什么影响了SMPS的开关频率

开关电源中，当电感L、输出电容C_OUT、负载一定，且工作在稳态时，如果开关频率越小，则在每个充电阶段（或者是放电阶段），电感中的电流变化量越大（假定电流为连续状态），也就是电感中的纹波电流越大，则由于输出电容的ESR所引入的输出纹波电压越大。所以，为了得到稳定的、尽可能小的纹波的输出电压，我们一方面要选用有小的ESR的输出电容，另一方面就是提高开关频率。<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />

如果要得到一个直流输出电压，而这个输出电压的纹波电压要求一定，比如是5V±1%，那么，如果提高了开关电源的频率，就可以选用小一些的电感和输出电容，仍可达到相同的精度。从而可大大减小系统的体积，满足便携式产品的小型化要求。

　 所以，SMPS　IC中，开关频率是一个很重要的参数。而现在的SMPS　ICs中，开关频率并不是很高。那么开关频率还受什么影响呢？开关时间和开关管损耗，磁性元件的损耗等。

开关损耗

选择开关管，不论MOS管，还是BJT，都是存在开关损耗的。为了减小导通时开关管上的损耗，希望他们在导通时  CE(或DS)压降越小越好，所以BJT在导通时是工作在饱和状态，MOS工作在三极管区。管子面积越大，则导通压降就越小，但同时，BJT需要更大的驱动电流，MOS也引入了更大的栅极电容从而降低了开关速度。

同时，BJT在打开时，要向基极提供足够的少数载流子，建立足够的基极电位，才能够使管子饱和。在关断时，基极中多余的少数载流子也不能立刻消失，需要专门的电路让其快速的撤出基极或者复合掉。这些限制了BJT开关管的开关速度。MOS管的导通和关断也需要对栅电容充电或者放电，这限制了MOS管的开关速度。为了减小导通时的R_{ds(0n)  ，} 需要增加管子的面积，也就增加了栅电容，降低了开关速度。

MOS和BJT的不同在于，导通时，BJT要一直对基极提供电流，这就增加了电路驱动部分的功耗。输出电流越大，这个功耗也就越高。

MOS和BJT在打开或者关断时的电压、电流波形相似，如一个BUCK的SMPS中：

<?xml:namespace prefix = v ns = "urn:schemas-microsoft-com:vml" /> 

下面这图只用来说明功耗最大点的出现位置：(这幅图来源于<模拟版图艺术>一书，本用来说明二次击穿的，这里借用，来说明功耗最大点出现位置)

同时，开关时的损耗还应该包括对基极过量少子的处理，在关断时是通过加速电路把其抽出，以及复合掉；MOS管在关断时栅电容上电荷的放掉。可见，开关频率增加，开关损耗也增加。

至于孰优孰劣，何去何从，在这里不敢乱言，大家多交流。