MSP430的FLASH存储区可以按位，字节，字寻址并且可编程。FLASH 模块控制器有3个寄存器，一个定时发生器和一个电压产生器来提供编程和擦除的电压。FLASH的默认模式是读模式。
FLASH存储区可按为，字接，字写入，FLASH memory的特点：
1，Flash memory分为主存储区（main memory）和信息存储区（information memory）。主存储区分为n段（segment），每段为512bytes(因为MSP430F149的Flash memory为60KB+256 Byte即main memory为60KB,information memory为256 Byte)，MSP430f149的主存储区分为120段。信息存储区分为SegmentA和SegmentB，每段大小为128Bytes。
2，Segments 0-n 可以一步全部擦除也可以每段单独擦除。
3, Segments A和B可以单独擦除也可以和Segments 0-n一起擦除。
Flash模块的结构框图：
FALSH的时钟频率必须在257KHZ-476KHZ之间。
分频公式为 ：32*FN5 + 16*FN4 + 8*FN3 + 4*FN2 + 2*FN1 + FN0 + 1
FLASH模块寄存器：
FCTL1
FRKEY/FWKEY:安全密匙，读出096h，写入时必须是0A5h否则产生一个上电复位信号。
BLKWRT:按块写入模式。按块写时WRT必须置位。当EMEX置位时BLKWRT自动复位。
1：打开按块写模式；0，关闭按块写模式。
WRT:选择写模式。当EMEX置位时WRT自动复位。
1，打开写模式；0，关闭写模式。
MERAS,ERASE:选择擦除模式。
FCTL2：
FWKEYx：安全密匙，读出096h，写入时必须是0A5h否则产生一个上电复位信号。
FSSELx：FLASH控制器时钟源选择。
FNx：Flash控制器时钟分频。
FCTL3：
FWKEYx：安全密匙，读出096h，写入时必须是0A5h否则产生一个上电复位信号。
EMEX:紧急退出位。为1时，立即停止对Flash的操作。
LOCK:1，对Flash不能进行写和擦除操作。
WAIT:1，Flash模块已经准备好了下一次操作；0，没有准备好
ACCVIFG:1，有非法访问标志。
擦除：
所有的擦除过程都要用户先进行一个伪写入，指针指向要擦除段的受地址，用户写入数据。伪写入启动flash的定时发生器和擦除操作。当擦除整个过程完成时，BUSY,MERAS和ERASE会自动清零。MSP430F1xx的擦除操作时间是相同的，和擦除区的大小没有关系。
擦除操作时序图：
启动擦除的方式要看擦成程序在哪一块。
1，程序代码在Flash存储区中，CPU取出指令执行，CPU被悬停直到擦除操作完成flash唤醒CPU，然后CPU取出对应擦除指令下面的指令执行。这种擦除启动方式有可能将后续要执行的程序指令擦除，那擦除之后的CPU执行变不可预测了。
流程图：
2，代码从RAM中取得，CPU不会进入休眠状态。
写入：
1，字节/字写入和擦粗相似，可以从flash或RAM启动，CPU工作方式相同。
2，块写入，可加快flash编程速度。但是每次块写入时间不能超过累计编程时间（通常为4ms）。块写入代码只能从RAM中执行。
时序图：
流程图：
例程，写入Segment A,再将其复制到Segment B.
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