原创 为什么晶体管的U(BR)CEO小于U(BR)CBO

为什么U(BR)CEO小于U(BR)CBO

三极管是由两个PN结构成，无论NPN还是PNP，其集电极和发射极均为高浓度掺杂，基区则是很薄的低掺杂

区，但为什么一般的U(BR)CEO小U(BR)CBO好几倍呢？
是不是这样理解：

发射极开路时，由于基极提供的载流子极其有限，，致使很难形成较大的电流，因此，为产生足够的载流

子，击穿所需要的电压就需要很高；
而基极开路时，由于基极本身很薄，集电极的电压突破集电结后，由于和发射结内部电场形成串联结构，

而发射极能够提供足够的载流子，一旦集电极突破集电结后，发射结的载流子就迅速漂移到集电极，形成

较大的电流，从而使得此时的CE间电压降低。

但是此时的基区是何状态呢？毕竟电流是要穿过基区，是不是基区的少子也会被复合一部分，剩下的全部

流向集电极，和三极管正常应用时的情况类似？

虽然都是很早就学习过的内容，可由于实际工作的重心不同，这些看似基本的内容，却似乎一直没有搞通

。

希望走过路过的朋友踊跃发言，不吝赐教阿.....