早都应该总结的东西,这会才开始,有点惭愧……
对于三极管,自己用的最多的就是开关特性,因为开关吗,只有两个特性,还是比较简单。下面主要总结放大的设计过程。
1、三极管的选型,注意高、低频,放大倍数等;
2、由特征频率、噪声特性等来确定Ie;
3、由放大倍数来确定Rc与Re的比值;
4、为了吸收基极-发射极间电压Vbe随温度的变化,Re的压降应在1V以上,一般取压降为2V;
5、由公式:Vce=Vcc-Ve=Vcc-Ic*Rc-Ie*Re来确定Vce;
6、集电极功耗Pc=Vce*Ic;再与去额定Pc对比,看设计时候符合;
7、最好将Vc设定在Vcc与Ve的中点,防止失真;
8、由Vre来确定Vb, Vb=Vre+0.6;
9、晶体管Ib为集电极电流的1/Hfe,假设Hfe=200,Ic为1mA,则Ib=0.005mA,为使R1和R2上的电流比Ib大得多,则选0.1mA("大得多"至少10倍以上);
10、确定耦合电容C1和C2,C1和C2很小时,难于通过低频,一般取10uF;
11、输入阻抗的测量方法,串联-电阻,由Vs/Vi=(R串+R阻)/R阻,Vs:总的输入,Vi输入放大电路的,R串为串入的电阻,R阻:输入阻抗。同理,输出阻抗有负载电阻可以测得。
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