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培訓教材集成電路的封裝和包裝培训教材集成电路的封装和包装培训教材一．本公司主要经营产品种类本站的电子元器件按照如下约定分类：1.通用集成电路集成电路的封装和包装包括CMOS、TTL、ECL等54、74、40、45、1000、10K系列的通用集成电路和半定制可编程器件(如ASIC等)。注意：一些电路，仍按照电路功能而未按照工艺分类，如74HCXX系列电路，仍然按功能分在TTL电路中，而未分在COMS电路中。其他的一些逻辑性器件也包含在此类中。2.微处理器和相关电路包括CPU、MCU、IO控制、时钟电路、存储器件(包含RAM、ROM、已写入内容的ROM等)。其它的一些功能性器件(如电子钟等)也包含在此类中。3.通讯器件包括通讯用集成电路和相关专用部件、模拟开关、编码-解码电路、无线电(包括红外线、超声波等)发射、接收电路，甚至电视机、收音机的高频、中频电路，也放在这一部分中。4.图像/音频处理器件图像处理器件包括视频处理用集成电路，甚至彩色电视机解码电路、电视机行(帧)输出电路等。音频处理器件包括音频功率放大器、音频处理、音频专用前置放大器件、扬声器等等。5.检测/转换/驱动器件包含各种检测、监测、传感器件、模/数转换器件、其他转换器件、驱动器件和光电器件。光电器件含各种显示器件(发光元件、光电耦合器件、数码管等)和光学部件。6.运算放大器7.各种单极器件(二极管)、双极器件(三极管、场效应管等)、多极器件(可控硅等)8.仪器、仪表、工器具、设备、整机9.其他器件（1）电源器件包含各种电源相关部件，如稳压、恒流器件，电源变压器等。时宝培训第1页共22页培训教材集成电路的封装和包装1．数字逻辑集成电路A．74系列(74Cxx,74HCxx……

常见的封装技术,常见的封装技术……

各种IC的封装外形打印文章页码，1/6打印本文关闭窗口各种IC封装形式作者：佚名文章来源：http://www.weierda.cn/icpacking.asp点击数：34823更新时间：2005-3-25文章录入：admin责任编辑：adminBGABallGridArrayEBGA680LLBGA160LPBGA217LPlasticBallGridArraySBGA192LTSBGA680LCLCCCNRCommunicationandNetworkingRiserSpecificationRevision1.2CPGACeramicPinGridArrayDIPDualInlinePackageDIP-tabDualInlinePackagewithMetalHeatsinkFBGAFDIPFTO-220FlatPackHSOP-28http://www.mcuchina.com/Article/Print.asp?ArticleID=4182006-5-23打印文章页码，2/6ITO-220ITO-3PJLCCLCCLDCCLGALQFPPCDIPPGAPlasticPinGridArrayPLCCPQFPPSDIPLQFP100LMETALQUAD100LPQFP100LQFPQuadFlatPackagehttp://www.mcuchina.com/Article/Print.asp?ArticleID=4182006-5-23打印文章页码，3/6SOT143SOT220SOT22……

贴片电容的封装单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司产品手册。NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。*NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。封装DC=50VDC=100V08050.5---1000pF0.5---820pF12060.5---1200pF0.5---1800pF1210560---5600pF560---2700pF22251000pF---0.033μF1000pF---0.018μFNPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。……

集成电路的封装设计和失效分析解决办法：⑤封装引出端所受热应力封装和PCB之间的Δα、ΔT热失配减小Δα，改变材料陶瓷封装TCE≈6×10-6/℃塑料封装TCE≈（12～26）×10-6/℃PCBTCE≈16×10-6/℃引起的应力将作用于表面安装器件（SMD）的各引出端：BGA、CSP的焊接点SOP、QFP的引线和焊接点。引线材料选用低杨氏模量材料Ecu12图4-12翼形引线上所受应力的有限元模拟图3-133由封装引起的主要失效模式4图3-14有无下填料时倒装芯片在温度循环时的失效模式无下填料的倒装芯片封装边缘处焊点裂缝的剖面扫描电镜图像。该倒装芯片是热循环试验中的失效样品。无下填料时焊球裂（在边缘上）5613.封装热－力设计它包括：（1）结构设计（2）材料（优化）设计（3）工艺优化设计（4）合理使用指南78下面以一种HIC功率金属外壳的设计为例，使用有限元法进行计算机模拟：优化判据为：残余应力小，后续使用应力小，形变小，工艺上能实现，成品率可提高。结构设计：形状：设置吸收槽，耳朵区位置和引线位置选择，几何尺寸；最大线长和厚度优选，引线绝缘子结构选择和位置优选。材料选择：无氧铜基板－可伐密封框－钢帽，半硬高导无氧铜－钢密封框－钢帽。可伐引线－硬玻璃－钢圈；4J50引线－铁封玻璃－钢圈考虑到温度反复（冷却－使用时升温－冷却）>900～400℃室温目标：系统残余应力小，最大形变（拱曲高度）小，可以制造，成本较低。模拟结果：910形状：吸收槽，可明显减小应力和形变；引线绝缘子要下平，不能下凹上凸；引线绝缘子高度要……

传统集成电路的封装传统集成电路封装技术蔡坚清华大学微电子学研究所jamescai@tsinghua.edu.cn概要封装基础知识传统集成电路封装流程金属封装陶瓷封装塑料封装1芯片粘结（DieAttach）基本的一级互连技术InstituteofMicroelectronics2InstituteofMicroelectronics微电子封装从管芯到集成电路的过程管芯单芯片封装圆片电测试包装与运输InstituteofMicroelectronics3InstituteofMicroelectronics4封装实例从芯片到系统DiscreteL,C,RPackagedICIntel微处理器InstituteofMicroelectronicsICPackage5BoardAssemblyInstituteofMicroelectronicsSystemAssemblyFundamentalsofmicrosystemspackaging,Dr.RaoTummulao61集成块对IC芯片=身体对大脑人大脑身体集成块对IC芯片=身体对大脑微电子IC芯片集成块电力供应信号传递塑封料保护散热片Fundamentalsofmicrosystemspackaging,Dr.RaoTummulaoInstituteofMicroelectronics8心血管系统中枢神经系统头盖骨头发From:PolymersinMicroelectronicPackaging,Dr.QuinnTongInstituteofMicroelect……