原创 CCD与CMOS

2009-9-23 08:27 1469 4 4 分类: EDA/ IP/ 设计与制造
作者:    时间:2009-03-06    来源:52RD手机研发 
 
      

取代传统底片的数位感光元件 CCD 
    数位相机的风行,不仅创造出全新的摄影经验和器材使用哲学,同时随着电子元件应用和知识的 进步,直接或间接的必须了解和使用这些新名词。对于常常使用数位相机的人来说,这些名词可能已经耳熟能详了;然而,要将它们完全地认识清楚,甚至于解说明白恐怕也不是那么容易。Mr. OH! 数位讲座成立的目的之一,就是带领同学深入探讨这些数位影像新名词 和科技的来龙去脉,作为大家踏入数位影像的第一步,首先我们就从取代传统相机底片的电子光学元件CCD谈起:  


 


〈图:NikonD100 CCD 特写〉CCD 英文全名 Charge Coupled Device,感光耦合元件


    CCD(Charge Coupled Device ,感光耦合元件〉为数位相机中可记录光线变化的半导体,通常以百万像素〈megapixel〉 为单位。数位相机规格中的多少百万像素,指的就是CCD的解析度,也 代表着这台数位相机的 CCD 上有多少感光元件。 CCD 主要材质为硅晶半导体,基本原理类似 CASIO 计算机上的太阳能电池,透过光电效应,由感光元件表面感应来源光线,从而转换成储存电荷的能力。简单的说,当 CCD 表面接受到快门开启,镜头进来的光线照射时, 即会将光线的能量转换成电荷,光线越强、电荷也就越多,这些电荷就成为判断光线强弱大小的依据。CCD 元件上安排有通道线路,将这些电荷传输至放大解码原件,就能还原 所有CCD上感光元件产生的讯号,并构成了一幅完整的画面。此一特性,使得 CCD 通用在数位相机〈Digital Camera〉与扫瞄器〈Scanner〉上,作为目前最大宗之感光元件来源。


CMOS 英文全名 Complementary Metal-Oxide Semiconductor,互补性氧化金属半导体


    CMOS和CCD一样同为在数位相机中可记录光线变化的半导体 ,外观上几乎无分轩轾。但,CMOS的制造技术和CCD 不同,反而比较接近一般电脑晶片。CMOS 的材质主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体,使其在CMOS上共存着带N(带 ━ 电) 和 P(带 + 电)级的半导体,这两个互补效应所产生的电流即可被处理晶片纪录和解读成影像。然而,CMOS因为在画素的旁边就放置了讯号放大器,导致其缺点容易出现杂点 ,特别是处理快速变化的影像时,由于电流变化过于频繁而会产生过热的现象,更使得杂讯难以抑制。


    CMOS 对抗 CCD的优势在于成本低,耗电需求少, 便于制造, 可以与影像处理电路同处于一个晶片上。但由于上述的缺点,CMOS 只能在经济型的数位相机市场中生存。 不过,新一代 『Fill Factor CMOS』 成为解决这个难题的救星,Fill factor CMOS 属于此型感测器中最先进的制程技术。最大的差别在于提高 Fill Factor(单一画素中可吸收光的面积对整个画素的比例),有效做到提升敏感度、放大CMOS面积(全片幅)和降低杂讯的影响。再将 Fill Factor CMOS 与 CCD 感光器比较发现,CCD 受限于良率和结构制程,面积越小,画素越高,相对成本也就越低;Fill Factor CMOS 刚好相反,由于感光开口加大,FF CMOS 可以挑战更高画素,更大面积(全片幅),甚至就产出比例来说,FF CMOS 单一晶圆的附加价值更大。
   由于 Fill Factor CMOS 技术的特殊性,自身拥有晶圆生产设备的日本 Canon 可以说是最早体悟到 Fill Factor CMOS 的市场潜力。Canon EOS D30 是该公司最早选择以 FF CMOS当感光元件数位 DSLR 产品,低廉的价格颇受消费者支持。虽然,EOS D30的画质表现普通,不过,后续的研究整合了完整的图像处理引擎等,更高速且尖端的影像技术,今日,采用大画素、全片幅之 Fill Factor CMOS 已经成为主流,高阶旗舰级全片幅数位机身包括:Canon 1DsMarkII、Kodak DCS Pro/c 也全面采用 Fill factor CMOS。
 

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