Numonyx主管技术开发的副总裁Paolo Cappelletti在欧洲宣布将于2010年的第一季度制造出1Gbit的相变存储器(PCM)样品,并且将在本年度的晚些时候实现量产。
我认为这是一件改变行业面貌的事件。无论Numonyx将如何执行这一看似激进的时间表,我期待这一公告将触发一些回应。
在此之前,三星(Samsuang)凭借着业界最高密度的512M相变存储器,具有着吹嘘的资本,我想我们将很快从它那里听到一些回应。三星和Numonyx已经达成了为相变存储器产品开发通用接口的协议。我认为三星会将Numonyx的这一公告视为“善意”的挑战,然后将在年中发布1G的样片。
Numonyx是英特尔(Intel)和意法半导体(ST)的合资公司,而三星是业界第二大的半导体厂商。因此,这两家如果都供应管脚和接口兼容的1G相变存储器将为相变存储器的发展营造出良好的氛围并且促进系统层设计者产生更加周密的设计。
在完全商业化实现之前,目前还有一些基本问题需要考虑。就像我们原来看到过的,存储器技术或接口的市场认可度不是由单一的参数决定,而是取决于许多因素如成本,性能特性等的。
评价一种新的存储器产品的最重要的一项因素之一就是针对单一应用的存储器控制器,它是实现存储器阵列的成本和性能特性达到预期平衡的通路。英特尔在控制器设计上的所展现的专业技术及其对于成功开发关键基础单元的兴趣将是确保必须的基础结构得以实现的优势。
无疑,Numonyx的公告极大地提升了新兴存储器技术的可实现性以及对于潜在市场价值的预估。
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