原创 SDRAM基础知识

SDRAM 同步DRAM

内存单元分成由行和列组成的二维阵列。
行是高地址位，
列是低地址位，
先选择行，再选择列。

访问内存单元需要两步，先寻找某个行的地址，再在选定的行中寻找特定列的地址。

DRAM读取具有破坏性，也就是说，在读操作中会破坏内存单元行中的数据。因此必须在该行上的读或写操作结束时，将行数据写回到同一行中。这一操作成为“预充电”，是行上的最后一项操作。必须完成这一操作后，才可以访问其它行。这一操作称为关闭打开的行。

DRAM的一个行称为内存页面，一旦打开行，您可以访问该行中多个顺序的或不同的列地址。这提高了内存访问速度，降低了内存时延，因为在访问同一个内存页面中的内存单元时，其不必把行地址重新发送给DRAM。结果，行地址是计算机的高阶地址位，列地址是低阶地址位。