原创 针对ECP/EC和XP器件的存储器使用指南连载之一

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介绍<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />

本技术文档讨论EC/ECP和XP系列器件的存储器用法。它的目标读者是那些在ispLEVER中使用集成了EBR和基于PFU的存储器的器件族的工程师。

ECP/EC和XP系列器件针对存储器密集应用提供了大量的资源。嵌入式RAM块（EBR）和基于PFU的分布式存储器互补。EBR用于构造单端口RAM，双端口RAM，准双端口RAM和ROM。LUTS和PFU可以实现分布式单端口RAM，双端口RAM和ROM。器件的内部逻辑可以用来配置如FIFO和其它类型的存储单元。

EBR RAM块和PFU RAM的容量在本文档的稍后将有介绍。设计者可以通过两种方法使用存储单元。

·通过Module Manager－模块管理器GUI允许使用者指定需要的存储器类型和大小。模块管理器通过构造一个网表来使用一个或多个存储单元实现需要的存储器。

·通过PMI（参数化的模块推论）－ PMI允许有经验的用户跳过图形接口，利用ispLEVER Project Navigator配置存储器模块。参数和需要的控制信号可以用VHDL或Verilog设置。顶层设计中定义参数和描述信号然后接口可以通过综合器自动产生黑盒子。

本文档接下来将讨论这些方法，如何利用模块管理器，PMI推论，存储器模块和存储器单元。

ECP/EC和XP器件中的存储器

ECP/EC和XP结构包含一个由可编程I/O单元（PICS）围绕着的称之为PFU或PFF的逻辑块阵列。它们散布在逻辑块行和嵌入式RAM块行之间，见图8-1，8-2和8-3。

PFU包含用于建立逻辑、分布式RAM和ROM的块。PFF提供用于建立不带分布式RAM的逻辑块。

本文档描述嵌入式存储器块（EBR）和由PFU构成的分布式RAM的用法和实现。要获知EBR和分布式RAM的硬件实现的细节请参考器件手册。

逻辑块在二维行列中排列如下图所示。EBR和分布式RAM的物理位置在图示行列中。分布式RAM，由于它是PFU资源的一部分，跟随着PFU/PFF行和列的标志。EBR占用每个块的2行。

图8-1 EC器件的块示意图

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图8-2 ECP的块示意图

图8-3 XP的块示意图