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时间 |
记录 |
版本号 |
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2012-12-25 |
初稿完成 |
1.0 |
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客户在应用CSU12XX系列SOC产品的时候常常遇到一些问题，为帮助客户能更容易使用我们
的产品，将一些常见问题进行总结和解答。
问题1
问题2
问题3
问题4
问题5
电路设计及PCB Layout中，可采用哪些措施以加强芯片抗ESD能力？
问题6
电路设计及PCB Layout中，可采用哪些措施以加强芯片抗干扰能力？
问题7
CSU12XX系列芯片在低电压Reset（LVR）状态时，系统是否还在振荡？最小起振电压是多少?
问题8
问题9
问题10
问题11
问题12
问题13
问题14
问题15
问题16
问题17
问题18
芯片上电复位的电压是多少？LVR的电压维持多长时间复位，电压是多少？
问题19
问题20
问题21
问题22
问题23
问题24
问题25
问题26
问题27
问题28
问题1
使用仿真软件时提示“连接失败！未发现仿真器！”等错误，该如何处理？
问题2
问题3
问题4
问题1
问题2
问题3
问题4
问题5
问题1
CSU12XX系列芯片工作电压范围是多少？
解答：CSU12XX系列芯片数字和模拟工作电压均为2.4~3.6V。
问题2
CSU12XX系列和CSU128X系列之间的差异？
解答：CSU12XX系列与CSU128X系列的差异是内部RC振荡频率和外挂晶振频率不同，CSU12XX系列内部RC振荡频率是1MHZ， 可外挂晶振32768HZ； CSU12XX系列内部RC振荡频率是CSU12XX系列内部RC振荡频率是 3.25 MHZ， 可外挂晶振频率范围32768HZ~12MHZ。
问题3
当晶片进入休眠模式时，应如何设置I/O状态，使功耗最小?
解答：I/O口断开上拉电阻，作为输出，并输出低电平。
问题4
没有用到的I/O如何处理？
解答：没有用到的I/O口应设成输入状态，并启用上拉电阻，避免因I/O浮接时造成芯片耗电。或将I/O口设置为输出状态。
问题5
电路设计及PCB Layout中，可采用哪些措施以加强晶片抗ESD能力？
解答：请参考CSU12XX系列PCB布板建议。
问题6
电路设计及PCB Layout中，可采用哪些措施以加强晶片抗干扰能力？
解答：请参考CSU12XX系列PCB布板建议。
问题7
CSU12XX系列芯片在低电压Reset（LVR）状态时，系统是否还在振荡？最小起振电压是多少?
解答：Reset（LVR）状态时，系统还在振荡，最小起振电压是1.8V（但受电源电压波动影响）。如果在保证电路性能的前提下，最低启动电压约为2.3V
问题8
使用EEPROM时应注意事项？
解答：1、SCK、SDA引脚需要开启上拉电阻，或外接10KΩ上拉电阻；
2、一定要确定EEPROM传回正确ACK信号，否则容易造成读写错误。
问题9
CSU12XX系列芯片I/O内部上拉电阻是多少？
解答：CSU12XX系列芯片I/O内部上拉电阻是100KΩ。
问题10
当晶片进入休眠模式之前，应如何设置ADC？
解答：清除NETA、NETC、NETE、NETF寄存器。
问题11
产品开发过程中如何提高EFT特性？
解答：1、电源输入位置要做好滤波，通常采用大小电容组合，外部电源必须要经过电容再到达
芯片电源端；
2、采用3V电池作电源时，RST复位端上拉一个10KΩ的电阻到VDD端；采用LDO稳
压电源时，RST复位端上拉一个100KΩ的电阻到VDD端，并且需添加大小为0.1uF的接地电容。
3、设计外挂晶振电路时，应视晶振参数选择合适的匹配电容和电阻，振荡电路应尽可能
靠近芯片引脚，并与地线和电源线保持足够的距离，以避免电源高频干扰。
4、I/O端具有高杂信号的负载最好以光藕等元件隔离或加吸干扰信号电路。如果是有危险
的负载，应加有上拉或下拉电阻以防止芯片损坏时的误动作。另外，某些特殊场合由于安全的需要，具有危险性的负载也可以利用软体脉冲驱动的方式，透过电容耦合，以避免芯片复位或当机时的误启动造成的危险。
问题12
RC振荡频率主要受哪些因素影响？
解答：1、工作电压；2、工作环境温度；3、外部干扰源：不同的RC组合，会有不同的抗干扰性
能。PCB布板也可以改善RC振荡的稳定性。
问题13
独立按键与MCU如何连接能有效避免I/O口损坏？
解答：产品开发时，按键是很常见的功能，由于考虑到成本等因素，很多客户都是将按键的两端
分别与MCU和GND相连，这种做法在大部分情况下是没有问题的。但是，当工作环境
比较差，比如：ESD、电源等干扰，此时若按键被按下就很可能会有瞬间大电源或高
电压甚至负压灌入I/O口，造成I/O口损坏。 针对这种问题的防范措施是：可以将端口的
上拉打开，并增加一个0.1uF的接地电容。
问题14
I/O外接下拉电阻，没有外接信号时芯片为何读不到低电平？
解答：如果客户在程序中将I/O口的上拉电阻使能，同时又在该I/O口的周边接有下拉电阻，在
没有信号输入的情况下，相当于内置上拉电阻与外接下拉电阻串联分压，所以有可能会导
致I/O口读不到低电平。
问题15
切换ADC通道后，须丢弃多少笔AD数值才稳定？
解答：切换AD通道后，须丢弃前三笔转换的AD值，以确保转换的数值正确性。
问题16
单端输入与差分输入有什么不同？
解答：CSU12XX系列芯片设置为单端输入，其实芯片内部还是差分输入，因为此时的S+端为使
用者输入的信号，S-端为AIN4。
问题17
如何选择VS输出的电压值？
解答：CSU12XX系列芯片内部VS可选2.2V、2.5V、2.8V、3V四种LDO电压输出。电压越低，
功耗也越低，电源电压下降时影响越小，但传感器输出信号越小。为此在满足信号量情况
下，VS选越低的电压越好。
问题18
芯片上电复位的电压是多少？LVR的电压维持多长时间复位，电压是多少？
解答：芯片上电复位的电压是2.2V；LVR的电压维持4uS即芯片复位，电压是1.8V。
问题19
当系统使用内部RC振荡器时，频率误差为多少？
解答：Datasheet上给出内置RC振荡器频率误差有20% 。
问题20
用芯片的BZ功能时感觉声间不够响亮，该怎么办？
解答：每种蜂鸣器都有各自的中心频率，BZ的输出频率越接近蜂鸣器的中收频率，蜂鸣器发出
的声音越响。所以设置BZ的输出频率尽量靠近蜂鸣器的中心频率就可以。
问题21
VDDA稳压器是否可以驱动传感器？
解答：VDDA是用于驱动LCD driver的电源，驱动能力是0.8mA 。驱动能力不能满足传感器的
驱动要求。
问题22
当LCD采用外部供电时，是否可以取消CA与CB之间的电容？
解答：CA与CB之间的电容是VDDA的升压电容，当LCD采用外部供电时，可以取消CA与
CB之间的电容。
问题23
内部低电压比较器的1.2V基准的误差是多少？
解答：内部低电压比较大的基准电压1.2V的范围：1.25 +/-0.15V
问题24
使用外部振荡器时，有何注意事项？
解答：启用外接振荡器之前，必须先开启内部高速RC振荡器，至少需要延时50mS后方可切换
到外接振荡器。
问题25
如何正确使用Watchdog？
解答：Watchdog是防止外部不可控制事件（如电的干扰等）所造成的程序不正常动作或跳转到未
知的地址。使用者必须适当设计程序及运用CLRWDT指令使程序正常执行时，Watchdog
不会溢出，并且当系统运行不正常时，Watchdog可以溢出唤醒芯片。
问题26
编写程序时如何进行间接寻址？
解答：FSR0/1是存放间接寻址的地址，IND0/1是存放间接寻址地址内的数据。IRP0/1是控制寻
址的范围，“0”为寻00~FF的内容；“1”为寻100~17F的内容。
问题27
随着电池电压下降，重量也随着下降低？
解答：建议设置成VS=2.5V，PGA = 64 。
问题28
上电无法复位造成死机现象？
解答：电源上的滤波电容是0.1uF, 在RESET引脚增加RC复位，电阻为100k 电容为1uF。
问题1
使用仿真软件时提示“连接失败！未发现仿真器！”等错误，该如何处理？
解答：1、检查USB线连接是否正确及接触是否良好；2、检查是否安装USB驱动。
问题2
使用开发板上的按键口来作I2C通信口，出现异常？
解答：开发板上的按键口上有上拉电阻和0.1uF电容。若作I2C通信需去掉0.1uF电容。
问题3
通过内部寄存器修改I/O口是否带上拉无效？
解答：开发板不支持修改I/O是否带上拉电阻（开发板FPGA默认全部I/O口有上拉）
问题4
调试开发板上的AD内码达不到Datasheet上的有效位？
解答：由于开发板有干扰，使仿真时内码比实际芯片的内码有效位低1位左右。
问题1
有哪几种方式可以对芯片进行烧录？
解答：1、用开发板进行在线烧录；2、用离线烧录器进行烧录。
问题2
如何使用离线烧录器烧录芯片？
解答：通过IDE软件将编译好的HEX文件下载到离线烧录器上，然后就可以离线烧录。
问题3
如何才能读出被烧录过的芯片程序？
解答：1、将芯片所烧录的程序装载入IDE软件；
2、使用开发板连接好电脑和目标板；
3、点击IDE软件上的“读取”，则可以读出。
问题4
离线烧录器载入的程序是否可以被读出？
解答：离线烧录器载入的程序是不可以被读出。
问题5
空检查为不为空？
解答：1、检查连线VPP、DATA、CLK、VCC、GND是否接触良好；
2、若是邦定封装，检查邦线邦定是否正确（特别注意DATA、CLK引脚容易错）；
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