原创 应广双核心单片机P221CS18

应广双核心单片机P221CS18
P221 系列
〓带ADC、LCD 控制
采用FPPATM技术双核心8 位单片机
1. 单片机特点
1.1 高性能RISC CPU 架构
〓内置2 个FPPATM处理单元
〓1Kx16 bits OTP 程序存储器
〓64 Bytes 数据存储器
〓提供95 条指令
〓除间接寻址模式外的所有指令都是单周期（1T）指令
〓跳转指令是单周期指令
〓弹性化的堆栈深度，可程序设定
〓提供数据与指令的直接、间接寻址模式
〓提供位（Bit）处理指令
〓所有的数据存储器都可当数据指针（index pointer）
〓程序代码保护功能
〓独立的IO 地址以及存储地址，方便程序开发
1.2 系统功能
〓时钟源：内部高频RC 振荡器、内部低頻RC 振荡器、外部晶振、外部RC 振荡器、外部时钟输入
〓内置低温飘的高频RC 振荡器 (IHR C)
〓内置上电复位和5 级低电压检测器（LVD）以确保可工作的电压
〓内置一个硬件16 位计数器
〓内置一个4 通道8 位分辨率 A/D 转换器
〓内置VDD/2 偏置电压产生器供液晶显示应用
〓最多提供4x11 点LCD 显示
〓15 个IO 引脚以及1 个输入引脚
工作频率 (晶振模式和内置高频RC 振荡模式)
DC ~ [email=16MHz@VDD≧4V]16MHz@VDD≧4V[/email]   DC ~ [email=8MHz@VDD≧3V]8MHz@VDD≧3V[/email]
DC ~ [email=4MHz@VDD≧2.5V]4MHz@VDD≧2.5V[/email]  DC ~ [email=1MHz@VDD≧2.2V]1MHz@VDD≧2.2V[/email]
工作电压：2.2V ~ 5.5V
工作温度：-40°C ~ 85°C

低功耗特性：
Ioperating ~ [email=1.2mA@1MIPS]1.2mA@1MIPS[/email], VDD=5.0V;  Ioperating ~ 10uA@ ILRC & VDD=3.3V
Istandby ~ [email=0.7uA@VDD=5.0V]0.7uA@VDD=5.0V[/email];     I standby ~ [email=0.3uA@VDD=3.3V]0.3uA@VDD=3.3V[/email]

封装类型: 
P221CS18: SOP18 (300mil)
P221CD18: DIP18 (300mil)