原创 NAND flash测试-雷龙发展

2024-6-14 16:28 153 2 2 分类: MCU/ 嵌入式 文集: SD NAND

文章目录

  一、简介

  二、速度测试

  最近比较忙,也一直没空发什么文章,这算是新年第一篇吧,正好最近收到了一个雷龙的flash芯片,先拿来玩一下吧。

  有兴趣的小伙伴可以去雷龙官网找小姐姐领取一个免费试用。

一、简介

  大概样子就是上面这样,使用LGA-8封装,实际上驱动也是通用SD卡的驱动,相比与SD卡可以直接贴片到嵌入式设备中,并且体积更小,数据存储和SD卡存储一样。

  我使用的型号是CSNP1GCR01-AOW,

  不用写驱动程序自带坏块管理的NAND Flash(贴片式TF卡),

  尺寸小巧,简单易用,兼容性强,稳定可靠,

  固件可定制,LGA-8封装,标准SDIO接口,

  兼容SPI/SD接口,兼容各大MCU平台,

  可替代普通TF卡/SD卡,

  尺寸6x8mm毫米,

  内置SLC晶圆擦写寿命10万次,

  通过1万次随机掉电测试耐高低温,

  支持工业级温度-40°~+85°,

  机贴手贴都非常方便,

  速度级别Class10(读取速度23.5MB/S写入速度12.3MB/S)

  标准的SD 2.0协议使得用户可以直接移植标准驱动代码,省去了驱动代码编程环节。

  支持TF卡启动的SOC都可以用SD NAND

  ,提供STM32参考例程及原厂技术支持,

  主流容量:128MB/512MB/4GB/8GB,

  比TF卡稳定,比eMMC便宜,

  样品免费试用。

  实际应用场景

  新一代SD NAND主要应用领域

  •5G

  •机器人

  •智能音箱

  •智能面板(HMI)

  •移动支付

  •智能眼镜(AR)

  •智能家居

  •医疗设备

  •轨道交通

  •人脸识别

  •3D打印机

二、速度测试

  手里正好还有一张内存卡,那么就做下对比测试:

  先理解下下面这四种测试的含义:

  SEQ1M|Q8T1表示顺序读写,位深1024K,1线程8队列的测试速度

  SEQ1M|Q1T1表示顺序读写,位深1024K,1线程1队列测试速度

  RND4K|Q32T16表示随机读写,位深10244K,16线程32队列的测试速度

  RND4K|Q1T1表示随机读写,位深10244K,一线程一队列的测试速度

  那么由于CSNP1GCR01-AOW是512M的,那么就统一使用256M的随机读写来测试

  CSNP1GCR01-AOW读写速度:

------------------------------------------------------------------------------

CrystalDiskMark 8.0.4 x64 (C) 2007-2021 hiyohiyo

Crystal Dew World: https://crystalmark.info/

------------------------------------------------------------------------------

* MB/s = 1,000,000 bytes/s [SATA/600 = 600,000,000 bytes/s]

* KB = 1000 bytes, KiB = 1024 bytes

[Read]

SEQ 1MiB (Q= 8, T= 1): 18.242 MB/s [ 17.4 IOPS] <437121.30 us>

SEQ 1MiB (Q= 1, T= 1): 18.409 MB/s [ 17.6 IOPS] < 56695.70 us>

RND 4KiB (Q= 32, T= 1): 4.807 MB/s [ 1173.6 IOPS] < 27159.12 us>

RND 4KiB (Q= 1, T= 1): 4.215 MB/s [ 1029.1 IOPS] < 968.89 us>

[Write]

SEQ 1MiB (Q= 8, T= 1): 7.326 MB/s [ 7.0 IOPS] <1026141.24 us>

SEQ 1MiB (Q= 1, T= 1): 7.549 MB/s [ 7.2 IOPS] <138263.48 us>

RND 4KiB (Q= 32, T= 1): 2.453 MB/s [ 598.9 IOPS] < 52662.34 us>

RND 4KiB (Q= 1, T= 1): 2.029 MB/s [ 495.4 IOPS] < 1987.79 us>

Profile: Default

Test: 256 MiB (x5) [F: 0% (0/481MiB)]

Mode: [Admin]

Time: Measure 5 sec / Interval 5 sec

Date: 2024/01/15 11:35:30

OS: Windows 10 Professional [10.0 Build 19044] (x64)

  内存卡读写速度:

------------------------------------------------------------------------------

CrystalDiskMark 8.0.4 x64 (C) 2007-2021 hiyohiyo

Crystal Dew World: https://crystalmark.info/

------------------------------------------------------------------------------

* MB/s = 1,000,000 bytes/s [SATA/600 = 600,000,000 bytes/s]

* KB = 1000 bytes, KiB = 1024 bytes

[Read]

SEQ 1MiB (Q= 8, T= 1): 17.579 MB/s [ 16.8 IOPS] <454375.89 us>

SEQ 1MiB (Q= 1, T= 1): 18.236 MB/s [ 17.4 IOPS] < 57188.36 us>

RND 4KiB (Q= 32, T= 1): 5.105 MB/s [ 1246.3 IOPS] < 25574.24 us>

RND 4KiB (Q= 1, T= 1): 4.622 MB/s [ 1128.4 IOPS] < 884.01 us>

[Write]

SEQ 1MiB (Q= 8, T= 1): 1.676 MB/s [ 1.6 IOPS] <3669329.62 us>

SEQ 1MiB (Q= 1, T= 1): 7.962 MB/s [ 7.6 IOPS] <130440.09 us>

RND 4KiB (Q= 32, T= 1): 0.018 MB/s [ 4.4 IOPS] <2106948.05 us>

RND 4KiB (Q= 1, T= 1): 0.015 MB/s [ 3.7 IOPS] <251984.23 us>

Profile: Default

Test: 256 MiB (x5) [F: 0% (0/953MiB)]

Mode: [Admin]

Time: Measure 5 sec / Interval 5 sec

Date: 2024/01/15 11:53:09

OS: Windows 10 Professional [10.0 Build 19044] (x64)

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