原创 生长在石墨烯上的半导体将颠覆产业现状

挪威科技大学(Norwegian University of Science and Technology，NTNU)的研究人员已经研发出一种在石墨烯(graphene)上生长砷化镓 (GaAs)纳米线路的技术，并已申请专利准备商业化；该技术将可催生能整合进衣服或记事本等各种东西上的柔性、自供电(self-powered)电子元件。

研究人员相信，这种生长在石墨烯上的半导体终将成为新一代电子元件的基础，并彻底改变半导体产业。NTNU电子与电信科系教授Helge Weman表示，该校的专利复合材料能提供优异的光电特性：“我们已经在新研发的电极材料中成功结合低成本、透明度、柔性等特点。”他同时也是为了把研究成果商业化而成立的新公司CrayoNano之共同创办人暨技术长。

NTNU的研究成果最近刊登在美国研究期刊《Nano Letters》中，该专利技术是以分子束磊晶(molecular beam epitaxy)在仅有原子厚度的石墨烯上生长半导体纳米线。“我们并不是把这个技术视为一种新产品；”Weman指出：“这是半导体元件量产新方法的模板(template)，我们预期太阳能电池与LED会是未来该技术的优先应用。”

Weman也表示，NTNU所开发的技术能与目前IBM、Samsung等大厂所使用的量产设备“完美搭配”，这些半导体厂商也正在开发以石墨烯取代硅来制作电子元件的方法，以支援手机柔性触控荧幕等新应用：“我们能协助他们更容易升级消费性电子产品，而且达到设计无限制的程度。”

研究人员构想中的纳米线路太阳能电池，将具备高效率、廉价与柔性的特点；研究人员也预想新技术能用以制作自供电纳米机械，以及先进的石墨烯3D IC，或是可构成尺寸更小、更高效率电子元件的半导体纳米线路。Weman表示：“生长于石墨烯上的半导体可望成为新型态装置、系统的基础；藉由采用石墨烯作为适合更多应用的基板，也可能改变整个半导体产业。”

NTNU表示，此最新研究成果出自挪威研发委员会(Research Council of Norway)自2007年以来赞助的专案，这项技术已经申请专利，并且成立新公司CrayoNano。

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