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  • 热度 4
    2021-3-22 12:14
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    单片机集成FLASH作为程序存储器,程序在FLASH中运行,一般是取指,译码执行这样。 FLASH的速度是有限的,有时并不能与核心频率一样,按手册要求, 当主频为24MHz或以下时,可以将LATENCY设置为0,48MHz时设置为 1,主频72MHz 需要插入2个等待,将速度降到72/3=24Mhz否则有可能取指不稳定。 意思就是不管HCLK有多高,取指令的速度最高为24Mhz。如果程序中单周期指令占绝大多数,简单核心中没有cache,即使使用流水线,实际指令运行速度也就是24M。 如果指令是多周期的,一次取指要多个时钟周期才能执行完成,这部分指令运行速度会按HCLK提高。 比如32位乘法,M0核心没有硬件乘法器,也没有硬件除法器,做乘除法时,需要32个时钟周期才能完成。而M0+核心号称有单周期硬件乘除法,这样乘除法的运算速度显然会比M0快上很多。 程序运行速度受FLASH速度影响,高HCLK会时候会有用呢?比如需要高精度的PWM,HCLK作为TIMER的时钟。PWM的分辨率就可以做得高。对于多周期才能完成的指令,更高的HCLK还是可以提高运行速度的。
  • 热度 6
    2014-11-14 20:53
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    Non-volatile flash memory (NVMe) has been utilised to increase the performance of high-end servers for years, notably pioneered by Fusion IO. Today, NVMe is becoming the preferred technology for flash storage and the all-flash datacenter. As NVMe adoption increases, other elements of usability will allow this technology to increase its reach beyond the datacenter, including its use as a boot device.   In order to increase the usability of NVMe devices, the ability to boot off of an NVMe device is an important step. For enterprise devices, boot performance and timing aren't critical. Since these products are intended to be up 24/7, boot time is not a major concern. However, while NVMe is being introduced initially in the enterprise space, its sights are set on the client and mobile space (hence the emphasis on using the M.2 connector). In these product segments, boot time is critical. Thus, UNH-IOL in partnership with the NVM Express Organization has added an OS boot interoperability test to the NVMe Interoperability Test Suite .   Although today the test is optional, in the future it will likely become a mandatory part of the NVMe Integrators List qualification. Booting off of an NVMe device requires users to use UEFI instead of BIOS. What is UEFI? More information can be found at UEFI.org .   For our purposes, think of UEFI as a modern replacement for BIOS. While NVMe has had driver support in Linux and Windows for some time, only recently was NVMe support added to UEFI. BIOS support for NVMe is nonexistent, hence the need to use UEFI. With a UEFI NVMe driver, a system can be configured to boot off of an NVMe device. The UEFI Boot Manager is configured to look for the OS on the NVMe device. Then during the bring-up sequence, the UEFI driver will hand off to the OS driver (either Linux or Windows).   If you have access to an NVMe device and a system that supports UEFI, you can follow our test procedure to boot off of the NVMe device. (See PDF of Test 1.5 in the NVMe Interoperability Test Suite .)   Again, boot testing will be à la carte or an FYI test as part of the Interop Test Plan at the third NVMe Plugfest the week of November 10, hosted by the UNH-IOL. We encourage those attending to participate in this testing, since it will be mandatory in future plugfests.   David Woolf UNH-IOL NVMe Consortium Lead
  • 热度 7
    2013-11-29 13:59
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    所谓多 CE 片选(Chip Enable 或 Chip Select), 亦即一颗芯片包装内, 集成了多颗 芯片的概念, 除了 CE与 Busy/Ready 以外的脚位都是共享的.   这样的设计, 因为类似一次用很多颗芯片, 使得总存储空间就可以变大, 脚位也不会增加太多. 大部分的情况下, 不同的 CE 间并不会同时被开启, 如同交通号志一样, 东西向绿灯时, 南北向就红灯. 这样十字路口这个共享区就不会发生撞车的情形.   少数情况, 所有 CE 会同时开启. 例如, 同一个时间要对所有的 CE 下复位(Reset), 或者同时写入一个完全相同的测试资料时, CE 就可以同时进开启, 反而这样的应用可以增进效率.   不管上述哪一种情况, 一个测量 NAND Flash 的人, 总是会需要看到芯片上每个 CE 开启之后的行为. 所以, NAND Flash 总线分析必须支持此类多 CE 的芯片. 否则无法完整检视这类的 NAND Flash.     深圳市千兆科科技有限公司 0755-23062736 www.giga-science.com
  • 热度 5
    2012-11-6 20:22
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    非易失性可编程Flash ROM 拥有比一次性编程存储器(例如EPROM)更多的优势。最明显的是不用物理上更换芯片就能够在已售出的嵌入式设备上实现软件升级。Flash ROM 还能够为参数数据提供非易失性存储,例如定制产品设置和配置信息。 更多的Flash ROM在读操作的时候更像一个一般的只读存储器。但写操作你要注意到它的根本体系结构。 请注意不同的产品存在差异,所以在使用Flash ROM时一定要精读数据表格得到精确的信息。 块结构一个Flash ROM通常被分为很多块或扇区(例如64KB块)每个块可以被单独的擦除,在写入,以及保护不被意外的擦除或重编程。你不能对块中的单个字节编程除非先擦除整个块。Flash ROM需要特殊的软件次序来控制擦写和块保护。 理解块的体系结构可以让你知道代码在Flash ROM中的位置。Flash ROM最小被分为3个独立的区域,每个区包括一个或多个块,能够被独立的保护或再编程。   启动块包括一个小的启动装载程序来初始化CPU 参数块存储非易失性定制数据,例如用户设置 主块存储应用的代码和数据段 块保护Flash ROM 提供块保护来防止对单独存储块的意外擦除和写入。保护形式由软件锁定,硬件锁定以及二者的结合。     软件锁定和解锁是通过Flash ROM 中的寄存器写入实现的。它允许单独块的擦除和写入。 硬件锁定和解锁需要外部设备的交互,例如通过硬件跳线为一个外部管脚提供一个电压。硬件锁通常只用于重要的启动块。 启动块启动块中的启动装载代码的角色非常关键。除了启动CPU,它还能擦除和再编程整个Flash ROM,不论其余的Flash ROM是空的还是被破坏的。   这样的破坏一边由于升级主块失败,或者在升级的时候掉电。主块的破坏还是能够处理的事件,而启动块的破坏将导致嵌入式设备不能启动或恢复。因此启动块需要特殊对待,包括硬锁保护,大多数的Flash ROM能够保护该区域的意外破坏。 一旦设备产品被初始化,就将启动代码限制为只读是一种非常好的方法。客户端对启动块的任何解锁和再编程尝试都可能意外地导致嵌入式产品的不可用。 顶部和底部启动设备启动代码和定制数据的大小一般比标准块小很多,为了避免浪费宝贵的空间,很多Flash ROM把第一块或最后一块分割为更小的子块,例如8KB。这是你更好的控制这些块的内容。 依赖于启动代码在ROM中的所在位置,这些设备有两种风格:顶部启动和底部启动设备。这取决于CPU在重启动/加电后从哪里获取指令:不论是存储空间顶部(例如Intel)或者存储空间底部(例如Motorola)。一些Flash ROM 可通过外部端脚来配置顶部或底部启动。 举例说明top和bottom的区别: 总结 总结:Top boot类型的Flash的小块(block)放在高地址位上,而Bottom boot类型的flash的小块(block)起始位置为0x000000
  • 热度 8
    2012-10-30 16:19
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    一、NAND Flash上半年整体行情低迷     (一)上半年整体处于去库存状态     在2010年强劲市场需求下,各NAND FLASH芯片生产厂商在2011年极大的扩大产能。据了解,2011年8月三星多条产线投入生产,将每月的产能提升至20万片以上,东芝、sandisk合资的12寸Fab5新厂产能也达到20万片;英特尔与美光合资IMFT厂产能10万片,海力士M11厂每月产能12万。大量的NAND Falsh芯片在2011年底涌现,导致市场供过于求,市场库存处于高位。因此,在2012年上半年原厂厂商、分销商、终端厂商库存持续走高,下游供应商只好调低价格冲销量,降低库存。     (二)上半年整体表现比较低迷     债危机影响不断扩大,宏观环境不景气,以及投资者信心不足导致以往应用产品需求成长缓慢,新起需求成长有限,使得2012年上半年NAND Flash市场需求增长力不足,市场淡季气氛浓烈。首先表现在:原产品需求成长缓慢,比如NAND FLASH产品大量运用于手机上,但从手机的实际出货量上看,全球手机出货量成负增长,低于市场普遍预期,重要的增长引擎智能手机出货量也不太理想,市场增速开始变得缓慢。其次新起需求成长有限。2012年各储存厂商看好平板电脑的市场需求,如微软、谷歌、亚马逊、宏基、华硕、惠普等纷纷加入平板电脑市场,市场销量也呈现大幅上涨。但从市场份额上看:ipad平板电脑一直处于市场垄断地位,2012年第一季度市场份额占65%,第二季度占68%,随后各分析机构又纷纷下调了IPAD的出货量,由此可知IPAD市场需求不如预期,带动整体平板电脑的需求减缓。另外,一直寄希望于win8能带动市场需求起来,可由于win8触摸功能支持成本及操作系统本身成本过高,使得新生买手受挫,需求减少。     (三)市场供过于求价格下降     由华强北价格指数数据显示:2011年第四季度至2012年第三季度指数收报点分别为90.81、89.54、90.57和90.46,较2010年及2011年上半年价格指数有明显的下滑,储存器价格整体处于低位徘徊。 储存器价格指数季度走势趋势,数据来源:华强北指数( www.hcsindex.org )       二、储存厂企业并购加大市场的集中度     2012年储存厂还出现了一系列的并购案以提高市场的竞争力,加大了储存器的市场集中度,对储存器的产能和市场价格具有更大的调节力度。其中美光收购尔必达最为关注,利用自己的主力产品NAND Flash与尔必达的Mobile DRAM联合,强化在智能手机领域的业务,海力士收购Ideaflash成立意大利研发中心,同时也撤资2.48亿收购美光数据储存控制芯片技术领导厂商LAMD来提高NAND flash市场控制芯片技术,希捷与DensBits达成战略合作关系,金士顿入股品安等。      三、第三季度NAND Flash市场价格有所回升     第三季度是电子元器件销售的传统旺季,市场需求客观上升以及心理预期上升的双重影响下,拉动市场价格上涨。由华强北价格指数数据显示:2012年9月,储存器的价格指数为91.28,较上一上升1.03点,是2012年单月上升幅度较大的一个月。   2012年储存器价格指数月走势趋势,数据来源:华强北指数( www.hcsindex.org )       其价格上升的主要原因有:①原厂厂商调整储存器产出,促使市场供求关系回归合理水平,如三星、东芝和美等纷纷减产和市场供应量,尤其是不买wafer给中国渠道商,担心其低价出售破坏市场价格空间,东芝坚守价格策略,旗下所有产品线涨价。据消息称:三星16产线暂缓投资,并把部分NAND Flash的产线转换成非储存器产线;东芝不仅减缓Fab5二期工程建设,同时宣布7月份建成三成;海力士将韩国的M12产线改为DRAM与NAND Flash混合产线,减少NAND Flash产出。②行业周期影响,市场需求的客观上升和心理预期上升双重影响,拉动市场价格上涨。如深圳市中意法电子科技有限公司总经理朱军山博士说:“从员工的接单情况上看,这两个月的接单数量有所增加”;深圳市创威科技有限公司采购人员lisa也提到她们公司这两个月采购量也在加大,但国外的需求没有明显上升。③***事件影响中日关系,日系产品清关延误。自日本宣布***“国有化”之时,中日关系影响了两国的经贸合作,进口日系品牌受阻。而日本又是中国电子元器件的进口大国,东芝是NAND Flash的第一厂商,因此很大程度上影响了市场的交易价格。      第四季度NAND Flash观察     从市场需求的角度上看:NAND Flash市场需求在第四季度看好。主要理由是①宏观经济趋于乐观,9月份中国制造业PMI指数为49.8%,环比上升0.6%;美国制造业采购经指数从8月份的49.6%上升至51.5%,欧元区制造业PMI为46.1%,环比上升1.0%。②行业周期和季节性因素作用下,第四季度是电子元器件的传统销售旺季;③伴随着智能手机、平板电脑、超级本等时尚消费类电子的发力,NAND Flash的市场需求增加;④国家政策扶持,9月18日,科技部同时发布“宽带网络科技”、“云科技”、“导航与位置服务科技”三大信息产业“十二五”专项发展规划,以促进电子信息产业的发展,从而带动NAND FLASH的需求。
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    1.系统概述.......................................................................................................................................81.1CIP-51TMCPU.....................................................................................................................131.1.1与8051完全兼容.............................................................................................................131.1.2速度提高..........................................................................................................................131.1.3增加的功能.......................................................................................................................141.2片内存储器.............................................................................................................................151.3JTAG调试和边界扫描............................................................................................................161.4可编程数字I/O和交叉开关..................................................................................................171.5可编程计数器阵列..................................................................................................................181.6串行端口................................................................................................................................181.712位模/数转换器.................................................................................................................191.88位模/数转换器...................................................................................................................201.9比较器和DAC........................................................................................................................212.极限参数......................................................................................................................................223.总体直流电气特性.......................................................................................................................234.引脚和封装定义...........................................................................................................................245.ADC0(12位,只限于C8051F020/1)...................................................................................335.1模拟多路开关和PGA.............................................................................................................335.2ADC的工作方式..................................................................................................................345.2.1启动转换........................................................................................................................345.2.2跟踪方式........................................................................................................................355.2.3建立时间要求.................................................................................................................365.3ADC0可编程窗口检测器....................................................................................................436.ADC0(10位,只限于C8051F022/3)...................................................................................496.1模拟多路开关和PGA.............................................................................................................496.2ADC的工作方式..................................................................................................................506.2.1启动转换........................................................................................................................506.2.2跟踪方式........................................................................................................................516.2.3建立时间要求.................................................................................................................526.3ADC0可编程窗口检测器....................................................................................................597.ADC1(8位ADC)..................................................................................................................657.1模拟多路开关和PGA.............................................................................................................657.2ADC1的工作方式................................................................................................................667.2.1启动转换........................................................................................................................66
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