原创 三分钟了解NAND Flash

NAND Flash是非挥发性存储器, 这意味着在关闭电源时仍会保留数据, 因此它适合需要数据存储的所有电子产品。

NAND Flash既小又轻，又具有抗机械冲击 ，存储密度（Memory Density）高，低功耗，快速读取速度。因此，NAND Flash的进化过程中最重要的趋势就是每个单元（Cell）拥有更高的密度(Density)。单元的密度（density）的发展过程是如下；

“Single Level Cell(SLC)→Multi Level Cell(MLC)→Triple Level Cell(TLC)→Quadruple Level Cell(QLC)”

单元密度的发展过程

根据NAND Flash原理, 一个NAND Flash由每个单独的存储单元组成。早期的NAND Flash, 例如2D NAND采用了半导体制造中最常见的平面（Prototype）制成技术。具体来说, 大量的存储单元在整个芯片上以2D平面形式铺开。因此，增加2D状态下的存储密度的方法是很简单，那就是缩短单元于单元之间的距离。

但是，2D NAND在平面状态中缩小单元（Cell）和单元（Cell）之间的距离是有限制的，这种方式导致了单元之间的干涉现象严重的问题。

为解决这些问题, 我们将非导体氮化膜（Nitride）用作数据存储空间。另外， 为了减少芯片的大小而增加net die， 开发了将现有断层排列的单元以垂直积层的革新技术。由此，我们开发了3D NAND技术。

3D NAND大幅减少了单元（Cell）之间的干扰影响，提高了单元自身的特性，并持续提高积层单数就能够实现数据容量的扩大及成本节约。

简言之，3D NAND 相对于2D NAND而言，其读写速度，功耗，成本、耐久性， 数据传输速度 ， 容量等均展现卓越优势4。

来源：skhynix