原创 Nand Flash设计，搜了不少资料，发现都对坏块的处理讲解过少，现就我当前理解的说一下！

    最近做项目用到了三星的Nand Flash K9F4G08U，以前没有用过Nand，研究了几天的datasheet后，发现要真正做好Nand Flash的控制还是一件比较麻烦的事情。

    首先就是坏块（Invalid Block）的处理，初始情况下（出厂时），坏块被标记在每一个Block的Page0或1的2048列上，如果该地址的数据是0xff，那么可以证明该Block在出厂时（注意仅仅是出厂时，Flash的坏块会随着使用而慢慢增多）不是坏块，反之则是一个坏块，而且坏块的判断不能在芯片擦除后进行，因为坏块标记可能会被擦除（Datasheet上说的非常明确），在记录下来整个Flash的坏块信息后，就需要建立坏块映射表，查了不少资料，网上对于坏块处理的信息并不多，我做了如下的处理：

    将Flash划分为三个区，第一个区使用信息（包括坏块表，使用Block数目等，预留10个Block），第二个区为数据记录区，第三个区为坏块映射区（专用于替换坏块，为保留区，不能直接往里面写数据，为128个Block）。

        第一次使用时，读取Block0中Page0的资料（一次全部读出），如果Page0的0、1Byte不是'O'、'K'（自己建立的"使用头"标志）的话，那么就运行初始化坏块扫描程序，记录坏块的数目和坏块地址，并且为他们分配坏块映射区的地址（依次分配），并且将坏块信息以及被替换块信息分别保存到两个数组中，检查完后，得到了所有坏块的数目和坏块的映射信息以及最后一个被替换块（用以决定下次替换的地址），将他们格式化后，分别写入到使用信息记录区（Block0-9）中，如果发现Block0编程失败，那么擦除该块直接跳至下一个信息记录Block，直到成功写进去，或者Block0-9全部失败（那么标记整个Flash失效，因为连续10个Block在生命周期内全部失效的几率非常小，所以基本可以忽略~）至此，已经记录下了所有坏块信息、替换信息以及使用状况。
        初始信息写进去后，下次重新启动后，系统从Page0至Page9检查是否有头标志，检测到头标志后，继而将所有坏块信息以及实使用信息分别读取到Ram中去，在正常使用中，将要写的Block号在坏块信息数组中查询，如果有，则直接写入被替换的块中，如果发现此时被替换块也是坏块，那么直接读出最后被替换块的值，将此值写到替换表中，并将最后被替换块+1，直到找到合适的替换块，此时将之前坏块的有用信息全部写入到被替换块中，然后继续写入新的数据，最后更新坏块表及坏块信息，并写至使用信息Flash块中，至此，Flash坏块替换完毕。
       
        其次就是位交换问题了，Flash靠电荷储存来存储信息，当由于工艺问题造成某个位写入失败时，位交换发生，需要采用专用算法去校正，比较典型的算法就是ECC，专门用来校正Flash的单个位交换，这个问题我找了很多资料，现在知道了校验方式，但是整个校验看起来比较长，涉及到众多的移位以及异或运算，所以目前尚未加入到程序中，有兴趣的朋友们可以参考三星:
        http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/products/flash/downloads/applicationnote/eccalgo_040624.pdf
        以及
        http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/products/flash/downloads/applicationnote/samsung_new_ecc_for_512byte_256word.txt
       
        匆忙想出来的解决方法，写得也比较乱，肯定有很多大侠都研究过Nand Flash的，在下只想是抛砖引玉，希望更多朋友交流自己的经验。