PROTEL模拟电路仿真时改变三极管的放大倍数、三极管的参数
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2014.9
PROTEL 99SE的仿真元件库,元件参数是在路径…\Design Explorer 99 SE\Library\Sim\Simulation Models.ddb文件中,可用PROTEL打开。可看到内部mdl文档就是。
比如三极管2N2222.mdl:
*2N2222 MCE 5-20-97 ――――――表示注解
*Ref: Motorola Small-Signal Device Databook, Q4/94 ――――――表示注解
*Si 400mW 30V 800mA 300MHz GenPurp pkg:TO-18 3,2,1 ――――――表示注解
.MODEL 2N2222 NPN (IS=81.2F NF=1 BF=195 VAF=98.6 IKF=0.48 ISE=53.7P NE=2 ――元件参数描述开始
+ BR=4 NR=1 VAR=20 IKR=0.72 RE=64.4M RB=0.258 RC=25.8M XTB=1.5
+ CJE=89.5P VJE=1.1 MJE=0.5 CJC=28.9P VJC=0.3 MJC=0.3 TF=530P TR=368N)
* Origin: Mcebjt.lib――――――表示注解
三极管的BF参数就是三极管电流放大倍数,可直接修改。
要改变三极管的BF参数,可以这样:
★方法一 修改Simulation Models.ddb文件
修改Simulation Models.ddb文件毕竟太麻烦。
★方法二 在仿真时模拟BF变化的情况
这样就不用修改Simulation Models.ddb文件了。
在仿真setup时,选中PARAMETER SWEEP,在PARAMETER中选中QXX[BF],即可对BF的起始值、终值、步长进行设置,就可以仿真出各个BF下的情况了。
注意:在实际用时,PROTEL 99SE需要安装ServicePack6,不然PARAMETER SWEEP时,选中了参数,但关了就失效了,仿真时出错!!安装了SP6就OK了!
附:摘的一些参数的解释,挺难理解的。
★三极管的各个参数解释:
Vaf=74.03 正向欧拉电压,正向厄利电压
VAR 反向厄利电压
Bf=255.9 正向电流放大系数,正向电流增益
Br=6.092 理想反向电流放大系数,反向电流增益
饱和电流ISM
Ise=14.34f B--E极间的泄漏饱和电流,饱和漏电流ISE
Isc=0 饱和漏电流ISC
Is=14.34f 反向饱和电流。
Xti=3 饱和电流的温度指数
Xtb=1.5 电流放大系数的温度系数
Eg=1.11 硅的带隙能量
发射系数NF
Ne=1.307 B--E极间的泄漏饱和发射系数
Nc=2 B--C间的泄漏发射系数
Ikf=.2847 正向BETA大电流时的滑动拐点,膝点电流IKF和IKR
Ikr=0 反向BETA(R)大电流时的滑动拐点
Rc=1 集电极电阻 集电极电阻RC:它是模拟晶体管有效集电区和集电极端子之间的电阻
发射极串联电阻RE:C极开路时,直接测量BE结的I-V特性曲线,得到导通时的曲线斜率即为RE。
Rb=10
Fc=.5 正向偏压时的耗尽电容系数
Tr=46.91n 反向渡越时间
Tf=411.1p 正向渡越时间
Itf=.6 正向渡越时间随VBE变化的参数
Vtf=1.7
Xtf=3 正向渡越时间随偏置变化的参数
CJC,CJE,VJC,VJE,MJC,MJE:这是几个主要的高频参数
Cjc=7.306p B-E结零偏压时的耗尽电容。
Cje=22.01p B-E结零偏压时的耗尽电容
Vjc=.75 B-C结内建电势
Vje=.75 B-E结内建电势
Mjc=.3416 B-C结指数因子
Mje=.377 B——E结指数因子
★二极管的各个参数解释:
Is:反向饱和电流
Rs:二极管内部串联电阻
N:发射系数
VJ: 内建电势 (V )
IBV反向击穿电流 (A)
BV反向击穿电压 (V)
M (梯度系数 )
FC(正偏耗尽层电容系数 )
CJ0(零偏结电容 单位: F)
TT: 渡越时间 ( sec), TT反映了二极管的开关速度
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