标签: 45nm

       根据摩尔定理，IC上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。但随着IC上晶体管的集成度越来越高，在45nm节点技术中，MOS管的栅介质厚度减小到了1.2nm，几乎只是5个硅原子的厚度，器件的物理电气性能几乎达到了极限。因此，这些困难都催生了新一代金属的诞生。在45nm技术节点处，以金属/高K介质为代表的新一代工艺技术已经开始应用于半导体产业。在32nm技术节点及以下，这些技术必将得到进一步的推广和应用。而在技术发展的过程中，半导体产业也遇到了成本研发成本不断提高，先进技术的集中化和垄断化程度越来越高的趋势，调研报告最后也对半导体产业的市场现状作了一定的总结和分析。

        为帮助企业全面了解集成电路逆向设计，设计验证和失效分析的最新技术进展，促进集成电路产业发展、成都高新区技术创新服务中心、西安集成电路产业化发展中心联合闳康科技有限公司、北京芯愿景软件技术有限公司、闳康技术检测（上海）有限公司于2012年8月21日（周二）、2012年8月21日（周四），在成都和西安先后举办“2012年集成电路逆向设计，设计验证与失效分析案例研讨会”活动。   成都研讨会： 时间：2012年8月21日（星期二）9:30～12:00  13:00～17:00（凭名片入场） 地点：成都市武侯区高新区肖家河街115号(永丰立交桥西侧)     西安研讨会： 时间： 2012年8月23日（星期四）9:30～12:00  13:00～17:00（凭名片入场） 地点：西安市锦业路1号都市之门B座2层     主要内容： 反向工程的最新发展状况 演讲者：芯愿景公司副总经理 张军 反向工程综述 纳米级样品制备技术 SEM图像采集和处理技术 亿万门级的电路提取和版图设计技术 反向工程的应用领域 反向工程中的法律问题 最先进芯片解剖案例分析 专利侵权分析 演讲者：芯愿景公司副总经理 张军 专利地图和专利战略 专利分析定义和分类 专利侵权分析流程 专利侵权分析实例 45 纳米工艺芯片的仿制技术 演讲者：芯愿景公司技术总监 蒋卫军 图像精确复原技术 高质量的网表提取和版图绘制技术 基于PDK的版图设计 单元建库和库验证 设计验证DRC/LVS/DFM 基于HxBuilder的版图移植技术 STA验证技术 產品電路除錯产品靜电防护验证、產品可靠度验证、失效分析 演讲者： 闳 康科技有限公司技术长朱志勳博士 產品電路除錯：FIB电路修补 产品靜电防护验证：ESD測試 產品可靠度验证：环测和HTOL 失效分析：电性與物性失效分析 2012年集成电路设计验证与失效分析案例研讨会”的报名回执 企业名称   公司电话   参会者姓名 部门 职位 手机 E-mail                     由于本次培训名额有限，每家企业限2个名额。请欲报名的企业尽快在8月15日之前将报名回执发送电子邮件至联系人处，并来电确认报名的有效性。最后由研讨会筹备小组发确认函来确定最后参加人名单。 联系人： 上海闳康技术检测有限公司      程香荣 电话；021- 50793616X7084    手机； 13524795435 E-mail；marketing_sh@ma-tek.com   北京芯愿景软件技术有限公司 电  话：(8610)82894101/02/05 62901860 ext.611  传  真：010-82893201 联系人：石子信 E-mail: shizx@cellixsoft.com