原创 N-channel MOSFET中的门电荷（Gate Charge）和C_gs, C_gd的问题

最近研究的一个模拟电路，里面涉及到了MOSFET开关从触发到闭合之间的延时问题。

在LTSPICE里面，MOSFET开关的模型主要有3个参数提供给我们比较，即V_ds, R_on和Cate C，其中R_on与Cate C的乘积反映了该开关的品质因数。一般来言，该乘积越小，品质因数越高。

一开始我考虑到Cate C与C_gs, C_gd是成正比关系的，Cate C的值越小，它们的值也越小，开关从触发到完全闭合之间过渡的时间也越短。

然而，本人无意中试了一款型号为IRFR120Z的模拟开关，它的Cate C很小，只有7nC，但是C_gs, C_gd却很大，分别是2.3nF和4.2nF。我用来触发该开关的电压信号是由一个10nF的电容提供的，所以导致该开关的延迟时间很大。

查看网上提供的数据手册，却发现里面没有给出C_gs, C_gd的具体值，所以也搞不清楚其与Cate C到底是什么关系。

不知有没有高手知道这种情况的，还望提供一些指点啊！