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扩散工艺概述xcl第三章扩散工艺§1.扩散原理一.扩散流方程图3.1扩散流模型§1.扩散原理§2.典型工艺§3.扩散方法§4.工艺控制和质量监测2005-3-1112005-3-112以下式表示杂质原子流密度以上2－1，2－3分别为Fick’Fick’s扩散N(x,t)第一、第二定律。J=D（2-1）xN=D2N扩散时质量守衡，J随时间变化与随空间变化……

SUPREM3……

《扩散工艺》作业第二章《扩散工艺》作业1、1000℃时在硅片中进行磷的预淀积扩散，直到磷的固溶度极限。扩散时间为20分钟。预淀积后，硅片表面被密封并在1100℃下做推进扩散。为获得4.0μm的结深，推进时间应为多少？假设衬底浓度为1017cm-3。推进后表面浓度是多21-14少？（已知1000℃时磷在硅中的固溶度为10cm-3，磷的扩散系数为1.39×102-132cm/s，1100℃时磷的扩散系数为1.56×10cm/s）2、已知某硼扩散工艺中先进行950℃，11分钟预淀积扩散；再进行1180℃，40分钟推进扩散。请问，在该工艺中，对硼起掩蔽作用所需的最小氧化层厚度为-17多少埃（保留整数）？（已知950℃时硼在SiO2中的扩散系数为10cm2/s；1180-152℃时硼在SiO2中的扩散系数为4×10cm/s）……