原创 如何选择高速板材(中)

2014-10-21 10:17 2385 27 32 分类: 消费电子

作者:一博科技 周伟

 

2.  PCB板材对高速信号电气性能影响

      众所周知,高速信号关注传输线损耗、阻抗及时延一致性,最后在接收端能接收到合适的波形及眼图,只要满足了上面几点要求,那么高速信号的问题就可以迎刃而解了。
      传输线损耗通常分为介质损耗、导体损耗和辐射损耗,介质损耗主要是由玻纤和树脂带来的,而导体损耗主要是由趋肤效应和表面粗糙度影响的,如下图7所示。

 4.jpg
图7

      下图8所示是我们通过微观切片所看到的PCB的截面结构,从图中可以看到信号线的表面是非常粗糙的(人为增加粘结性),以及构成PP的玻纤和树脂(玻纤和树脂的Dk/Df特性不一致),这些因素都会影响我们的高速信号电气性能。

5.jpg
图8

2.1  Dk&Df的影响
      Dk&Df在上面部分已经介绍过,介质损耗与Dk&Df有直接关系。下图9所示为几种材料在20GHz内每inch对应的损耗曲线,其中蓝色曲线为总体损耗,绿色曲线为介质损耗,红色曲线为导体(铜箔)损耗。

6.jpg
图9

      从上面图9可以看到由于导体是一样的,不同材料的导体损耗是相同的(红色曲线),但随着材料的损耗级别越低,介质损耗越小,介质损耗与总体损耗的占比也越小,在超低损耗材料的损耗曲线中,介质损耗甚至比导体损耗还小。
      如下图10和图11为几种常见材料的Dk/Df随频率和温度变化的曲线,为公正起见,没有将具体材料的型号列出,只有不同的材料代号。

7.jpg
图10
8.jpg
图11

     一般来说,我们要求Dk/Df越稳定越好,也就是说Dk/Df不随频率及温湿度(环境)变化影响太大,反应在图形上面即是图形的斜率越小越好,如果是水平的曲线那就是完美了。
      根据时延公式1可以知道,Dk越小传播时延也越小(传播速度快,需要的时间就小),同时Dk的变化率越小阻抗也越稳定,有利于阻抗的控制(公式2)。而从损耗公式(公式3)我们也可以知道Dk/Df越小(稳定),损耗也越小(稳定),稳定的材料参数可以在工程应用上更好的控制产品的性能。
如下图12所示为同样的12inch线长,使用上面不同损耗级别的材料所测得的损耗曲线,可知当在10GHz的时候,普通FR4(普通损耗级别)的损耗为-15dB,而如果使用TU(低损耗级别)的损耗仅-7.5dB,如果此时有个高速信号要求插损在10GHz的时候需要小于-12dB,那么使用普通FR4的材料就不能满足要求,必须使用损耗级别更低的材料。

 9.jpg
图12

2.2  铜箔表面粗糙度的影响
      如上图8所示的微观切片所示,铜箔的表面是比较粗糙的,而我们在设计或者仿真的时候通常是以光滑的表面为模型,如下图13所示。

 10.jpg
图13

      理想和现实是有差距的,这就是为什么我们经常认为自己的设计或者仿真结果是没有问题,但实际产品却有各种各样的问题,其中必然有很多细节是我们在设计或仿真时忽略掉了。
      下图14是几种常规的铜箔对表面粗糙度的定义,其中有STD(标准铜箔)、RTF(反转铜箔)和VLP/HVLP(低/超低表面粗糙度铜箔),可见不同的铜箔铜牙(粗糙度)相差明显。

 11.jpg
图14

      如下图15所示为普通铜箔与低表面粗糙度铜箔的切片放大图。

 12.jpg
图15

      从图中可以直接看出铜箔粗糙度(铜牙)使线路的宽度、线间距不均匀,从而影响阻抗的不可控,最后导致一系列的高速信号完整性问题,而低表面粗糙度的铜箔就不会导致类似问题。如下图16是对同样的材料不同的铜箔进行的仿真比较。

   13.jpg
图16

      从仿真结果可以看出在5GHz以下铜箔的影响不是太明显,但在5GHz以上铜箔的影响开始越来越大,所以我们在高速信号(尤其>10G)的设计和仿真中需要注意铜箔的影响。
2.3  玻纤布的影响
      目前主流的材料都是采用的“E-glass”,参照的IPC-4412A规范,本文也是主要针对的E-glass的玻纤介绍。常见玻纤的微观放大如下图17所示。

 14.jpg
图17

      从上图17可知不同的玻纤对应的编织粗细不一样,开窗和交织的厚度也不一样,如果信号分别布在开窗上和玻纤上所表现的特性(阻抗、时延、损耗)也不一样(开窗和玻纤Dk/Df特性不一样导致的),这就是玻纤效应。玻纤效应的影响主要表现在如下几种方式。
a、玻纤效应对阻抗的影响
      如下图18为同一叠层对应不同玻纤的阻抗测试结果,同样的3.5mil线宽,采用1080和3313的玻纤布,可知因为1080的开窗比较大,所测试的TDR阻抗曲线跳变比较大,阻抗不匹配比较严重。而采用3313玻纤的阻抗曲线比较平整,阻抗比较均匀。

15.jpg
图18

b、玻纤效应对时延的影响
      如下图19为一对差分信号在玻纤上的分布示意图,左下部分表示的是没有玻纤效应的影响,差分信号和共模信号完美,而右下角为有玻纤效应的影响,由于差分信号上的一根在玻纤上,另一根在开窗上,时延不一致造成了不同时到达,最终影响了差分信号和共模信号的正常接收。

 16.jpg
图19

c、玻纤效应对损耗的影响
      如下图20为不同损耗级别下的材料对应不同玻纤的损耗曲线。右边图示可知不管是中损耗的材料还是低损耗的材料,采用普通的玻纤(红色)比采用平织布玻纤(蓝色)的损耗都要大。

 17.jpg
图20

      综上我们在高速信号的设计上应该尽量避免玻纤效应的影响,常用的方法是采用一定角度走线或者在制板的时候让厂家旋转一定的角度(板材的利用率会有一定的下降);或者直接采用开窗比较小的开纤布或者平织布,此外用2层PP也可以适当的避免玻纤效应。

文章评论5条评论)

登录后参与讨论

用户1406868 2015-11-5 14:17

我买过我买过evo3d。只能说质量次价格高。反正我不会考虑再买任何反正我不会考虑再买任何htc产品。

自做自受 2015-11-5 10:58

半年前在商场无意中一眼看上一款手机很快决定买了。 型号是:htc one M8 EYE 因为最常用拍照,效果最佳!周围见到的手机还没有比得上的! 反而之前购买的iPhone4对我来说是100%质量不合格! 接下来遇到的是htc对照片的管理上不近适宜。 其他功能性能还没有遇到难以接受的问题。 说到未来,都会有未来,当努力,法自然。htc,加油!

用户1406868 2015-11-5 08:02

HTC卖得太贵,性价比特别低。所以出现真的太危险了。

hdapple_2000_877363590 2015-11-4 11:03

王也算是个悲情人物,VIA见证了PC的盛衰,HTC见证了CP的盛衰

用户1406868 2015-11-4 11:01

HTC的处境是比较危险了,但除了出卖自己,真没出路了吗?

taipeirayon_606615363 2015-11-4 09:31

存在就是真理.HTC的危機是所有廠商要面對的.對王雪紅而言賺錢不是主要考慮,信仰才是力量.英雄是要戰死在沙場上.她相信VR是希望就會奮不顧身投入,即使死在成功之前也不後悔.對於只有考慮賺錢的人是無法成大事的.

用户1678053 2015-11-4 08:44

看看

用户1454308 2015-11-4 07:43

Good

忆轻狂 2015-11-3 20:07

如果按照文章中这样的说法,HTC有危机,国产手机就只能是做低端的咯,就不能去做旗舰机了,这点不敢苟同。

另外,照片错了吧?

用户1631862 2014-11-5 14:59

To 白衣渡江 : 是的。互相学习 To Mike:谢谢主编支持!
相关推荐阅读
用户1631862 2016-06-20 18:25
SI与EMI(一)
Mark为期两天的EMC培训中大概分成四个时间差不多的部分,简单来说分别是SI、PI、回流、屏蔽。而在信号完整性的书籍中,也会把信号完整性 分为:1.信号自身传输的问题(反射,损耗);2.信号与信...
用户1631862 2016-06-06 18:34
EMC学习之电磁辐射
文 | 袁波   一博科技高速先生团队队员   我们在接触新鲜事物的时候,通常习惯用自己熟悉的知识去解释自己不熟悉 的事物。EMC知识更多的涉及到微波和射频,对于像我这种专注于信号完整性而...
用户1631862 2016-05-31 15:18
围殴EMC培训之开篇
前不久高速先生邀请美国著名EMC实战专家Mark I.Montrose进行了为期两天的培训,有不少来自全国各地的EMC爱好者或者希望了解EMC设计的工程师们也亲临现场参加了培训,我们的高速先生平 ...
用户1631862 2016-05-26 18:18
围殴拓扑和端接之终结篇
上篇文章把拓扑里面最常见的T型和Fly_by型拓扑简单的总结后,本期的围殴话题又该划上句号了,在此也感谢大家的一贯支持和意见,尤其是某些细 心的小伙伴们帮忙指出了中间的一些错误,当然还有我们勤劳得...
用户1631862 2016-05-23 13:52
FLY-BY拓扑,阻抗是怎么不连续的?
相比T拓扑,fly- by在传输较高速率信号时更占优势一些,当然fly-by也并不就是完美的,它自身也存在很多缺陷,例如使用fly-by,负载之间有延时差,导致信号不 能同时到达接收端。为解决这个...
用户1631862 2016-05-12 18:36
FLY-BY,你不可不知的两大布线细节(一)
作者听过这样一种说法,DDR的历史,就是一个SI技术变革的过程,说白了就是拓扑与端接之争。DDR2使用的是T拓扑,发展到DDR3,引入了全新的菊花 链—fly-by结构。使用fly-by并不完全因...
我要评论
5
27
关闭 站长推荐上一条 /2 下一条