原创 为什么晶体管的U(BR)CEO小于U(BR)CBO

2007-1-5 16:17 4684 0 5 分类: 模拟

为什么U(BR)CEO小于U(BR)CBO


三极管是由两个PN结构成,无论NPN还是PNP,其集电极和发射极均为高浓度掺杂,基区则是很薄的低掺杂


区,但为什么一般的U(BR)CEO小U(BR)CBO好几倍呢?
是不是这样理解:


发射极开路时,由于基极提供的载流子极其有限,,致使很难形成较大的电流,因此,为产生足够的载流


子,击穿所需要的电压就需要很高;
而基极开路时,由于基极本身很薄,集电极的电压突破集电结后,由于和发射结内部电场形成串联结构,


而发射极能够提供足够的载流子,一旦集电极突破集电结后,发射结的载流子就迅速漂移到集电极,形成


较大的电流,从而使得此时的CE间电压降低。


但是此时的基区是何状态呢?毕竟电流是要穿过基区,是不是基区的少子也会被复合一部分,剩下的全部


流向集电极,和三极管正常应用时的情况类似?


虽然都是很早就学习过的内容,可由于实际工作的重心不同,这些看似基本的内容,却似乎一直没有搞通



希望走过路过的朋友踊跃发言,不吝赐教阿.....

文章评论5条评论)

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phoenixbb_456459328 2009-2-20 17:26

好久没来了。。。 “更深的蓝”,不知道到底我们谁看错了,呵呵,小朋友MS有点浮躁啊,你可以看看童诗白老先生的模拟电子技术基础第三版,第34页!

phoenixbb_456459328 2007-1-22 10:41

To  cyud:

模电的确没有提及集电区浓度高于基区的表述,晶体管的结构特点是,发射区高掺杂,基区很薄且浓度低,集电结面积大。我想晶体管的U(BR)CEO小于U(BR)CBO的原因应该还是由于发射区载流子浓度引起的。你以为如何?

cyber_bug_200600947 2007-1-10 15:40

谁说集电集掺杂一定比基区高啊.GRAY的教材22页讲了这个问题.

cocappjj_256384531 2007-1-8 13:50

呵呵,写得挺好的。没想到还有人比我快呢:D

hongchao_tian_986578208 2007-1-5 20:02

不错/
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