原创 sdram的学习心得——与初学者共勉

   最近刚走出校园，走向工作的岗位，哎，说实话，这个难啊，其实我还有一年半才能研究生毕业呢，不过早点走出来也是为了更好的学习，学校的环境太安逸啦，好了，废话少说还是进入正题吧。

  关于SDRAM熟悉的人可能都知道，sdram是随即的动态的存储器，关于它的基本构架组成以及等等参数也不需要我更多的解释，网上的资料很多，但是我建议大家下载文章或者代码时一定要注意，好的文章和代码可以让你很顺利的走上sdram的学习研究之路，而不好的则会让你事倍功半，关于这一点我也是深有体会。

   由于项目需要，接触SDRAM也有一月有余，最先接触SDRAM的介绍和代码是特权同学《深入浅出》那本书中介绍的，而后不断断续续下载过好几个不同版本的SDRAM，其中也有一俩个是仿照特权同学的代码改编，还有些根本就是官方代码，详细，但逻辑关系复杂。因为每套代码都有作者自己的思维，很难完全凭代码理解作者的意图，所以建议初学者确定一到两个方案，深入研究，免得做无用功。

   目前为止我研究SDRAM碰见先后几个不同的问题，或者说是心得，和大家分享一下，特别的新手，大侠们就不要见笑，绕路而行喽。首先SDRAM内部有极其复杂的时序关系，所以一些大公司如ALTERA,

XILINX公司等都有自己的SDRAM controller代码，sdram controller就是一个模块，这个模块把复杂的时序封装在模块内部，我们只需控制输入就能得到想要的输出，不过controller编写也是相当麻烦，一般都是从前人那里改编，其次利用状态机分别描述SDRAM的初始化状态和工作状态是个不错的选择。另外SDRAM的时序延时参数的设定也让人大伤脑筋，另外让我感到最头疼的就是sdram的仿真测试，在这上面花费的时间已远远大于研究代码的时间，目前思绪比较乱，后续我会把做仿真的整体思路整理一下发到网上和新手分享，今天这篇文章比较仓促，过不久我会重新整理一次，希望真能把自己碰到的问题和大家分享出来。

附：几个重要的延时参数

1, tRCD(即RAS to CAS Delay) 可以理解为行选通周期，也就是发行地址后要过几个时钟才能发列地址。

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   2，CL（CAS Latency，CAS潜伏期）在发送CAS之后，仍要经过一定时间才能使数据通过I/O通道（DQ）输出到内存总线上，才能读数据（CL延时里面已经包括了tAC）,切忌这个CL延时是在读操作的时候才有，在写操作的时候没有这个。

   3,在写操作的时候数据可以和CAS同时发出，但电容充电需要一定的时间。为了保证数据的可靠写入都会留一点时间（tWR,Write Recovery Time）,这个操作也被称为写回（Write Back）.

  4,tRP(Precharge command period) 预充电有效周期，也就是说在发出预充电命令之后，要经过一段时间才允许发送RAS行有效或则是其他的命令。

  5刷新，预充电是对一个BANK或则是全部BANK中的工作行进行操作，并且是不定期的，而刷新时有固定周期的，依次对所有行进行操作，以保留那些久久没有经历重写的存储体中的数据。但与所有L-BANK预充电不同的是，这里的行是指所有L-BANK中地址相同的行，而预充电中各L-BANK中的工作行地址并不一定是相同的。公认的刷新周期是64ms每行，如果一个存储体有N行，那你就要每隔N/64ms发一次刷新命令。刷新命令一次只对一行有效，发送间隔也总是随着行数的变化而变化。刷新的操作分为两种：自动刷新（Auto Refresh,简称AR）与自刷新（Self Refresh，简称SR），无论哪种刷新方式，都不需要外部提供行地址信息，因为这是一个内部的自动操作。

  对于AR,SDRAM内部有行地址生成器，不需要列地址因为它是对一行中所有的都刷新。由于刷新涉及到所有的BANK，所以在刷新过程中，所有BANK 都停止工作，而每次刷新的周期是9个时钟周期，在此期间所有的工作指令自能等待。

SR则主要用于休眠模式低功耗状态下的数据保存。

  6,预充电：由于SDRAM的寻址具有独占性，所以在进行完读操作后，如果要对同一L-BANK的另一行进行寻址，就要关闭原来的工作行，重新发送行/列地址。L-BANK关闭现有工作行，准备打开新行的操作就是预充电（precharge）.预充电可以通过命令控制，也可以通过辅助设定让芯片在每次读写操作之后自动进行预充电。实际上预充电是一种对工作行中所有存储体进行数据重写，并对行地址进行复位。