进行一点标定（用当前环境温度进行标定）； 计算公式： 当前温度AD / （273.15 + 当前环境温度） = 每度变化AD值      问题28        当用外部时钟做显示帧频时，从SLEEP唤醒后，为什么显示会有某个COM先显示？        解答：由于外部时钟起振需要几百毫秒的时间，所以可以增加延时时间或先采用内部时钟、看门 狗时钟作帧频。   问题29        开发高精度带背光的产品时，当背光关闭和点亮时，ADC的内码会变化？        解答：背光关闭和点亮时，ADC的内码变化，需注意以下几点：              1、模拟部分的AVDD和AGND需在电源的输入端才与DVDD和DGND相连；              2、主程序中每个大循环的运行时间需一致，否则会引起内部电流波动，影响ADC；                 （建议：主程序中不要用Halt指令；）   3.2   开发板    问题1        使用仿真软件时提示“连接失败！未发现仿真器！”等错误，该如何处理？        解答：1、检查USB线连接是否正确及接触是否良好；2、检查是否安装USB驱动。                                                       未完，详情见附件

目   录 版本历史... 2 目   录... 3 1        常见问题... 5 问题1.怎么样用外部复位电路对MCU系列芯片进行复位？... 5 问题2.当芯片进入休眠模式时，应如何设置I/O状态，使功耗最小?. 5 问题3.没有用到的I/O如何处理？... 5 问题4.怎么样从芯片内部时钟转换到外部时钟？... 6 问题5.怎么样给MCU提供外部时钟源?. 6 问题6.怎么样通过FSR0和IND0对通用数据寄存器清0？... 7 问题7.怎么样算延时程序的时间?. 7 问题8.怎么样算定时器的溢出时间？... 8 问题9.怎么样清掉TM0CNT只读寄存器?. 8 问题10.怎么样算PWM的频率和占空比？... 8 问题11.怎么样让蜂鸣器输出2KHZ的频率？... 9 问题12.怎么样来读写芯片内部的E方数据？... 9 问题13.程序中怎么样来使用SLEEP和HALT唤醒？... 10 问题14.怎么样在程序中建立查表？... 10 问题15.怎么样使用看门狗？... 11 问题 16.简单的AD口电路要注意什么?. 12 问题17.怎么样采集ADC数据？... 12 问题18.怎么用内部1.4V作参考,测试AD通道的数据？... 13 问题19.如何使用芯片内部的数字比较器？... 15 问题20.如何用一个已知的固定信号与通道1的信号比较大小？... 16 问题21.如何使用芯片内部的比较器？... 17 问题22.如何使用芯片做放大器？... 17 问题23.使用中断要注意的什么?. 18 问题24.I/O外接下拉电阻，没有外接信号时芯片为何读不到低电平？... 19 问题25.产品开发过程中如何提高EFT特性？... 19 问题26.CSU8RF211X的INT1（外部中断1）和CSU8RF311X、CSU8RF322X的有什么不同？... 19 问题27.如何保障外部中断响应的准确性？... 19 问题28.不同的系统时钟对电压有什么要求？... 21 问题29.在AD测量中怎样减小offset对测量结果的影响？... 21 2        烧录器常见问题... 23 问题1.安装完烧录器安装包后,电脑提示发现新的硬件向导怎么办？... 23 问题2.如何使用离线烧录器烧录芯片？... 23 问题3.如何才能读出被烧录过的芯片程序？... 23 问题4.离线烧录器载入的程序是否可以被读出？... 23 问题5.怎么样来进行烧录器的自我检测？... 24 问题6.离线烧录器上没有烧录转接板的情况下，怎么样来烧录芯片？... 25 3        仿真器常见问题... 26 问题1.为什么在烧录的时候没能找到对应的产品型号或弹出的烧录选项与用户手册不一致？... 26 问题2.如何将仿真板的烧录线外接？... 27 1         常见问题 客户在应用Chipsea MCU产品的时候常常遇到一些问题，为帮助客户能更容易使用我们的产品，将一些常见问题进行总结和解答。   问题1. 怎么样用外部复位电路对MCU系列芯片进行复位 ？ 解答：MCU芯片上电复位与低电压复位发生时，所有的系统寄存器恢复默认状态，程序停止运行，同时程序计数器 PC清零。复位结束后系统从向量 0000H 处重新开始运行。 MCU芯片都有内部POR上电复位，对于从启动到稳定的时间较长的低频振荡器，我们需要用外部的上电复位电路来延长复位，以保证复位的正常进行。 如图1.1所示， 一般的外接上电复位电路 RC电路。 如图1.2所示，在电源频繁插拔过程中，欠压保护复位电路。 如图1.3所示，芯片复位电路。     图1.1                                              图1.2                               图1.3   问题2. 当芯片进入休眠模式时，应如何设置I/O状态，使功耗最小? 解答：I/O口断开上拉电阻，作为输出，并输出低电平。 关闭A/D使能，关闭比较器使能。   问题3. 没有用到的I/O如何处理？ 解答：没有用到的I/O口应设成输入状态，并启用上拉电阻，避免因I/O浮接时造成芯片耗电。或将I/O口设置为输出状态。   问题4. 怎么样从芯片内部时钟转换到外部时钟？ 解答：把CPU时钟由内部晶振切换到外部晶振，对MCK寄存器进行写操作时，建议使用bcf或bsf指令。内部晶振关闭时应按照以下例程中的顺序执行，其中若是切换至外部32768Hz低速晶振，则需要将50ms延时增加至500ms。       HIS_EXT_CONVSER:                  BCF        MCK,7                  ;打开外部晶振             CALL            DELAY_50MS      ;延时50MS 等待外部时钟稳定               BSF        MCK,0           ;切换到外部晶振              NOP                                                        NOP               BSF        MCK,6           ;关闭内部晶振                                                           （未完，详情见附件）