原创 盛美步入边缘刻蚀领域，新产品支持3D NAND、DRAM和先进逻辑制造工艺

盛美半导体今日公布的边缘湿法刻蚀设备，支持多种器件和工艺，首台设备将于2021年第三季度交付。

>> 湿法工艺对晶圆边缘的刻蚀和清洗可在增加产能、节约化学品能耗的同时提高良率；首台设备将于2021年第三季度交付。<<

作为半导体制造与先进晶圆级封装领域中领先的设备供应商，盛美半导体设备今日公布的边缘湿法刻蚀设备，进一步拓宽了盛美湿法设备的覆盖面。该新设备使用湿法刻蚀方法来去除晶圆边缘的各种电介质、金属和有机材料薄膜，以及颗粒污染物。这种方法最大限度地减少了边缘污染对后续工艺步骤的影响，提高了芯片制造的良率，同时整合背面晶圆清洗的功能，进一步优化了工艺和产品结构。

盛美的边缘刻蚀产品支持多种器件和工艺，包括3D NAND、DRAM和先进逻辑工艺。

一直以来，制造商都是使用干法刻蚀工艺来解决边缘薄膜和污染物去除的问题。湿法刻蚀区别于干法工艺，它避免了产生电弧和硅损伤的风险，同时还能通过 1-7 毫米可变的晶圆边缘薄膜刻蚀/切割精度、良好的均匀性、可控的刻蚀选择性和较低的化学品消耗量，来降低总体拥有成本。