原创 实验：PN结电容与电压的关系

　　图4.Scopy屏幕截图。
　　我们选择让C1远大于Cstray，这样可以在计算中忽略Cstray，但是计算得出的值仍与未知的Cm相近。
　　在电子表格程序中打开保存的数据文件，滚动至接近高频（》1 MHz）数据的末尾部分，其衰减电平基本是平坦的。记录幅度值为GHF1（单位：dB）。在已知GHF1和C1的情况下，我们可以使用以下公式计算Cm。记下Cm值，在下一步测量各种二极管PN结的电容时，我们需要用到这个值。
　　步骤2
　　现在，我们将在各种反向偏置条件下，测量ADALM2000模拟套件中各种二极管的电容。在无焊面包板上，按照图4和图5所示构建测试设置。只需要使用D1（1N4001）替换C1。插入二极管，确保极性正确，这样AWG1中的正偏置将使二极管反向偏置。
　　实验：PN结电容与电压的关系

　　硬件设置
　　实验：PN结电容与电压的关系
　　　使用Scopy软件中的网络分析仪工具获取表1中各AWG 1 DC偏置值时增益（衰减）与频率（5 kHz至10 MHz）的关系图。将每次扫描的数据导出到不同的.csv文件。
　　程序步骤
　　在表1剩余的部分，填入各偏置电压值的GHF值，然后使用Cm值和步骤1中的公式来计算Cdiode的值。
　　　　使用ADALM2000套件中的1N3064二极管替换1N4001二极管，然后重复对第一个二极管执行的扫描步骤。将测量数据和计算得出的Cdiode值填入另一个表。与1N4001二极管的值相比，1N3064的值有何不同？您应该附上您测量的各二极管的电容与反向偏置电压图表。
　　然后，使用ADALM2000套件中的一个1N914二极管，替换1N3064二极管。然后，重复您刚对其他二极管执行的相同扫描步骤。将测量数据和计算得出的Cdiode值填入另一个表。与1N4001和1N3064二极管的值相比，1N914的值有何不同？
　　您测量的1N914二极管的电容应该远小于其他两个二极管的电容。该值可能非常小，几乎与Cstray的值相当。
　　额外加分的测量
　　发光二极管或LED也是PN结。它们是由硅以外的材料制成的，所以它们的导通电压与普通二极管有很大不同。但是，它们仍然具有耗尽层和电容。为了获得额外加分，请和测量普通二极管一样，测量ADALM2000模拟器套件中的红色、黄色和绿色LED。在测试设置中插入LED，确保极性正确，以便实现反向偏置。如果操作有误，LED有时可能会亮起。