原创 参加2009年微波会议的收获

周四去参观了2009年亚太微波会议(2009MWE), 听了3个workshop, 分别是关于RF-CMOS要素技术设计, 下一代无线通信发展(LTE/LTE-advanced)和60GHz/77GHz频带设计.

RF-CMOS要素设计, 主要还是围绕这几年ISSCC发表论文的一些新颖结构, 重点就是多模式合成芯片, 比如WCDMA, GSM, Bluetooth接收发功能实现在一块芯片上, 另外一个重点就是致力于芯片外围元件的减少, 比如saw-filter-less等. 接下来一篇关于低功耗Mixer的文章引起了我的兴趣, 这个由东芝开发的电路, 强调了LO信号不需要大信号输入到Mixer, 也可以实现混频. 我们知道一般的混频器,LO信号需要大信号输入, 已保证SW开关来使RF信号混频.而东芝此次提出的混频电路, 不是一般的SW结构,而是将RF信号和LO信号输入到一个共源接地的放大器, 利用共源管的输入输出的平方关系, 产生RF*LO的分量. 这种构思可以实现低功耗的PLL, 使SOC功耗更低. <?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />

无线通信发展的workshop, 听Docomo技术人员讲了LTE的发展情况. 2009/11底左右已经完成了study item的研讨, 接下来商用测试(work item)的阶段, LTE-Advanced(第四代通信)相对LTE(3.9代通信)是3GPP R8的evolution版, 接受发送速度将有几十%的提高. 这里简单列一下第四代通信的一些主要技术.

1)     宽带化, 利用carreer aggrogtation 可以将20MHz为单位的带宽做多组合成100MHz.

2)     终端-基站发送速度的提升技术. Clusted DFT-spead OFDM等一些技术被采用.

3)     多天线化,

4)     Cell间协调接受发送

最后所剩不多的时间, 去旁听了60GHz的workshop,随着CMOS工艺的发展, 60G/77G应用的文章已有不少出现, 技术人员致力于克服高频带CMOS管存在的寄生影响, 比如共源接地的单个放大器, 在60GHz处几乎没有增益产生, 利用共源共珊的结构, 并且在共珊输入端接入电感来消除共源输出节点寄生电容的影响. 如此高的频段, 微带线结构在集成CMOS电路中有了重新应用, 因为相对螺旋电感, 同样的线长, 微带线的相位shift要比后者小很多.

工作之余, 参加了这次展会, 虽然参展的企业比往年有明显下降, 但是半导体行业始终高速的发展, 很多亮点让人收获不少.

 http://apmc-mwe.org/mwe2009/index_e.html