原创 功率管开关速度与电磁干扰

我经常做一些电机驱动的项目，功率从几十瓦到十千瓦，功率管的驱动电路基本上千篇一律，也没做过过多的考虑。一般功率管的驱动使用最经典的驱动方式，包括门极电阻，门极稳压管，吸收电容。

后来遇到一个项目，做一个两轮驱动的电动车，控制两台电机，每个电机1kW，电机驱动器是用分立的MOSFET搭的，采用自举的方式驱动。除了电机驱动器，车上还有控制电路，主要完成一些控制算法，同时还要通过串口和液晶屏通讯。

在刚开始调试的时候发现，电机转动起来以后液晶屏开始显示乱码，同时控制程序开始工作异常，因为这个，驱动器还烧了好多次。初步怀疑是电磁干扰所致，先是怀疑电机，但电机处于空载，电流不超过10A。后来向高手求救，才知道，原来是开关速度过快，开关管上的瞬时di/dt过大，产生严重的电磁干扰。于是将MOSFET的门极电阻改大，问题消失。

总结一下：

MOSFET的门极电阻会直接影响MOSFET的开关速度，一般资料里面介绍说为了减少MOSFET的开关损耗，开关速度越快越好，但在实际设计中，尤其是电机驱动器的设计中，产品需要考虑电磁兼容方面的设计，因为电机是感性负载，根据驱动负载的电流不同，这个开关速度不能过高，如果过高，MOSFET开关时产生的电磁干扰就越大，经过我多次试验，发现门极电阻的取值需要保证MOSFET开通速度不低于1微妙，根据这个原则选择门极电阻是比较理想的。

p.s. MOSFET的开关干扰不光会影响串口通讯，连CAN通讯也会受到影响，所以这个问题不容小视