原创 TL431的自激振荡

2010-4-21 17:24 5286 9 11 分类: 模拟

TL431的自激振荡<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />


这几天在图书馆看了一个日本人写的电路书,其中有关于TL431自激振荡的内容,我把它整理一下与大家分享,希望对大家在模拟技术学习旅途中有益处。


TL431的基本原理在这里我就不介绍了,大家可以找它的DATASHEET看看。



点击看大图


模拟电路设计中在很多地方都需要基准电源,比较常用的基准电压IC就是TL431,这个芯片很有利用价值。它的基准电压为2.495V,有55mV的纹波电压,足以满足一般的应用电路设计要求。



点击看大图TL431DATASHEET中可以看出TL431的带容性负载能力不是很好,当负载电容CL=0.01uF~5uF范围之内时就可能引发自激振荡。


按照那个日本人的说法,给出了两种处理这种自激振荡的方法,如下:




1



beed9266-6171-44d4-adec-605857c79415.jpg


对于容性负载值大于10uF来说,电路运作是没有问题的,至少从引发自激这一点来说是可靠的了。


2



da6bee0a-b31d-4ead-bca7-0a013d0a3727.jpg


这里RL的目的是防止振荡,因此TL431不能提供大电流了,带来的问题是带负载能力变弱了。所以,在这里还是加上跟随器比较好,有利于提高带负载的能力,虽然这里加了一个跟随器,成本有点高,但还是值得的。


 


 

文章评论2条评论)

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用户1528479 2010-5-10 21:35

谢谢!

用户1486214 2010-5-10 16:32

非常感谢您分享这些文章,受益匪浅呀!!
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用户1528479 2011-04-12 21:50
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