原创 記憶體基本知識之一

介紹一些最新的RAM技術辭彙

　　CDRAM-Cached DRAM——快取記憶體記憶體 　　CVRAM-Cached VRAM——快取記憶體視頻記憶體 　　DRAM-Dynamic RAM——動態記憶體 　　EDRAM-Enhanced DRAM——增強型動態記憶體 　　EDO RAM-Extended Date Out RAM——外擴充資料模式記憶體 　　EDO SRAM-Extended Date Out SRAM——外擴充資料模式靜態記憶體 　　EDO VRAM-Extended Date Out VRAM——外擴充資料模式視頻記憶體 　　FPM-Fast Page Mode——快速頁模式 　　FRAM-Ferroelectric RAM——鐵電體記憶體 　　SDRAM-Synchronous DRAM——同步動態記憶體 　　SRAM-Static RAM——靜態記憶體 　　SVRAM-Synchronous VRAM——同步視頻記憶體 　　3D RAM-3 DIMESION RAM——3維視頻處理器專用記憶體 　　VRAM-Video RAM——視頻記憶體 　　WRAM-Windows RAM——視頻記憶體(圖形處理能力優於VRAM)　　MDRAM-MultiBank DRAM——多槽動態記憶體 　　SGRAM-Signal RAM——單口記憶體

記憶體有哪些主要技術指標 　　 記憶體是具有“記憶”功能的設備，它用具有兩種穩定狀態的物理器件來表示二進位數字碼 “0”和“1”，這種器件稱爲記憶元件或記憶單元。記憶元件可以是磁芯，半導體觸發器、 MOS電路或電容器等。 位元(bit)是二進位數字的最基本單位，也是記憶體存儲資訊的最小單位，8位元二進位數字稱爲一 個位元組(Byte)，可以由一個位元組或若干個位元組組成一個字(Word)在PC機中一般認爲1個或 2個位元組組成一個字。若干個憶記單元組成一個存儲單元，大量的存儲單元的集合組成一個 存儲體(MemoryBank)。 爲了區分存儲體內的存儲單元，必須將它們逐一進行編號，稱爲地址。位址與存儲單元之間 一一對應，且是存儲單元的唯一標誌。應注意存儲單元的位址和它裏面存放的內容完全是兩 回事。 　　 根據記憶體在電腦中處於不同的位置，可分爲主記憶體和輔助記憶體。在主機內部，直接 與CPU交換資訊的記憶體稱主記憶體或內記憶體。在執行期間，程式的資料放在主記憶體 內。各個存儲單元的內容可通過指令隨機讀寫訪問的記憶體稱爲隨機存取記憶體(RAM)。另 一種記憶體叫唯讀記憶體(ROM)，裏面存放一次性寫入的程式或資料，僅能隨機讀出。RAM 和ROM共同分享主記憶體的位址空間。RAM中存取的資料掉電後就會丟失，而掉電後ROM中 的資料可保持不變。 因爲結構、價格原因，主記憶體的容量受限。爲滿足計算的需要而採用了大容量的輔助存儲 器或稱外記憶體，如磁片、光碟等。 記憶體的特性由它的技術參數來描述。 　　存儲容量：記憶體可以容納的二進位信息量稱爲存儲容量。一般主記憶體(記憶體)容量在幾 十K到幾十M位元組左右；輔助記憶體(外存)在幾百K到幾千M位元組。

　　存取周期：記憶體的兩個基本操作爲讀出與寫入，是指將資訊在存儲單元與存儲寄存器 (MDR)之間進行讀寫。記憶體從接收讀出命令到被讀出資訊穩定在MDR的輸出端爲止的時間 間隔，稱爲取數時間TA；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱爲存儲周期TMC。半導 體記憶體的存取周期一般爲60ns-100ns。         記憶體的可靠性：記憶體的可靠性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解爲兩 次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，表示可靠性越高，即保持正確工作能力越強。         性能價格比：性能主要包括記憶體容量、存儲周期和可靠性三項內容。性能價格比是一個 綜合性指標，對於不同的記憶體有不同的要求。對於外記憶體，要求容量極大，而對緩衝存 儲器則要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個記憶體系統很重要的 指標。

SDARM能成爲下一代記憶體的主流嗎？      快頁模式(FPM)DRAM的黃金時代已經過去。隨著高效記憶體積體電路的出現和爲優化Pentium 晶片運行效能而設計的INTEL HX、VX等核心邏輯晶片組的支援，人們越來越傾向於採用擴 展資料輸出(EDO)DRAM。 EDO DRAM採用一種特殊的記憶體讀出電路控制邏輯，在讀寫一個位址單元時，同時啓動下一 個連續地址單元的讀寫周期。從而節省了重選位址的時間，使存儲匯流排的速率提高到 40MHz。也就是說，與快頁記憶體相比，記憶體性能提高了將近15%～30%，而其製造成本與快頁 記憶體相近。 但是EDO記憶體也只能輝煌一時，其稱霸市場的時間將極爲短暫。不久以後市場上主流CPU的 主頻將高達200MHz以上。爲優化處理器運行效能，匯流排時鐘頻率至少要達到66MHz以上。 多媒體應用程式以及Windows 95和Windows NT作業系統對記憶體的要求也越來越高，爲緩解 瓶頸，只有採用新的記憶體結構，以支援高速匯流排時鐘頻率，而不至於插入指令等待周期。這 樣，爲適應下一代主流CPU的需要，在理論上速度可與CPU頻率同步，與CPU共用一個時鐘 周期的同步DRAM(SYNCHRONOUS DRAMS)即SDRAM(注意和用作CACHE的SRAM區別，SRAM的全 寫是Static RAM即靜態RAM，速度雖快，但成本高，不適合做主存)應運而生，與其他記憶體 結構相比，性能\價格比最高，勢必將成爲記憶體發展的主流。    　  SDRAM基於雙存儲體結構，內含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲體或陣列訪問資料 的同時，另一個已準備好讀寫資料。通過兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率得到成倍提 高。去年推出的SDRAM最高速度可達100MHz，與中檔Pentium同步，存儲時間高達5～ 8ns，可將Pentium系統性能提高140%，與Pentium 100、133、166等每一檔次只能提高性 能百分之幾十的CPU相比，換用SDRAM似乎是更明智的升級策略。 在去年初許多DRAM生産廠家已開始上市4MB×4和2MB×8的16MB SDRAM記憶體條，但其成本 較高。現在每一個記憶體生産廠家都在擴建SDRAM生產線。預計到今年底和1998年初，隨著 6?M SDRAM記憶體條的大量上市，SDRAM將佔據主導地位。其價格也將大幅下降。     　 但是SDRAM的發展仍有許多困難要加以克服，其中之一便是主板核心邏輯晶片組的限制。VX 晶片組已開始支援168線SDRAM，但一般VX主板只有一條168線記憶體槽，最多可上32M SDRAM，而簡潔高效的HX主板則不支援SDRAM。預計下一代Pentium主板晶片組TX將更好 的支援SDRAM。Intel最新推出的下一代Pentium主板晶片組TX將更好的支援SDRAM。    　   SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡專用記憶體方面也有廣泛應用。對顯示卡來說，資料帶寬越 寬，同時處理的資料就越多，顯示的資訊就越多，顯示質量也就越高。以前用一種可同時進 行讀寫的雙埠視頻記憶體(VRAM)來提高帶寬，但這種記憶體成本高，應用受很大限制。因此在 一般顯示卡上，廉價的DRAM和高效的EDO DRAM應用很廣。但隨著6?位元顯示卡的上市，帶 寬已擴大到EDO DRAM所能達到的帶寬的極限，要達到更高的1600×1200的解析度，而又盡 量降低成本，就只能採用頻率達66MHz、高帶寬的SDRAM了。 SDRAM也將應用於共用記憶體結構(UMA)——一種集成主存和顯示記憶體的結構。這種結構在很 大程度上降低了系統成本，因爲許多高性能顯示卡價格高昂，就是因爲其專用顯示記憶體成本 極高，而UMA技術將利用主存作顯示記憶體，不再需要增加專門顯示記憶體，因而降低了成本。

什麽是Flash Memory 記憶體      　介紹關於閃速記憶體有關知識 近年來，發展很快的新型半導體記憶體是閃速記憶體(Flash Memory)。它的主要特點是在不 加電的情況下能長期保持存儲的資訊。就其本質而言，Flash Memory屬於EEPROM(電擦除可 編程唯讀記憶體)類型。它既有ROM的特點，又有很高的存取速度，而且易於擦除和重寫， 功耗很小。目前其集成度已達4MB，同時價格也有所下降。 由於Flash Memory的獨特優點，如在一些較新的主板上採用Flash ROM BIOS，會使得BIOS 升級非常方便。 Flash Memory可用作固態大容量記憶體。目前普遍使用的大容量記憶體仍爲硬碟。硬碟雖 有容量大和價格低的優點，但它是機電設備，有機械磨損，可靠性及耐用性相對較差，抗沖 擊、抗振動能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬碟的手段。由於Flash Memory集 成度不斷提高，價格降低，使其在便攜機上取代小容量硬碟已成爲可能。 目前研製的Flash Memory都符合PCMCIA標準，可以十分方便地用於各種攜帶型電腦中以 取代磁片。當前有兩種類型的PCMCIA卡，一種稱爲Flash記憶體卡，此卡中只有Flash Memory晶片組成的存儲體，在使用時還需要專門的軟體進行管理。另一種稱爲Flash驅動 卡，此卡中除Flash晶片外還有由微處理器和其他邏輯電路組成的控制電路。它們與IDE標 准相容，可在DOS下象硬碟一樣直接操作。因此也常把它們稱爲Flash固態盤。 Flash Memory不足之處仍然是容量還不夠大，價格還不夠便宜。因此主要用於要求可靠性 高，重量輕，但容量不大的攜帶型系統中。在586微機中已把BIOS系統駐留在Flash存儲 器中。