原创 谈谈闪存(Flash memory) NAND型内存和NOR型内存的各自特点

闪存原理简单的说, 就是通过对FET管追加floating gate来记忆1bit信号的信息. 要实现大容量的闪存, 半导体芯片表面排列无数memory cell, cell之间通过word线, bit线, source线来链接.这对NAND型, NOR型都是一样的.

两者之间的根本区别是如何通过这些线来访问cell. 比如NOR型闪存, source线和bit线之间由一个cell相连. 而NAND型闪存, source线和bit线之间由复数个cell串联链接.

NAND型闪存的特长,第一点可实现大容量. 由于复数个cell之间共享bit线, 所以只要减少source线的个数或者bit线与其的交点数, 就可以实现高度集成化.因为在半导体微细化的今天, source线幅度宽度已经不能再忽视.

第二点相比NOR, 可以实现更高速度的读写. 原因就像上面分析的那样.

再说说它的缺点. NAND型闪存, 又因为cell之间串联相连, 所以不能实现单bit信息的读写.

下面从MOS管子的原理来说明一下两者的区别.

想象一下一个cell单元就像一个MOS晶体管. NAND型情况下, 写数据的时候, 对gate加正电压, 对Source(源), drain(漏)端接地 此时电子通过channel存储在gate下. 而消去数据时, gate接地, source和drain端加正电压即可.

NOR型的情况, 写数据的时候, 同时对gate和drain加正电压, 使其电流流过, 一部分电荷就可以保持在gate下, 数据消去的时候对gate加负电压, 对source加正电压, 强行把gate下积蓄的电荷赶出去. 通过这个分析, 我们就知道了NOR型内存, 要对两处地方施加电压, 否则电荷不会转移. 它的特长就是可以对单bit进行读写,.但是相比NAND型同样的容量, 往往尺寸比较大.

现在做NOR型闪存的最大的两家厂商就是intel和spansion. 这两年由于intel迫于竞争压力, 大大下调了NOR闪存价格, 导致利益稀薄. 做NAND闪存的大型厂商有三星, 东芝等

NOR型和NAND型由于各自的特点, 现在一般来用256Mbyte作为2者的应用领域分界线.但是intel主张要把NOR的优势扩大到512M左右.