原创 关于场效应管的一些概念

  N沟道增强型MOSFET电路符号如上所示。图中垂直短划线表示未加栅压之前漏源之间无导电沟道。

              增强型FET概念：Vgs=0时没有导电沟道，而必须依靠栅源电压的作用才形成感生沟道的FET称为增强型FET

          开启电压VT：一般把在漏源电压作用下开始导电时的栅源电压Vgs叫做开启电压VT。

             栅源电压Vgs的值越大，则沟道电阻越小，导通电路越大。

             N沟道增强型MOS管输出特性曲线如下图：

         N沟道增强型MOSFET电路符号如上所示。图中垂直短划线表示未加栅压之前漏源之间有导电沟道。

         夹断电压Vp：如果所加栅源电压Vgs为负，则漏极电流减小。当Vgs为负电压到达某值时，沟道完全被夹断，这时即使有漏源电压VDS，也不会有漏极电流。此时的栅源电压Vgs称为夹断电压Vp。

           N沟道耗尽型MOS管输出特性曲线如下图：

     即N沟道耗尽型MOS管可在正和负的栅源电压下工作。

         对于P沟道的场效应管原理和N沟道一样。