原创 东芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模块助力实现尺寸更小、更高效的工业设备

（除非另有规定，否则@Tc=25°C）

部件编号

MG600Q2YMS3

MG400V2YMS3

封装

2-153A1A

绝对

最大

额定值

漏-源电压VDSS (V)

1200

1700

栅-源电压VGSS (V)

+25/-10

+25/-10

   漏极电流 (DC) ID (A)

600

400

漏极电流（脉冲）IDP (A)

1200

800

沟道温度Tch (°C)

150

150

隔离电压Visol (Vrms)

4000

4000

电气

特性

漏-源导通电压（感应）

VDS(on)sense典型值(V)

@VGS =+20V,

Tch＝25°C

0.9

@ID＝600A

0.8

@ID＝400A

源-漏导通电压（感应）

VSD(on)sense典型值(V)

@VGS =+20V,

Tch＝25°C

0.8

@IS＝600A

0.8

@IS＝400A

源-漏关断电压（感应）

VSD(off)sense典型值(V)

@VGS =-6V,

Tch＝25°C

1.6

@IS＝600A

1.6

@IS＝400A

开通损耗Eon typ. (mJ)

Eon典型值(mJ)

@Tch=150°C

25

@ VDS=600V,

ID=600A

28

@VDS=900V,

ID=400A

关断损耗Eoff typ. (mJ)

Eoff典型值(mJ)

@Tch=150°C

28

@ VDS=600V,

ID=600A

27

@VDS=900V,

ID=400A

热敏电阻特性

额定NTC电阻R典型值(kΩ)

5.0

5.0

NTC B值 B典型值(K)

＠TNTC=25 - 150°C

3375

3375