原创 东芝发布150V N沟道功率MOSFET

2023-3-31 16:06 328 1 1 分类: 智能硬件

东芝电子元件及存储装置株式会(“东芝”)推出了一款150V N沟道功率MOSFET “TPH9R00CQ5”。该产品采用最新一代[2]U-MOSX-H工艺,可用于工业设备开关电源,如数据中心和通信基站使用的电源。产品即日起开始出货。

TPH9R00CQ5具有业界领先的[1]9.0mΩ(最大值)低漏极-源极导通电阻,与东芝现有产品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了约42%。与东芝现有产品“TPH9R00CQH[4]”相比,反向恢复电荷降低了约74%,反向恢复[5]时间缩短了约44%,这都是同步整流应用所需的关键反向恢复特性。在同步整流应用[6]中,新产品可降低开关电源的功率损耗,提高效率。此外,与TPH9R00CQH相比,新产品降低了开关期间产生的尖峰电压,有助于减少电源的电磁干扰。
该产品采用通用的表面贴装型SOP Advance(N)封装。

东芝还提供支持开关电源电路设计的工具。除了可以在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型外,能够准确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型现在也已上市。

东芝还开发了采用新产品的“用于电信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC 转换器”和“采用MOSFET的三相多电平逆变器”参考设计。这些设计即日起在东芝官网上线。新产品还可用于已经发布的“1kW全桥DC-DC 转换器”参考设计。

东芝将继续扩大功率MOSFET产品阵容,以减少功率损耗,提高电源效率和帮助改善设备效率。

应用

  • 工业设备的电源,如用于数据中心和通信基站的电源。
  • 开关电源(高效DC-DC转换器等)

特性

  • 业界领先的[1]低导通电阻:RDS(ON)=9.0mΩ(最大值)(VGS=10V)
  • 业界领先的[1]低反向恢复电荷:Qrr=34nC(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)
  • 业界领先的[1]快速反向恢复时间:trr=40ns(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)
  • 高结温等级:Tch(最大值)=175°C

注释:
[1] 截至2023年3月。与其他150V产品比较。东芝调查。
[2] 截至2023年3月。
[3] 使用现有生成工艺U-MOSVIII-H的150V产品
[4] 产品采用与TPH9R00CQ5相同的生成工艺,并具有相同的电压和导通电阻
[5] MOSFET主体二极管从正向偏置切换到反向偏置的开关动作。
[6] 如果新产品用于不进行反向恢复操作的电路,则功率损失相当于TPH9R00CQH的水平。

主要特性

(Ta=25°C,除非另有说明)

器件型号

TPH9R00CQ5

绝对

最大

额定值

漏源电压VDSS (V)

150

漏极电流ID (A)

Tc=25°C

64

结温Tch (°C)

175

电气特性

漏源导通电阻

 

RDS(ON) 最大值(mΩ)

VGS=10V

9.0

VGS=8V

11.0

总栅电荷Qg典型值(nC)

44

栅极开关电荷QSW典型值(nC)

11.7

输出电荷Qoss典型值(nC)

87

输入电容Ciss典型值(pF)

3500

反向恢复时间trr典型值(ns)

-dIDR/dt=100A/μs

40

反向恢复电荷Qrr典型值(nC)

34

封装

名称

SOP Advance(N)

尺寸典型值(mm)

4.9 x 6.1 x 1.0

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东芝:150V N沟道功率MOSFET TPH9R00CQ5有助于提高电源效率。(图示:美国商业资讯)

东芝:150V N沟道功率MOSFET TPH9R00CQ5有助于提高电源效率。(图示:美国商业资讯)



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