原创 打造完美量产软件 第一章 为什么有些软件需要经常调试？ 一、晶振简介 之二

上图是为晶振的等效电路图。C1为动态电容(等效串联电容),是晶振处于谐振频率时的电容;L1为动态电感(等效串联电感);R1为动态电阻(等效串联电阻);C0为静态电容(等效并联电容)。

串联电阻、谐振电阻(Series Resistance)：是晶体在串联谐振频率(基频)下的等效损耗电阻。

静电容(Shunt Capacitance):等效电路中与串联臂并接的电容,也叫并联电容(Static capacitance).

电容比(Capacitance Ratio)：指晶体静态电容（C0）与动态电容(C1)之比，r = C0/C1.通过改变电路的电抗条件，可以有限的调节晶体频率，而晶体频率可以改变的程度跟r成反比；

负载电容(Load Capacitance)：参见图1-3，与晶体一起决定负载谐振频率FL的有效外接电容，通常用CL表示。如右图所示：负载电容是Cg和Cd的串联在一起的总电容加上电路的离散电容，即 CL=Cg乘以Cd / (Cg加上Cd) + Cs;一般Cg等于Cd.

图1-3 晶振串联外接电容

激励功率(Drive Level)：振荡晶振单元所需电功率，其计算公式如下：P = i2 * Re.其中i表示经过晶振单元的电流，Re表示晶振单元的有效电阻。如果激励功率(P)超出指定范围，振荡频率就会漂移。这是因为一个超过指定范围的输入驱动会在晶振上引发应力，导致温度上升。如果在该晶振单元上施加过量的功率驱动力，可能损坏或破坏产品的特性。

可见，晶振频率有误差，是一种常态，不能成为运行不稳定的借口。

在这个问题上，能够彻底解决问题的方法是改善软件。

请看下一节：如何设置时间中断。