第一节 部分电气图形符号
一．电阻器、电容器、电感器和变压器
图形符号 | 名称与说明 | 图形符号 | 名称与说明 |
| 电阻器一般符号 | 电感器、线圈、绕组或扼流图。注：符号中半圆数不得少于3个 | ||
| 可变电阻器或可调电阻器 | 带磁芯、铁芯的电感器 | ||
| 滑动触点电位器 | 带磁芯连续可调的电感器 | ||
| 极性电容 | 双绕组变压器 注：可增加绕组数目 | ||
| 可变电容器或可调电容器 | 绕组间有屏蔽的双绕组变压器 注：可增加绕组数目 | ||
| 双联同调可变电容器。 注：可增加同调联数 | 在一个绕组上有抽头的变压器 | ||
| 微调电容器 |
二．半导体管
图形符号 | 名称与说明 | 图形符号 | 名称与说明 |
| 二极管的符号 | (1)(2) | JFET结型场效应管 (1)N沟道 (2)P沟道 | |
| 发光二极管 | |||
| 光电二极管 | PNP型晶体三极管 | ||
| 稳压二极管 | NPN型晶体三极管 | ||
| 变容二极管 | 全波桥式整流器 |
三．其它电气图形符号
图形符号 | 名称与说明 | 图形符号 | 名称与说明 |
| 具有两个电极的压电晶体注：电极数目可增加 | 或 | 接机壳或底板 | |
| 熔断器 | 导线的连接 | ||
| 指示灯及信号灯 | 导线的不连接 | ||
| 扬声器 | 动合(常开)触点开关 | ||
| 蜂鸣器 | 动断(常闭)触点开关 | ||
| 接大地 | 手动开关 |
第二节 常用电子元器件型号命名法及主要技术参数
一．电阻器和电位器1． 电阻器和电位器的型号命名方法表1 电阻器型号命名方法第一部分：主称 | 第二部分：材料 | 第三部分：特征分类 | 第四部分：序号 | ||||
符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | ||
电阻器 | 电位器 | ||||||
R | 电阻器 | T | 碳膜 | 1 | 普通 | 普通 | 对主称、材料相同，仅性能指标、尺寸大小有差别，但基本不影响互换使用的产品，给予同一序号；若性能指标、尺寸大小明显影响互换时，则在序号后面用大写字母作为区别代号。 |
W | 电位器 | H | 合成膜 | 2 | 普通 | 普通 | |
S | 有机实芯 | 3 | 超高频 | ―― | |||
N | 无机实芯 | 4 | 高阻 | ―― | |||
J | 金属膜 | 5 | 高温 | ―― | |||
Y | 氧化膜 | 6 | ―― | ―― | |||
C | 沉积膜 | 7 | 精密 | 精密 | |||
I | 玻璃釉膜 | 8 | 高压 | 特殊函数 | |||
P | 硼碳膜 | 9 | 特殊 | 特殊 | |||
U | 硅碳膜 | G | 高功率 | ―― | |||
X | 线绕 | T | 可调 | ―― | |||
M | 压敏 | W | ―― | 微调 | |||
G | 光敏 | D | ―― | 多圈 | |||
R | 热敏 | B | 温度补偿用 | ―― | |||
C | 温度测量用 | ―― | |||||
P | 旁热式 | ―― | |||||
W | 稳压式 | ―― | |||||
Z | 正温度系数 | ―― | |||||
表2 电阻器的功率等级
名称 | 额定功率（W） | |||||
实芯电阻器 | 0.25 | 0.5 | 1 | 2 | 5 | － |
线绕电阻器 | 0.5 25 | 1 35 | 2 50 | 6 75 | 10 100 | 15 150 |
薄膜电阻器 | 0.025 2 | 0.05 5 | 0.125 10 | 0.25 25 | 0.5 50 | 1 100 |
标称值系列 | 精度 | 电阻器（W）、电位器（W）、电容器标称值（PF） | |||||||
E24 | ±5% | 1.0 2.2 4.7 | 1.1 2.4 5.1 | 1.2 2.7 5.6 | 1.3 3.0 6.2 | 1.5 3.3 6.8 | 1.6 3.6 7.5 | 1.8 3.9 8.2 | 2.0 4.3 9.1 |
E12 | ±10% | 1.0 3.3 | 1.2 3.9 | 1.5 4.7 | 1.8 5.6 | 2.2 6.8 | 2.7 8.2 | － | － |
E6 | ±20% | 1.0 | 1.5 | 2.2 | 3.3 | 4.7 | 6.8 | 8.2 | － |
允许误差(%) | ±0.001 | ±0.002 | ±0.005 | ±0.01 | ±0.02 | ±0.05 | ±0.1 | |
等级符号 | E | X | Y | H | U | W | B | |
| 允许误差(%) | ±0.2 | ±0.5 | ±1 | ±2 | ±5 | ±10 | ±20 | |
| 等级符号 | C | D | F | G | J（I） | K（II） | M（III） |
表５
文字符号 | R | K | M | G | T |
表示单位 | 欧姆(W) | 千欧姆(103W) | 兆欧姆(106W) | 千兆欧姆(109W) | 兆兆欧姆(1012W) |
颜 色 | 第一位有效值 | 第二位有效值 | 倍 率 | 允 许 偏 差 |
黑 | 0 | 0 | ||
棕 | 1 | 1 | ||
红 | 2 | 2 | ||
橙 | 3 | 3 | ||
黄 | 4 | 4 | ||
绿 | 5 | 5 | ||
蓝 | 6 | 6 | ||
紫 | 7 | 7 | ||
灰 | 8 | 8 | ||
白 | 9 | 9 | ―20% ~ +50% | |
金 | 5% | |||
银 | 10% | |||
无色 | 20% |
图1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。例如，色环为棕黑红，表示10′102＝1.0kW±20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示15′103＝15kW±5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表示275′104＝2.75MW±1%的电阻器。 一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其它环的距离较远。较标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的（1.5~2）倍。 有些色环电阻器由于厂家生产不规范，无法用上面的特征判断，这时只能借助万用表判断。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值第三位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差
颜色 | 第一位有效值 | 第二位有效值 | 第三位有效值 | 倍 率 | 允许偏差 |
黑 | 0 | 0 | 0 | ||
棕 | 1 | 1 | 1 | 1% | |
红 | 2 | 2 | 2 | 2% | |
橙 | 3 | 3 | 3 | ||
黄 | 4 | 4 | 4 | ||
绿 | 5 | 5 | 5 | 0.5% | |
蓝 | 6 | 6 | 6 | 0.25 | |
紫 | 7 | 7 | 7 | 0.1% | |
灰 | 8 | 8 | 8 | ||
白 | 9 | 9 | 9 | ||
金 | |||||
银 |
表6 电容器型号命名法
| 第一部分：主称 | 第二部分： 材料 | 第三部分： 特征、分类 | 第四部分： 序号 | |||||||
符号 | 意 义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | |||||
瓷介 | 云母 | 玻璃 | 电解 | 其他 | ||||||
电 容 器 | C | 瓷介 | 1 | 圆片 | 非密封 | － | 箔式 | 非密封 | 对主称、材料相同，仅尺寸、性能指标略有不同，但基本不影响互使用的产品，给予同一序号；若尺寸性能指标的差别明显；影响互换使用时，则在序号后面用大写字母作为区别代号。 | |
Y | 云母 | 2 | 管形 | 非密封 | － | 箔式 | 非密封 | |||
I | 玻璃釉 | 3 | 迭片 | 密封 | － | 烧结粉固体 | 密封 | |||
O | 玻璃膜 | 4 | 独石 | 密封 | － | 烧结粉固体 | 密封 | |||
Z | 纸介 | 5 | 穿心 | － | － | － | 穿心 | |||
J | 金属化纸 | 6 | 支柱 | － | － | － | － | |||
B | 聚苯乙烯 | 7 | － | － | － | 无极性 | － | |||
L | 涤纶 | 8 | 高压 | 高压 | － | － | 高压 | |||
Q | 漆膜 | 9 | － | － | － | 特殊 | 特殊 | |||
S | 聚碳酸脂 | J | 金属膜 | |||||||
H | 复合介质 | W | 微调 | |||||||
D | 铝 | |||||||||
A | 钽 | |||||||||
N | 铌 | |||||||||
G | 合金 | |||||||||
T | 钛 | |||||||||
E | 其他 | |||||||||
表7
容许误差 | ±2% | ±5% | ±10% | ±20% | +20% -30% | +50% -20% | +100% -10% |
级别 | 0.2 | I | II | III | IV | V | VI |
系列代号 | E24 | E12 | E6 |
容许误差 | ±5%（I）或（J） | ±10%（II）或（K） | ±20%（III）或（m） |
标称容量对应值 | 10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,33,36,39,43,47,51,56,62,68,75,82,90 | 10,12,15,18,22,27,33,39,47,56,68,82 | 10,15,22,23,47,68 |
第一部分 | 第二部分 | 第三部分 | 第四部分 | 第五部分 | |||||
用数字表示器件电极的数目 | 用汉语拼音字母表示器件的材料和极性 | 用汉语拼音字母 表示器件的类型 | 用数字表示器件序号 | 用汉语拼音表示规格的区别代号 | |||||
符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | ||
2 3 | 二极管 三极管 | A B C D A B C D E | N型，锗材料 P型，锗材料 N型，硅材料 P型，硅材料 PNP型，锗材料 NPN型，锗材料 PNP型，硅材料 NPN型，硅材料 化合物材料 | P V W C Z L S N U K X G | 普通管 微波管 稳压管 参量管 整流管 整流堆 隧道管 阻尼管 光电器件 开关管 低频小功率管 （ ＜3MHz, PC<1W） 高频小功率管 （33MHz PC<1W） | D A T Y B J CS BT FH PIN JG | 低频大功率管 （ ＜3MHz, PC31W) 高频大功率管 （ 33MHz PC31W） 半导体闸流管 (可控硅整流器) 体效应器件 雪崩管 阶跃恢复管 场效应器件 半导体特殊器件 复合管 PIN型管 激光器件 | ||
第一部分 | 第二部分 | 第三部分 | 第四部分 | ||||||
用字母表示使用的材料 | 用字母表示类型及主要特性 | 用数字或字母加数字表示登记号 | 用字母对同一型号者分档 | ||||||
符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 |
A | 锗材料 | A | 检波、开关和混频二极管 | M | 封闭磁路中的霍尔元件 | 三 位 数 字 | 通用半导体器件的登记序号（同一类型器件使用同一登记号） | A B C D E L | 同一型号器件按某一参数进行分档的标志 |
B | 变容二极管 | P | 光敏元件 | ||||||
B | 硅材料 | C | 低频小功率三极管 | Q | 发光器件 | ||||
D | 低频大功率三极管 | R | 小功率可控硅 | ||||||
C | 砷化镓 | E | 隧道二极管 | S | 小功率开关管 | ||||
F | 高频小功率三极管 | T | 大功率可控硅 | 一 个 字 母 加 两 位 数 字 | 专用半导体器件的登记序号（同一类型器件使用同一登记号） | ||||
D | 锑化铟 | G | 复合器件 及其它器件 | U | 大功率开关管 | ||||
H | 磁敏二极管 | X | 倍增二极管 | ||||||
R | 复合材料 | K | 开放磁路中的霍尔元件 | Y | 整流二极管 | ||||
L | 高频大功率三极管 | Z | 稳压二极管即齐纳二极管 | ||||||
第一部分 | 第二部分 | 第三部分 | 第四部分 | 第五部分 | |||||
用符号表示 用途的类型 | 用数字表示 PN结的数目 | 美国电子工业协会(EIA)注册标志 | 美国电子工业协会(EIA)登记顺序号 | 用字母表示 器件分档 | |||||
符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 |
JAN或J | 军用品 | 1 | 二极管 | N | 该器件已在美国电子工业协会注册登记 | 多 位 数 字 | 该器件在美国电子工业协会登记的顺序号 | A B C D L | 同一型号的不同档别 |
2 | 三极管 | ||||||||
无 | 非军用品 | 3 | 三个PN结器件 | ||||||
n | n个PN结器件 | ||||||||
第一部分 | 第二部分 | 第三部分 | 第四部分 | 第五部分 | ||||||
用数字表示类型 或有效电极数 | S表示日本电子工业协会（EIAJ）的注册产品 | 用字母表示器件 的极性及类型 | 用数字表示在日本电子工业协会登记的顺序号 | 用字母表示 对原来型号 的改进产品 | ||||||
符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | |
0 | 光电(即光敏)二极管、晶体管及其组合管 | S | 表示已在日本电子工业协会(EIAJ)注册登记的半导体分立器件 | A | PNP型高频管 | 四位以上的数字 | 从11开始，表示在日本电子工业协会注册登记的顺序号，不同公司性能相同的器件可以使用同一顺序号，其数字越大越是近期产品 | ABCDEFLL | 用字母表示对原来型号的改进产品 | |
B | PNP型低频管 | |||||||||
C | NPN型高频管 | |||||||||
D | NPN型低频管 | |||||||||
1 | 二极管 | F | P控制极可控硅 | |||||||
2 | 三极管、具有两个以上PN结的其他晶体管 | G | N控制极可控硅 | |||||||
H | N基极单结晶体管 | |||||||||
J | P沟道场效应管 | |||||||||
K | N沟道场效应管 | |||||||||
3 LL | 具有四个有效电极或具有三个PN结的晶体管 | M | 双向可控硅 | |||||||
n-1 | 具有n个有效电极或具有n-1个PN结的晶体管 | |||||||||
类型 | 参数型号 | 最大整流电流/mA | 正向电流/mA | 正向压降(在左栏电流值下)/V | 反向击穿电压/V | 最高反向工作电压/V | 反向电流/mA | 零偏压电容/pF | 反向恢复时间/ns | |||||||
普通检波二极管 | 2AP9 | ￡16 | 32.5 | ￡1 | 340 | 20 | ￡250 | ￡1 | fH(MHz)150 | |||||||
| 2AP7 | 35 | 3150 | 100 | |||||||||||||
| 2AP11 | ￡25 | 310 | ￡1 | ￡10 | ￡250 | ￡1 | fH(MHz)40 | |||||||||
| 2AP17 | ￡15 | 310 | ￡100 | |||||||||||||
锗开关二极管 | 2AK1 | 3150 | ￡1 | 30 | 10 | ￡3 | ￡200 | |||||||||
| 2AK2 | 40 | 20 | ||||||||||||||
| 2AK5 | 3200 | ￡0.9 | 60 | 40 | ￡2 | ￡150 | ||||||||||
| 2AK10 | 310 | ￡1 | 70 | 50 | ￡2 | ￡150 | ||||||||||
| 2AK13 | 3250 | ￡0.7 | 60 | 40 | ||||||||||||
| 2AK14 | 70 | 50 | ||||||||||||||
硅开关二极管 | 2CK70A~E | 310 | ￡0.8 | A330 B345 C360 D375 E390 | A320 B330 C340 D350 E360 | ￡1.5 | ￡3 | |||||||||
| 2CK71A~E | 320 | ￡4 | ||||||||||||||
| 2CK72A~E | 330 | ￡1 | ￡5 | |||||||||||||
| 2CK73A~E | 350 | ￡1 | ||||||||||||||
| 2CK74A~D | 3100 | |||||||||||||||
| 2CK75A~D | 3150 | |||||||||||||||
| 2CK76A~D | 3200 | |||||||||||||||
类型 | 参数型号 | 最大整流电流/mA | 正向电流/mA | 正向压降(在左栏电流值下)/V | 反向击穿电压/V | 最高反向工作电压/V | 反向电流/mA | 零偏压电容/pF | 反向恢复时间/ns | |||||||
整流二极管 | 2CZ52BL H | 2 | 0.1 | ￡1 | 25 L 600 | 同2AP普通二极管 | ||||||||||
| 2CZ53BL M | 6 | 0.3 | ￡1 | 50 L 1000 | ||||||||||||
| 2CZ54BL M | 10 | 0.5 | ￡1 | 50 L 1000 | ||||||||||||
| 2CZ55BL M | 20 | 1 | ￡1 | 50 L 1000 | ||||||||||||
| 2CZ56BL B | 65 | 3 | ￡0.8 | 25 L 1000 | ||||||||||||
| 1N4001L 4007 | 30 | 1 | 1.1 | 50 L 1000 | 5 | |||||||||||
| 1N5391L 5399 | 50 | 1.5 | 1.4 | 50 L 1000 | 10 | |||||||||||
| 1N5400L 5408 | 200 | 3 | 1.2 | 50 L 1000 | 10 | |||||||||||
表14 几种单相桥式整流器的参数
| 参数型号 | 不重复正向浪涌电流/A | 整流 电流/A | 正向电压降/V | 反向漏电/mA | 反向工作电压/V | 最高工作 结温/oC |
QL1 | 1 | 0.05 | ￡1.2 | ￡10 | 常见的分档为：25，50，100，200，400，500，600，700，800，900，1000 | 130 |
QL2 | 2 | 0.1 | ||||
QL4 | 6 | 0.3 | ||||
QL5 | 10 | 0.5 | ||||
QL6 | 20 | 1 | ||||
QL7 | 40 | 2 | ￡15 | |||
QL8 | 60 | 3 |
表15 部分稳压二极管的主要参数
| 测试条件参型 数号 | 工作电流为稳定电流 | 稳定电压下 | 环境温度<50oC | 稳定电流下 | 稳定电流下 | 环境温度＜10oC | |
稳定电压 /V | 稳定电流/mA | 最大稳定电流/mA | 反向漏电流 | 动态电阻/W | 电压温度系数/10-4/oC | 最大耗散功率/W | |
2CW51 | 2.5~3.5 | 10 | 71 | ￡5 | ￡60 | 3-9 | 0.25 |
2CW52 | 3.2~4.5 | 55 | ￡2 | ￡70 | 3-8 | ||
2CW53 | 4~5.8 | 41 | ￡1 | ￡50 | -6~4 | ||
2CW54 | 5.5~6.5 | 38 | ￡0.5 | ￡30 | -3~5 | ||
2CW56 | 7~8.8 | 27 | ￡15 | ￡7 | |||
2CW57 | 8.5~9.8 | 26 | ￡20 | ￡8 | |||
2CW59 | 10~11.8 | 5 | 20 | ￡30 | ￡9 | ||
2CW60 | 11.5~12.5 | 19 | ￡40 | ￡9 | |||
2CW103 | 4~5.8 | 50 | 165 | ￡1 | ￡20 | -6~4 | 1 |
2CW110 | 11.5~12.5 | 20 | 76 | ￡0.5 | ￡20 | ￡9 | |
2CW113 | 16~19 | 10 | 52 | ￡0.5 | ￡40 | ￡11 | |
2CW1A | 5 | 30 | 240 | ￡20 | 1 | ||
2CW6C | 15 | 30 | 70 | ￡8 | 1 | ||
2CW7C | 6.0~6.5 | 10 | 30 | ￡10 | 0.05 | 0.2 |
表16 3AX51(3AX31)型半导体三极管的参数
原 型 号 | 3AX31 | 测 试 条 件 | ||||
新 型 号 | 3AX51A | 3AX51B | 3AX51C | 3AX51D | ||
极限参数 | PCM(mW) | 100 | 100 | 100 | 100 | Ta＝25oC |
ICM(mA) | 100 | 100 | 100 | 100 | ||
TjM(oC) | 75 | 75 | 75 | 75 | ||
BVCBO(V) | 330 | 330 | 330 | 330 | IC＝1mA | |
BVCEO(V) | 312 | 312 | 318 | 324 | IC＝1mA | |
直流参数 | ICBO(mA) | ￡12 | ￡12 | ￡12 | ￡12 | VCB＝-10V |
ICEO(mA) | ￡500 | ￡500 | ￡300 | ￡300 | VCE＝-6V | |
IEBO(mA) | ￡12 | ￡12 | ￡12 | ￡12 | VEB＝-6V | |
hFE | 40~150 | 40~150 | 30~100 | 25~70 | VCE＝-1V IC＝50mA | |
交流参数 | fa(kHz) | 3500 | 3500 | 3500 | 3500 | VCB＝-6V IE＝1mA |
NF(dB) | － | ￡8 | － | － | VCB＝-2V IE＝0.5mA f＝1kHz | |
hie(kW) | 0.6~4.5 | 0.6~4.5 | 0.6~4.5 | 0.6~4.5 | VCB＝-6V IE＝1mA f＝1kHz | |
hre(′10) | ￡2.2 | ￡2.2 | ￡2.2 | ￡2.2 | ||
hoe(ms) | ￡80 | ￡80 | ￡80 | ￡80 | ||
hfe | － | － | － | － | ||
hFE色标分档 | (红)25~60；(绿)50~100；(蓝)90~150 | |||||
管 脚 | BE C | |||||
表17 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数
型 号 | 3AX81A | 3AX81B | 测 试 条 件 | |
极限参数 | PCM(mW) | 200 | 200 | |
ICM(mA) | 200 | 200 | ||
TjM(oC) | 75 | 75 | ||
BVCBO(V) | -20 | -30 | IC＝4mA | |
BVCEO(V) | -10 | -15 | IC＝4mA | |
BVEBO(V) | -7 | -10 | IE＝4mA | |
直流参数 | ICBO(mA) | ￡30 | ￡15 | VCB＝-6V |
ICEO(mA) | ￡1000 | ￡700 | VCE＝-6V | |
IEBO(mA) | ￡30 | ￡15 | VEB＝-6V | |
VBES(V) | ￡0.6 | ￡0.6 | VCE＝-1V IC＝175mA | |
VCES(V) | ￡0.65 | ￡0.65 | VCE＝VBE VCB＝0 IC＝200mA | |
hFE | 40~270 | 40~270 | VCE＝-1V IC＝175mA | |
交 流 参 数 | fb(kHz) | 36 | 38 | VCB＝-6V IE＝10mA |
hFE色标分档 | (黄)40~55 (绿)55~80 (蓝)80~120 (紫)120~180 (灰)180~270 (白)270~400 | |||
管 脚 | BE C | |||
表18 3BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数
型 号 | 3BX31M | 3BX31A | 3BX31B | 3BX31C | 测 试 条 件 | |
极限参数 | PCM(mW) | 125 | 125 | 125 | 125 | Ta=25oC |
ICM(mA) | 125 | 125 | 125 | 125 | ||
TjM(oC) | 75 | 75 | 75 | 75 | ||
BVCBO(V) | -15 | -20 | -30 | -40 | IC＝1mA | |
BVCEO(V) | -6 | -12 | -18 | -24 | IC＝2mA | |
BVEBO(V) | -6 | -10 | -10 | -10 | IE＝1mA | |
直流参数 | ICBO(mA) | ￡25 | ￡20 | ￡12 | ￡6 | VCB＝6V |
ICEO(mA) | ￡1000 | ￡800 | ￡600 | ￡400 | VCE＝6V | |
IEBO(mA) | ￡25 | ￡20 | ￡12 | ￡6 | VEB＝6V | |
VBES(V) | ￡0.6 | ￡0.6 | ￡0.6 | ￡0.6 | VCE＝6V IC＝100mA | |
VCES(V) | ￡0.65 | ￡0.65 | ￡0.65 | ￡0.65 | VCE＝VBE VCB＝0 IC＝125mA | |
hFE | 80~400 | 40~180 | 40~180 | 40~180 | VCE＝1V IC＝100mA | |
交 流 参 数 | fb(kHz) | － | － | 38 | fa3465 | VCB＝-6V IE＝10mA |
hFE色标分档 | (黄)40~55 (绿)55~80 (蓝)80~120 (紫)120~180 (灰)180~270 (白)270~400 | |||||
管 脚 | BE C | |||||
表19 3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数
原 型 号 | 3DG6 | 测 试 条 件 | ||||
新 型 号 | 3DG100A | 3DG100B | 3DG100C | 3DG100D | ||
极限参数 | PCM(mW) | 100 | 100 | 100 | 100 | |
| ICM(mA) | 20 | 20 | 20 | 20 | ||
| BVCBO(V) | 330 | 340 | 330 | 340 | IC＝100μA | |
| BVCEO(V) | 320 | 330 | 320 | 330 | IC＝100μA | |
| BVEBO(V) | 34 | 34 | 34 | 34 | IE＝100mA | |
直流参数 | ICBO(mA) | ￡0.01 | ￡0.01 | ￡0.01 | ￡0.01 | VCB＝10V |
| ICEO(mA) | ￡0.1 | ￡0.1 | ￡0.1 | ￡0.1 | VCE＝10V | |
| IEBO(mA) | ￡0.01 | ￡0.01 | ￡0.01 | ￡0.01 | VEB＝1.5V | |
| VBES(V) | ￡1 | ￡1 | ￡1 | ￡1 | IC＝10mA IB＝1mA | |
| VCES(V) | ￡1 | ￡1 | ￡1 | ￡1 | IC＝10mA IB＝1mA | |
| hFE | 330 | 330 | 330 | 330 | VCE＝10V IC＝3mA | |
交流参数 | fT(MHz) | 3150 | 3150 | 3300 | 3300 | VCB＝10V IE＝3mA f＝100MHz RL＝5W |
| KP(dB) | 37 | 37 | 37 | 37 | VCB＝-6V IE＝3mA f＝100MHz | |
| Cob(pF) | ￡4 | ￡4 | ￡4 | ￡4 | VCB＝10V IE＝0 | |
hFE色标分档 | (红)30~60 (绿)50~110 (蓝)90~160 (白)>150 | |||||
管 脚 | BE C | |||||
表20 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数
原 型 号 | 3DG12 | 测 试 条 件 | ||||
新 型 号 | 3DG130A | 3DG130B | 3DG130C | 3DG130D | ||
极限参数 | PCM(mW) | 700 | 700 | 700 | 700 | |
ICM(mA) | 300 | 300 | 300 | 300 | ||
BVCBO(V) | 3 40 | 3 60 | 3 40 | 3 60 | IC＝100μA | |
BVCEO(V) | 3 30 | 3 45 | 3 30 | 3 45 | IC＝100μA | |
BVEBO(V) | 3 4 | 3 4 | 3 4 | 3 4 | IE＝100mA | |
直流参数 | ICBO(mA) | ￡ 0.5 | ￡ 0.5 | ￡ 0.5 | ￡ 0.5 | VCB＝10V |
ICEO(mA) | ￡ 1 | ￡ 1 | ￡ 1 | ￡ 1 | VCE＝10V | |
IEBO(mA) | ￡ 0.5 | ￡ 0.5 | ￡ 0.5 | ￡ 0.5 | VEB＝1.5V | |
VBES(V) | ￡ 1 | ￡ 1 | ￡ 1 | ￡ 1 | IC＝100mA IB＝10mA | |
VCES(V) | ￡ 0.6 | ￡ 0.6 | ￡ 0.6 | ￡ 0.6 | IC＝100mA IB＝10mA | |
hFE | 330 | 3 30 | 3 30 | 3 30 | VCE＝10V IC＝50mA | |
交流参数 | fT(MHz) | 3 150 | 3 150 | 3 300 | 3 300 | VCB＝10V IE＝50mA f＝100MHz RL＝5W |
KP(dB) | 3 6 | 3 6 | 3 6 | 3 6 | VCB＝–10V IE＝50mA f＝100MHz | |
Cob(pF) | ￡ 10 | ￡ 10 | ￡ 10 | ￡ 10 | VCB＝10V IE＝0 | |
hFE色标分档 | (红)30~60 (绿)50~110 (蓝)90~160 (白)>150 | |||||
管 脚 | BE C | |||||
表21 9011~9018塑封硅三极管的参数
型 号 | (3DG) 9011 | (3CX) 9012 | (3DX) 9013 | (3DG) 9014 | (3CG) 9015 | (3DG) 9016 | (3DG) 9018 | |
极限参数 | PCM(mW) | 200 | 300 | 300 | 300 | 300 | 200 | 200 |
ICM(mA) | 20 | 300 | 300 | 100 | 100 | 25 | 20 | |
BVCBO(V) | 20 | 20 | 20 | 25 | 25 | 25 | 30 | |
BVCEO(V) | 18 | 18 | 18 | 20 | 20 | 20 | 20 | |
BVEBO(V) | 5 | 5 | 5 | 4 | 4 | 4 | 4 | |
直流参数 | ICBO(mA) | 0.01 | 0.5 | 0,5 | 0.05 | 0.05 | 0.05 | 0.05 |
ICEO(mA) | 0.1 | 1 | 1 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | |
IEBO(mA) | 0.01 | 0.5 | 0,5 | 0.05 | 0.05 | 0.05 | 0.05 | |
VCES(V) | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.35 | |
VBES(V) | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | ||
hFE | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | |
交流参数 | fT(MHz) | 100 | 80 | 80 | 500 | 600 | ||
Cob(pF) | 3.5 | 2.5 | 4 | 1.6 | 4 | |||
KP(dB) | 10 | |||||||
hFE色标分档 | (红)30~60 (绿)50~110 (蓝)90~160 (白)>150 | |||||||
管 脚 | E B C | |||||||
参数名称 | N沟道结型 | MOS型N沟道耗尽型 | |||||
3DJ2 | 3DJ4 | 3DJ6 | 3DJ7 | 3D01 | 3D02 | 3D04 | |
D~H | D~H | D~H | D~H | D~H | D~H | D~H | |
饱和漏源电流IDSS(mA) | 0.3~10 | 0.3~10 | 0.3~10 | 0.35~1.8 | 0.35~10 | 0.35~25 | 0.35~10.5 |
夹断电压VGS(V) | <?1~9? | <?1~9? | <?1~9? | <?1~9? | ￡?1~9? | ￡?1~9? | ￡?1~9? |
正向跨导gm(mV) | >2000 | >2000 | >1000 | >3000 | 31000 | 34000 | 32000 |
最大漏源电压BVDS(V) | >20 | >20 | >20 | >20 | >20 | >12~20 | >20 |
最大耗散功率PDNI(mW) | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 25~100 | 100 |
栅源绝缘电阻rGS(W) | 3108 | 3108 | 3108 | 3108 | 3108 | 3108~109 | 3100 |
管脚 | G D 或 S D S G | ||||||
第0部分 | 第一部分 | 第二部分 | 第三部分 | 第四部分 | ||||
用字母表示器件符合国家标准 | 用字母表示器件的类型 | 用阿拉伯数字表示器件的系列和品种代号 | 用字母表示器件的工作温度范围 | 用字母表示器件的封装 | ||||
符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | |
C | 中国制造 | T | TTL | C | 0~70oC | W | 陶瓷扁平 | |
H | HTL | E | -40~85oC | B | 塑料扁平 | |||
E | ECL | R | -55~85oC | F | 全封闭扁平 | |||
C | CMOS | M LL | -55~125oC LL | D | 陶瓷直插 | |||
F | 线性放大器 | P | 塑料直插 | |||||
D | 音响、电视电路 | J | 黑陶瓷直插 | |||||
W | 稳压器 | K | 金属菱形 | |||||
J | 接口电路 | T | 金属圆形 | |||||
表24 国外部分公司及产品代号
公司名称 | 代号 | 公司名称 | 代号 |
美国无线电公司(BCA) | CA | 美国悉克尼特公司(SIC) | NE |
美国国家半导体公司 (NSC) | LM | 日本电气工业公司(NEC) | mPC |
美国莫托洛拉公司(MOTA) | MC | 日本日立公司(HIT) | RA |
美国仙童公司(PSC) | mA | 日本东芝公司(TOS) | TA |
美国德克萨斯公司(TII) | TL | 日本三洋公司(SANYO) | LA，LB |
美国模拟器件公司(ANA) | AD | 日本松下公司 | AN |
美国英特西尔公司(INL) | IC | 日本三菱公司 | M |
正 输 调 电 自 制 制 输
电 出 零 源 举 纹 空 纹 入 空源 端 端 端 端 波 脚 波 端 脚表25 mA741的性能参数
电源电压+UCC -UEE | +3V~+18V，典型值+15V-3V~-18V， -15V | 工 作 频 率 | 10kHz |
输入失调电压UIO | 2mV | 单位增益带宽积Au?BW | 1MHz |
输入失调电流IIO | 20nA | 转换速率SR | 0.5V/mS |
开环电压增益Auo | 106dB | 共模抑制比CMRR | 90dB |
输入电阻Ri | 2MW | 功率消耗 | 50mW |
输出电阻Ro | 75W | 输入电压范围 | ±13V |
表26 LA4100~LA4102的典型参数
参数名称/单位 | 条件 | 典 型 值 | |
LA4100 | LA4102 | ||
耗散电流/mA | 静 态 | 30.0 | 26.1 |
电压增益/dB | RNF＝220W，f＝1kHz | 45.4 | 44.4 |
输出功率/W | THD＝10%，f＝1kHz | 1.9 | 4.0 |
总谐波失真′100 | P0＝0.5W，f＝1kHz | 0.28 | 0.19 |
输出噪声电压/mV | Rg＝0，UG＝45dB | 0.24 | 0.21 |
表27 CW78′′，CW79′′，CW317参数
参数名称/单位 | CW7805 | CW7812 | CW7912 | CW317 |
输入电压/V | +10 | +19 | -19 | ￡40 |
输出电压范围/V | +4.75~+5.25 | +11.4~+12.6 | -11.4~-12.6 | +1.2~+37 |
最小输入电压/V | +7 | +14 | -14 | +3￡Vi-Vo￡+40 |
电压调整率/mV | +3 | +3 | +3 | 0.02%/V |
最大输出电流/A | 加散热片可达1A | 1.5 | ||
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用户377235 2012-11-21 08:07