JFET可变电阻的仿真<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />
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以N沟道JFET为例,当栅源电压(绝对值)低于夹断电压(绝对值)时,JFET工作在可变电阻区,可以把它视为一个阻值受栅源电压控制的变阻器使用。栅源电压(绝对值)越大,沟道电阻越大。
原理图如下图1。
<?xml:namespace prefix = v ns = "urn:schemas-microsoft-com:vml" /><?xml:namespace prefix = w ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:word" />图1
当JFET工作在可变电阻区时,上图可等效为下图2:
图2
其中:R2 = f(Vgs),即沟道电阻。
设置瞬时分析:
分析时间长度:3ms
设置参数扫描分析:
参数:Vgs
参数范围:0 ~ -2.5v
步进:-0.5v
仿真得到Vd波形如下图3:
图3
设置电路性能分析,性能函数为:MAX(V(J1:d)/ID(J1))得到R2与Vgs的函数曲线如下图4所示:
图4
可见,Vgs 从0到-2.5v,R(ds)从130ohm变化到832ohm。
2008-8-19
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