原创 滤波器的选型思考(续2)

2007-3-31 23:56 4881 6 6 分类: 模拟

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滤波器的选型思考(续2)


下面原理性的东西是根据一些资料的总结:


声表面波—SAWSurface Acoustic Wave)就是在压电基片材料表面产生和传播、且振幅随深入基片材料的深度增加而迅速减少的弹性波。SAW滤波器的基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制作两个声电换能器——叉指换能器(IDT)。它采用半导体集成电路的平面工艺,在压电基片表面蒸镀一定厚度的铝膜,把设计好的两个IDT的掩膜图案,利用光刻方法沉积在基片表面,分别作为输入换能器和输出换能器。其工作原理是输入换能器将电信号变成声信号,沿晶体表面传播,输出换能器再将接收到的声信号变成电信号输出。


SAW滤波器的主要特点是设计灵活性大、模拟/数字兼容、群延迟时间偏差和频率选择性优良(可选频率范围为10MHz3GHz)、输入输出阻抗误差小、传输损耗小、抗电磁干扰(EMI)性能好、可靠性高、制作的器件体小量轻,其体积、重量分别是陶瓷介质滤波器的1/401/30左右,且能实现多种复杂的功能。SAW滤波器的特征和优点,适应了现代通信系统设备及便携式电话轻薄小型化和高频化、数字化、高性能、高可靠等方面的要求。其不足之处是所需基片材料的价格昂贵,对基片的定向、切割、研磨、抛光和制造工艺要求高。


SAW滤波器在抑制电子信息设备高次谐波、镜像信息、发射漏泄信号以及各类寄生杂波干扰等方面起到良好的作用,可以实现任意所需精度的幅频和相频特性的滤波,这是其它滤波器难以完成的。近年来国外已将SAW滤波器片式化,重量只有<?xml:namespace prefix = st1 ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:smarttags" />0.2g;另外,由于采用了新的晶体材料和最新的精细加工技术,使SAW器件上使用上限频率提高到2.5GHz3GHz。从而促使SAW滤波器在抗EMI领域获得更广泛的应用。


我记得大学时候用的生表面滤波器的通带差损约为20dB,它作为中频135M的滤波,滤波后要加两级放大来提高信号的功率。声表滤波器的差损相对一般的滤波器比较大,但是截止特性比较好,过渡带比较小。前一段时间问了结果公司作的指标,咨询了一个80M的。他们一般会告诉你3dB带宽是多少,40dB的带宽是多少。比如她告诉我3dB带宽是4M,40dB的带宽15M,也就是对应着通带为4M,通带内的差损<3dB,在偏离中心频率7.5M的衰减大于40dB。目前的声表滤波器的频率相对较低,一般都是M级的居多。个人感觉采用声表滤波器和LC的有缺点为:对于接收后级的中频滤波,窄带信号,批量化的产品,要求截止特性很好,后级有足够的增益的情况下可以考虑采用声表面波滤波器,因为后级的差损不会影响接收机的整体噪声系数,批量化的产品使得滤波器的成本很小,同时体积相对于其他的滤波器非常的小,中频的增益一般比较好作。但是如果遇到宽带的信号,声表面滤波器比较难作,当产品数量比较小时,调试LC滤波器需要的时间相对小,成本要低。


声表面波器件除了用作滤波器外还可以作为梳妆谱发生器,来产生低频信号的高次谐波。早期的声表面器件还广泛的用于雷达脉冲模拟的线性调频和脉冲压缩技术中。

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