原创 开关功率MOS扫盲篇

2007-3-4 11:31 11183 8 21 分类: 模拟

    在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。
    下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。


1,MOS管种类和结构
   MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。
    至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。
   
    对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,也多以NMOS为主。


    MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,后边再详细介绍。
    在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。


2,MOS管导通特性
    导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。
    NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
    PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。


3,MOS开关管损失
    不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。


    MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越高,损失也越大。


    导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。


4,MOS管驱动
    跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。
    在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
    第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
 
    上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里,但在12V汽车电子系统里,一般4V导通就够用了。


    MOS管的驱动电路及其损失,可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细,所以不打算多写了。


5,MOS管应用电路
    MOS管最显著的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动,也有照明调光。
    这三种应用在各个领域都有详细的介绍,这里暂时不多写了。以后有时间再总结。
   


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文章评论13条评论)

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用户1616693 2011-7-30 23:09

正打算用,很有用~

用户1567315 2010-8-10 15:24

写的不错,深有体会。前几年还在疯狂的使用三极管,发现很多问题难以解决,这几年开始用MOS管。除了使用PMOS驱动麻烦外,NMOS还是好用的,尤其是开关频率高的驱动,损耗很大,波形失真大。一直想试做一套D类功放,发现PMOS驱动很恼火,功率加大后就不理想了!

用户319231 2007-9-23 17:54

我还想问问Vgs,Id,Vds,Ig如何测量,用示波器能探测到吗?

用户319231 2007-9-23 17:51

不错,写的很好。

用户1253980 2007-9-4 19:33

充放电的电流需要8A以上,这样的驱动器Microchip有。但是频率是13.56MHz,太高了,一般驱动器的延时就几十ns。不过这么高的频率是干什么用呢?

用户18617 2007-8-8 17:01

真不错

用户1072801 2007-7-25 09:25

请问驱动RFP450LC这样的MOS管,且信号为频率13.56MHz的方波,有什么好的方案,搞了很常时间,没搞定!该管的输入电容2000pF,我算了下,如果要让上升沿时间在3ns以内完成,瞬时充放电的电流需要8A以上,不知有什么好的方案?

用户103244 2007-4-25 10:38

写的很好。学习了。

用户32704 2007-3-21 08:46

受教了

用户395780 2007-3-19 16:05

嗯,了解 开关频率么?

 

 

几年前,曾为了寻找800k频率1A开关     而烦恼......

 

 

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