原创 BJT与MOSFET速度对比

    问题：做开关电源，总遇到开关速度的问题。查到的资料讲，频率高于150K时，就应该用MOSFET，MOSFET的速度快，损耗小。但记得老师也讲过，BJT的速度要比MOSFET快。那到底是哪个快呢，哪理解错了呢？

    以下是个人理解，望各位补充：

    开关电源中，BJT是用在饱和区的，以减小导通损耗。在开、关时，不可避免地要面对少数载流子贮存问题。关断时，过量的少子要复合(或者从基区抽取出)，要占很多时间，造成很大的开关损耗。尤其是频率较高时，更是如此。MOSFET一般工作在三极管区，开关时的速度限制来自寄生电容的充放电时间。可以调整驱动电流大小来调整开关速度。

    学校学到的，不是针对开关管的。作为放大信号应用，BJT是工作在放大区的。那么，它寄生的电容小，截止频率就高，可以放大的信号带宽就大，所以通常说BJT的速度快。MOSFET寄生电容大，截止频率低，所以说“速度慢”。