原创 『整理』关于cycloneII开发板的几种存储器

摘要：关于cycloneII开发板上几种存储器的作用与联系

在FPGA开发板上除了内部onchip memory，都有几种不同的存储器，比如SDRAM，SRAM，FLASH，EPCS。

1.EPCS

        FPGA只是一个装载软核配置信息的一个工具，它是基于SRAM的查找表，上电的时候需要重新配置，因此一定需要一个配置芯片。 一般来说Altera公司Cyclone或者CycloneII系列FPGA相应的配置器件会选择EPCS系列串行FLASH。一般使用AS模式下载EPCS系列器件。但有时候可能遇到AS模式不能成功下载的案例，原理图以及PCB板都是按照推荐电路设计，这时候我们可以通过Flash Loader检验EPCS器件是否良好。即通过JTAG方式下载EPCS系列器件。如果这种方式还是不能进行正确的AS模式的下载的话，可能EPCS器件本身已经不能正常工作了，此时可以建议更换配置芯片了。

在AS模式下，由目标FPGA来主动输出控制和同步信号（包括配置始终）给Altera专用的串行配置芯片EPCS*。

2.FLASH

        属于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)，一种不挥发性（ Non-Volatile ）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。

        在FPGA开发板中一般用来存储应用程序（C程序等）。用户可以将程序或用户数据烧写入Flash，可以通过NiosII IDE中提供的工具“Flash Programmer”来实现，非常方便，当然也可以自己写代码来将数据烧写入Flash。

3.SDRAM

         SDRAM是易失性存储器，Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存取存储器，同步是指Memory工作需要步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM。

        SDRAM是多Bank结构，例如在一个具有两个Bank的SDRAM的模组中，其中一个Bank在进行预充电期间，另一个Bank却马上可以被读取，这样当进行一次读取后，又马上去读取已经预充电Bank的数据时，就无需等待而是可以直接读取了。这也就大大提高了存储器的访问速度。为了实现这个功能，SDRAM需要增加对多个Bank的管理，实现控制其中的Bank进行预充电。在一个具有两个以上Bank的SDRAM中，一般会多一根叫做BAn的引脚，用来实现在多个Bank之间的选择。

4.SRAM

        SRAM易失性存储器，是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。     

        一个SRAM中的位单元通常由4～6只晶体管组成，利用双稳态触发器来保存信息，当这个位单元被赋予0或1的状态之后，它会保持这个状态直到下次被赋予新的状态，或者断电之后才会更改或消失。SRAM的速度相对比较快，而且比较省电，但是存储1位的信息需要4～6只晶体管，制造成本较高。

        SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。