原创 多摩川旋变解码芯片周边电路的搭建-下

四、        旋变信号输入电路

图4、旋变输入信号调理

1、  依上图4可知，

监控端口COSMNT或SINMNT的电压

（Upp为旋变S1/S3或S2/S4输入到芯片的电压峰峰值）…18

2、  依规格书，有

（通常取Umnt = 2Vpp）……………………………………………………………………………….19

3、  设旋变变压比为K，则有

Upp = K•Uref （同上，Uref为旋变励磁电压峰峰值）……………………..…………..…………………………20

4、  上图红色虚线框所示的RH,RL为直流偏置电阻，用于S1/S3及S2/S4的断线检测。其取值需满足

……………………………………………………………………………………………………21

…………………………………………………………………………………………………….22

其中，Vcom = 2.25V

5、  滤波电容Cn和Cc

Rin与Cn组成RC滤波器，其滤波时间……………..……….23

Cn取值不能过大，否则会影响信号电平。

         依使用惯例，Cc = 1nF

五、        实际电路应用及其计算

1、 旋变选型：

A、 选用多摩川“Singlsyn”系列，具体型号为TS2224N1012E102

通过查阅其规格书可知，该旋变阻抗Zro = 120Ω，变压比K = 0.286 ，极对数为4X ，推荐励磁信号为：AC 7Vrms @ 10KHz

B、 选用多摩川“Singlsyn”系列，具体型号为TS2673N262E27

通过查阅其规格书可知，该旋变阻抗Zro = 105Ω，变压比K = 0.23 ，极对数为2X ，推荐励磁信号为：AC 7Vrms @ 10KHz

2、 芯片周边电路参数计算

（1）       首先计算选用TS2224N1012E102时的电路参数。由于所选旋变推荐励磁信号为AC 7Vrms @ 10KHz，因此我们选择外部励磁电压峰峰值需为20Vpp

（），由此可知，推荐选用电源为：单电源24V或双电源±15V

本例中，我们选择的电源为：单电源+24V，则

Uref = 24Vpp

Upp = K•Uref = 6.864 Vpp

（2）       由4、5式，可取Rf = 100KΩ，Cf = 47pF

（3）       由6式，可得

（4）       由3式，可取Riext = 6.8Ω

将Riext、Iref、Rf代入7式，可得

Ri = 294.12KΩ，依常规电阻值，取Ri = 294KΩ

Ri代入2式，得，综合考虑取 Ci = 22nF

（5）       由21、22式，可取RH=RL=130KΩ

（6）       由23式，可取Cn = 10 pF

（7）       由18、19式，可得

Rin≥71.02KΩ，依常规电阻值，取Rin = 71.5KΩ

（8）       图3中红框所示“甲乙类互补对称功率放大电路”中的元件参数选型相关：

A、 用于消除交越失真的二极管选型（图3中的D6~D9）：首要考虑的是二极管的导通压降VF，VF须满足在静态时为三极管提供稍大于其门坎电压Uce的导通电压，使三极管始终处于导通状态，以此消除其交越失真。本例中选用二极管型号为1S1588，其导通压降VF = 1.0 V；

B、 如图3中所示偏置电阻Rb的取值应结合励磁电源进行，本例中电源为24V，Rb取值3.3KΩ；

C、 三极管选型（图3中的Q2~Q5）：首先上下臂须保持平衡，即要求Q2\Q3、Q4\Q5互为对管，且Q2与Q4相同，Q3与Q5相同，其余各元件也须保持对称对等。其次要考虑三极管的最大允许耗散功率Pom 。最后还要综合考虑的是三极管的VCE、VBE、VCB典型参数及极限参数。

本例中选用的是2SD880Y和2SB834Y。

另外，由于三极管耗散功率较大，故其发热现象较明显，实际使用中需考虑其散热性能。

（9）       同理，如果选用旋变TS2673N262E27（Zro=105Ω，K=0.23），综合上述可计算得出：

Upp = 5.52Vpp

Iref = 0.2286A

取Riext = 6.8Ω时，Ri = 257.32KΩ（实际可取261KΩ）

Rin≥57.02KΩ（实际可取57.6KΩ）

其余参数（如Ci、Cn、Cf等）可保持不变。

（10）   以上计算及其取值（理论值）仅供参考，实际使用中请据实际电路进行调试后确认。

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