原创 MOSFET设计要点1

         最近公司要搞开关电源，所以认真学习MOSFET驱动技术！！呵呵！！！功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源和整流器件用。设计笔记有以下几点吧：

一、首先看下MOSFET等效电路结构：

这个图很形象，表明你要征服的“对象”！

但是不幸的是，现在很多MOSFET管内部结构变得复杂了。如HEXFET结构：

这个应该最近比较流行的HEXFET结构，就像多个单FET管并联起来，以达到大电流，小封装目的。看看里面哪么多，说不易就会引起振荡。

二、开关N-MOSFET在没有接下拉电阻，在PWM上电时有可能使MOSFET导通。因为这是MOSFET寄生电容造成（如上两图说明）。如果用万用表测量Vg电位，会发现高于Vs电位。

三、驱动电阻大小会影响开关速度，驱动电阻越大，驱动越慢，损耗越高，但是好处就是由于电压改变率变慢，EMI也会变得平缓。驱动电阻越小，驱动越快，损耗越低，但是EMI问题突出。所以驱动电阻大小需要一个折衷方案。

四、驱动能力：对于一个理想脉冲驱动来说，即意味着具有无限大的驱动电流，可是现实由于内阻的原因，驱动电流是有限的。其驱动电流值=驱动电压/驱动内阻；驱动电流能力是一个很重要的参数，关乎能不能推动MOSFET管。

五、自举电路：为什么需要自举电路，因为，比如N-MOSFET，G极须相对于S极电位高才能导通。但是当你的主体电路结构（半桥，全桥/双管正激，双管反激）时，当高端MOSFET导通时，高端的MOSFET的S极电位跟D源几乎一样。会导致高端在开通后又关闭。所以须有自举电路才能完成完整的驱动过程。自举电路由自举电容与二极管组成，但须结合驱动IC来设计。

六、自举电路两器件参数设计：当选好自举电容后，须并一个低ESR电容来解藕，其电容值须满足2倍最小G电荷要求。受制于MOSFET管的栅极电容，开关工作频率，电平转换电荷要求，最后C=Q/U求出电容值。二极管选择：也须要满足功率驱动动端的电压（VRM)要求。Trr(max)一般为100ns， 前向电流值一般由自举电容/2*U*f求出。