原创芯片化学处理

 2009-11-25 14:28  1734 8 8 分类: 测试测量

类别	项目名称	注释	单位
层次去除	去层—passivation钝化层	SIO2、SI3N4	层
	去层—Metal金属层	Al	层
	去层—oxide氧化层	SIO2、SI3N4	层
	去层—poly	去除器件层以利染色或观察衬底	层
	去 polyimide	去除聚酰亚胺	颗
染色	阱染色/电阻染色	通过染色区分P-MOS、N-MOS或掺杂电阻 ( 因其透明而无法在光学显微镜下直接观察 )	颗
染色	码点染色	通过染色区分ROM区中以离子注入方式来代表的"0"和"1"	颗
取晶	取晶	去除封装, 将die完整取出.	颗
拍照	高解析度显微拍照	* 解析度0.25um, 无缝拼接, 1.2m宽幅照片输出 * 精确放大倍率, 图附微米标尺, 方便测量线宽	平方米
拍照	照片加印	冲洗多份照片	平方米
评估	概貌图及拍照评估	给出工艺参数评估报告： die size, 线宽, 建议拍照倍率, 概貌图	颗