《扩散工艺》作业 第二章《扩散工艺》作业 1、1000℃时在硅片中进行磷的预淀积扩散，直到磷的固溶度极限。扩散时间为 20 分钟。预淀积后，硅片表面被密封并在 1100℃下做推进扩散。为获得 4.0μm 的结深，推进时间应为多少？假设衬底浓度为 1017 cm-3。推进后表面浓度是多 21 -14 少？（已知 1000℃时磷在硅中的固溶度为 10 cm-3，磷的扩散系数为 1.39×10 2 -13 2 cm /s，1100℃时磷的扩散系数为 1.56×10 cm /s ） 2、已知某硼扩散工艺中先进行 950℃，11 分钟预淀积扩散；再进行 1180℃，40 分钟推进扩散。请问，在该工艺中，对硼起掩蔽作用所需的最小氧化层厚度为 -17 多少埃（保留整数）？（已知 950℃时硼在SiO2中的扩散系数为 10 cm2/s ；1180 -15 2 ℃时硼在SiO2中的扩散系数为 4×10 cm /s ） ……