原创 分享:空穴迁移率低的P沟道MOS管

2019-2-22 11:54 1910 4 4 分类: 采购与分销
MOS管分P沟道和N沟道两种。因为NMOS管导通电阻小,容易制造,多数人都是使用NMOS管。但并非所有的工厂都会选择NMOS管,比如一些中小型的数字控制电路至今仍然采用PMOS管技术。所以PMOS管与NMOS管相比也不会毫无优势。


那工厂对PMOS管的了解有多少呢?飞虹半导体厂家今天就为大家分享一下。

P沟道MOS管的空穴迁移率低,因而在MOS管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS管的跨导小于N沟道MOS管。此外,P沟道MOS管阈值电压的绝对值普通偏高,恳求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。这就给PMOS管的使用范畴有了一定的限制。


PMOS管因逻辑摆幅大,充电放电过程长,加之器件跨导小,所以工作速度更低,在NMOS管电路呈现之后,多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS管电路工艺简单,价钱低廉,有些中范围和小范围数字控制电路仍采用PMOS管电路技术。PMOS管的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适宜用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。


但是,固然PMOS管可以很便当地用作高端驱动,但由于导通电阻大,交流种类少等缘由,在高端驱动中,通常还是运用NMOS管。正常工作时,P沟道增强型MOS管的衬底必需与源极相连,而漏心极的电压Vds应为负值,以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏,同时为了在衬底顶表面左近构成导电沟道,栅极对源极的电压Vgs也应为负。
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