原创 45nm以下制造工艺介绍

       根据摩尔定理，IC上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。但随着IC上晶体管的集成度越来越高，在45nm节点技术中，MOS管的栅介质厚度减小到了1.2nm，几乎只是5个硅原子的厚度，器件的物理电气性能几乎达到了极限。因此，这些困难都催生了新一代金属的诞生。在45nm技术节点处，以金属/高K介质为代表的新一代工艺技术已经开始应用于半导体产业。在32nm技术节点及以下，这些技术必将得到进一步的推广和应用。而在技术发展的过程中，半导体产业也遇到了成本研发成本不断提高，先进技术的集中化和垄断化程度越来越高的趋势，调研报告最后也对半导体产业的市场现状作了一定的总结和分析。