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多点支撑：滚珠导轨的均匀分布优势！

科士威传动

2024-11-11 17:47

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滚珠导轨的滚珠稳定性可以有效保持滚珠导轨的稳定运行，减少滚珠脱落的风险，确保设备的长期稳定性和可靠性。事实上，滚珠导轨的滚珠稳定性主要依赖于以下几个方面： 1、精密的制造工艺：滚珠导轨的导轨和滑块通常采用高精度的研磨工艺，表面光滑，有助于减少摩擦，提高滚珠的稳定性和导轨的寿命，确保滚珠在其上顺畅滚动。 2、滚珠的均匀分布：在滚珠导轨的设计中，滚珠被均匀分布在多个平行轨道上，形成多点支撑，分散受力，有助于保证运动过程中的稳定性，防止滚珠在运动过程中发生偏移或“交通堵塞”。 3、正确的安装：安装时需要进行良好的对中调整和预紧处理，确保导轨和关键部件的紧密结合，避免因装配不良引发的滚珠掉落。此外，安装过程中要仔细对准滚珠通道，避免损坏导轨或滚珠。 4、预紧力的应用：通过在滚珠导轨中施加预紧力，可以增加滚珠与导轨之间的接触，减少滚珠运动时的摆动和偏移，从而提高导轨的刚性和承载能力以及提高传动的精度和稳定性。 5、润滑油的合理使用：适量的高品质润滑油可以均匀涂抹在滚珠与导轨接触面上，可以减少金属间的直接摩擦，使滚珠滑动更加轻盈无声。 6、定期的维护检查：长时间使用后，导轨表面可能会产生污垢和其他杂质，这些会影响滚珠的正常运行。因此，需要定期对导轨进行清洗和保养，确保其平滑运行。同时，还要定期检查滚珠余量，防止过度挤压或松弛的情况发生‌。除此之外，在滚珠导轨的使用过程中，要特别注意避免强外力对导轨的冲击，特别是在导轨未装有保护装置时，更应小心谨慎，以免导致滚珠掉落，导致影响精度等问题。
PCB厂甩铜常见的原因，捷配和你说一说

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捷配科技

2022-7-29 09:46

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PCB的铜线脱落（也是常说的甩铜）不良，受一些一i尿素影响，那么PCB厂甩铜常见的原因有以下几种：一、 PCB厂制程因素： 1、铜箔蚀刻过度，市场上使用的电解铜箔一般为单面镀锌（俗称灰化箔）及单面镀铜（俗称红化箔），常见的甩铜一般为70um以上的镀锌铜箔，红化箔及18um以下灰化箔基本都未出现过批量性的甩铜。客户线路设计好过蚀刻线的时候，若铜箔规格变更后而蚀刻参数未变，造成铜箔在蚀刻液中的停留时间过长。因锌本来就是活泼金属类，当PCB上的铜线长时间在蚀刻液中浸泡时，必将导致线路侧蚀过度，造成某些细线路背衬锌层被完全反应掉而与基材脱离，即铜线脱落。还有一种情况就是PCB蚀刻参数没有问题，但蚀刻后水洗，及烘干不良，造成铜线也处于PCB便面残留的蚀刻液包围中，长时间未处理，也会产生铜线侧蚀过度而甩铜。这种情况一般表现为集中在细线路上，或天气潮湿的时期里，整张PCB上都会出现类似不良，剥开铜线看其与基层接触面（即所谓的粗化面）颜色已经变化，与正常铜箔颜色不一样，看见的是底层原铜颜色，粗线路处铜箔剥离强度也正常。 2、 PCB流程中局部发生碰撞，铜线受外机械力而与基材脱离。此不良表现为不良定位或定方向性的，脱落铜线会有明显的扭曲，或向同一方向的划痕/撞击痕。剥开不良处铜线看铜箔毛面，可以看见铜箔毛面颜色正常，不会有侧蚀不良，铜箔剥离强度正常。 3、 PCB线路设计不合理，用厚铜箔设计过细的线路，也会造成线路蚀刻过度而甩铜。二、层压板制程原因：正常情况下，层压板只要热压高温段超过30min后，铜箔与半固化片就基本结合完全了，故压合一般都不会影响到层压板中铜箔与基材的结合力。但在层压板叠配、堆垛的过程中，若PP污染，或铜箔毛面的损伤，也会导致层压后铜箔与基材的结合力不足，造成定位（仅针对于大板而言）或零星的铜线脱落，但测脱线附近铜箔剥离强度也不会有异常。三、层压板原材料原因： 1、上面有提到普通电解铜箔都是毛箔镀锌或镀铜处理过的产品，若毛箔生产时峰值就异常，或镀锌/镀铜时，镀层晶枝不良，造成铜箔本身的剥离强度就不够，该不良箔压制板料制成PCB后在电子厂插件时，铜线受外力冲击就会发生脱落。此类甩铜不良剥开铜线看铜箔毛面（即与基材接触面）不会后明显的侧蚀，但整面铜箔的剥离强度会很差。 2、铜箔与树脂的适应性不良：现在使用的某些特殊性能的层压板，如HTg板料，因树脂体系不一样，所使用固化剂一般是PN树脂，树脂分子链结构简单，固化时交联程度较低，势必要使用特殊峰值的铜箔与其匹配。当生产层压板时使用铜箔与该树脂体系不匹配，造成板料覆金属箔剥离强度不够，插件时也会出现铜线脱落不良。
集成电路的制造工艺和EMC

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techff

2021-12-10 14:32

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我们来谈一谈半导体集成电路。通常，大规模集成电路和集成电路也被称为“LSI(Large Scale Integrated Circuits)”和“IC(Integrated Circuits)”。根据电路规模，在名称上会有这样的不同，但并没有严格的区分。很早以前大多称为“IC”。正如您所知道的，一个晶体管只能执行简单的工作，但是通过将多个晶体管制作在同一个硅衬底上，则可以实现复杂的功能和高精度的电路工作。半导体集成电路（LSI、IC）的电路设计者的主要工作是通过晶体管的组合来打造出色的电路。 ROHM量产中的主要产品群包括3,480种电源管理和电源IC、652种存储器、396种线性放大器、259种电机驱动器和执行器驱动器、133种音频IC和视频IC等共5115种产品。其中也包括很多种晶体管和二极管。随着从传统的定制产品向通用产品的转变，半导体集成电路（LSI、IC）的产品体系也越来越丰富。大约在30年前，也就是我刚加入ROHM公司的年代，双极器件和CMOS器件的最小布线宽度或栅极长度是10µm(10×10-6m)，而如今，最近有新闻称国外已经开始着手开发2nm(2×10-9m)的CMOS器件了（预计2022年完成）。与30多年前相比，如今的最小加工尺寸已经发展到1/5,000，可见微细化发展程度之大。这是一个令人惊叹的数字，这意味着最小栅极长度仅为几个原子大小的CMOS器件的制造与量产将成为可能。真的很棒！其实，对于这种微细化的发展趋势，是有一个著名的定律的，即美国英特尔公司提出的“摩尔定律”。其核心内容为：集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过1.5年～2年便会增加一倍。英特尔的中央处理器（CPU）也是基于该定律制造的。另外，在IEEE国际器件与系统路线图IRDS（IEEE International Roadmap for Devices and Systems）中，也详细预测了未来的制造工艺发展趋势。感兴趣的可以上网搜索一下，很有意思（https://irds.ieee.org/）！如果半导体集成电路（LSI、IC）的元器件尺寸越来越小，那么在同一尺寸的芯片上将可以集成更多的晶体管，从而可以实现更高的性能。另外，虽然半导体元器件的耐压将会变低，但工作电压也会随之变低，从而可以延长电池的驱动时间。此外，由于半导体元器件的寄生电容减小，因此工作速度会更高，性能也会更高。现在让我们来看看“电磁兼容性（EMC）”和微细化之间的关系吧！对于自身发出电磁噪声的“电磁干扰（EMI）”来说，随着微细化的发展，工作电压会越来越低，低频电磁噪声随之减少，工作频率由于寄生电容的减小而提高，从而呈现高频噪声增加的趋势。而对于由外部电磁噪声导致误动作的情况——“电磁敏感性（EMS）”来说，同样，随着微细化的发展，工作电压也会越来越低，导致噪声容限（noise margin）变小，因此反应更灵敏，更容易发生误动作（这点很重要！）。也就是说，并不是最新的制造工艺都是好的，从电磁兼容性（EMC）角度讲，在很多情况下，用稍旧的制造工艺量产的半导体集成电路（LSI、IC）反而更好。例如，对于差分运算放大器（运放）来说，最好选择至少能够确保所需工作带宽的产品。如果是带宽扩展到超过必要的更高频率的产品（更加微细化的制造工艺），就需要增加对高频条件下电磁兼容性（EMC）的验证（需要额外关注）。此外，对于通用逻辑等产品，则希望避免选择工作电压低于所需电压的产品。此外，对于实现了复杂功能的产品，有各种措施（技术）和设计方法来改善电磁兼容性（EMC）。来源：ROHM/稻垣
电子产品可制造性设计（DFM）研修班

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用户274009

2013-3-11 11:01

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一、课程开设背景: 随着各大跨国公司逐步把研发中心移至中国，以及中国本土的高科技公司逐渐增多，从事电子产品研发工作的工程师越来越多，特别是硬件开发人员，普遍存在对制造工艺技术的不熟悉，可制造性概念比较模糊。对PCB布局设计，元件选择，制造工艺流程选择，热设计，生产测试手段等方面的实际经验不足，导致设计出的产品不具备可生产性或可生产性差，需要多次反复改板，影响了产品的推出日期，甚至影响了产品的质量和可靠性。二、举办单位：鼎创国际管理咨询有限公司中国电子信息工程协会北京军科宏远科技发展有限公司三、培训时间：2013年04月19-20日（04月18日报到）四、培训地点：北京（具体地点及路线见报到通知）五、课程对象：产品硬件设计工程师，CAD layout工程师，生产工程师、工艺工程师、设备工程师、品质工程师、硬件研发部经理、工程部经理、品质部经理六、课程特点：本课程以DFM的基本理念出发，深入浅出地介绍了DFM的基本知识、方法和常用问题。引导学员从认识生产工艺入手，逐步了解PCB制造过程，PCB材料选择，SMT封装和插件的选择，现代电子组装过程，不同工艺路线对产品设计的影响，以及热设计，钢网设计，可测试性设计和可返修性设计等内容。并探讨了如何建立DFM规范等话题。通过本课程的学习，学员能够掌握DFM的基本思想和方法，并且可以着手开展DFM的工作，提升公司产品设计水平，缩短与国际先进水平的差距，提高产品竞争力。七、课程大纲：（一）、电子产品工艺设计概述（二）、SMT制造过程概述（三）、基板和元件的工艺设计与选择（四）、电子产品的板级热设计（五）、焊盘设计（六）、PCB布局、布线设计（七）、钢网设计（八）、电子工艺技术平台建立（九）、讨论八、授课专家介绍：军科宏远专家组成员报名咨询 : 15321025878 junkehy@sina.com
45nm以下制造工艺介绍

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用户1628921

2012-11-20 10:40

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根据摩尔定理，IC上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。但随着IC上晶体管的集成度越来越高，在45nm节点技术中，MOS管的栅介质厚度减小到了1.2nm，几乎只是5个硅原子的厚度，器件的物理电气性能几乎达到了极限。因此，这些困难都催生了新一代金属的诞生。在45nm技术节点处，以金属/高K介质为代表的新一代工艺技术已经开始应用于半导体产业。在32nm技术节点及以下，这些技术必将得到进一步的推广和应用。而在技术发展的过程中，半导体产业也遇到了成本研发成本不断提高，先进技术的集中化和垄断化程度越来越高的趋势，调研报告最后也对半导体产业的市场现状作了一定的总结和分析。

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