原创 访问 - 90095, 产品 - 64, 新闻 - 20, 文章 - 40关于温补晶振的最新技术指标

4)OperatingTemperature工作温度范围:C  -20-+70℃  D  -40-+85℃  E  -55-+105℃

5)FrequencyStability温度频率稳定度:F ±0.28ppm G  ±0.5ppm  H  ±1.0ppm

                                    I  ±1.5ppm   J  ±2.0ppm   K ±2.5ppm

6)OutputWaveform输出波形: 1Sine 正弦波 2Hcmos 方波3 ClippedSine削峰正弦波

7)SupplyVoltage工作电压范围: L3.3V±10% M5.0V±10%

8)Ageing 频率老化率: ±1ppmmaximuminfirstyear,±3ppmmaximumfor10years

9)PhaseNoise相位噪声:

2.5MHz,3.2MHz,4.608MHz,4.096MHz,5MHz,5.12MHz,6.4MHz,6.5MHz,6.72996MHz,8.192MHz,
9.216MHz,10MHz,10.24MHz,12MHz,12.24MHz,12.288MHz,12.8MHz,13MHz,14.4MHz,

14.7456MHz,14.85MHz,16MHz,16.32MHz,16.368MHz,16.384MHz,16.8MHz,17MHz,

18.432MHz,19.2MHz,19.44MHz,19.68MHz,19.7985MHz,19.8MHz,20MHz,20.46MHz,20.48MHz,

20.82857MHz,24MHz,24.576MHz,25MHz,25.6MHz,26MHz,26.451788MHz,27MHz,29.952MHz,

32MHz,32.768MHz,33MHz,36.864MHz,38MHz,38.88MHz,40MHz,50MHz,61.44MHz,77.76MHz,
100MHz,120MHz,122.88MHz,140MHz,160MHz,180MHz,200MHz

温补晶振TCXO 10MHz ±0.5ppm, －40℃~+85℃,5.0V,sine输出,不带频率调整,封装SMD7×5×2mm

温补晶振TCXO 10MHz ±0.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5×2mm

温补晶振TCXO 10MHz ±0.5ppm, －40℃~+85℃,3.3V,sine输出,带频率调整,封装SMD7×5×2mm

温补晶振TCXO 10MHz ±0.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm

温补晶振TCXO 10MHz ±1.0ppm, －20℃~ +70℃, 3.3V, Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5×2mm

温补晶振TCXO 10MHz ±1.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm

温补晶振TCXO 10MHz ±2.0ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm

温补晶振TCXO 10MHz ±2.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm

温补晶振TCXO 10MHz ±1.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD5×3mm

温补晶振TCXO 10MHz ±2.0ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD5×3mm

温补晶振TCXO 10MHz ±2.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD5×3mm

温补晶振TCXO 10MHz ±1.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5mm

温补晶振TCXO 10MHz ±2.0ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5mm

温补晶振TCXO 10MHz ±2.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5mm

温补晶振TCXO 20MHz ±0.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5×2mm

温补晶振TCXO 20MHz ±0.5ppm, －40℃~+85℃,3.3V,sine输出,不带频率调整,封装SMD7×5×2mm

温补晶振TCXO 20MHz ±0.5ppm, －40℃~+85℃,3.3V,sine输出,带频率调整,封装SMD7×5×2mm

温补晶振TCXO 20MHz ±0.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm

温补晶振TCXO 20MHz ±1.0ppm, －20℃~ +70℃, 3.3V, Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5×2mm

温补晶振TCXO 20MHz ±1.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm

温补晶振TCXO 20MHz ±2.0ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm

温补晶振TCXO 20MHz ±2.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm

温补晶振TCXO20MHz ±1.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD5×3mm

温补晶振TCXO 20MHz ±2.0ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD5×3mm

温补晶振TCXO 20MHz ±2.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD5×3mm

温补晶振TCXO 20MHz ±1.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5mm

温补晶振TCXO 20MHz ±2.0ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5mm

温补晶振TCXO 20MHz ±2.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5mm

温补晶振TCXO 40MHz ±0.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5×2mm

温补晶振TCXO 40MHz ±0.5ppm, －40℃~+85℃,3.3V,sine输出,不带频率调整,封装SMD7×5×2mm

温补晶振TCXO 40MHz ±0.5ppm, －40℃~+85℃,3.3V,sine输出,带频率调整,封装SMD7×5×2mm

温补晶振TCXO 40MHz ±0.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm

温补晶振TCXO 40MHz ±1.0ppm, －20℃~ +70℃, 3.3V, Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5×2mm

温补晶振TCXO 40MHz ±1.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm

温补晶振TCXO 40MHz ±2.0ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm

温补晶振TCXO 40MHz ±2.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,clippedsine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm

温补晶振TCXO 40MHz ±1.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD5×3mm

温补晶振TCXO 40MHz ±2.0ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD5×3mm

温补晶振TCXO 40MHz ±2.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD5×3mm

温补晶振TCXO 40MHz ±1.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5mm

温补晶振TCXO 40MHz ±2.0ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD7×5mm

温补晶振TCXO 40MHz ±2.5ppm, －40℃~+85℃, 3.3V,Hcmos,带频率调整,封装SMD 7×5mm
 

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