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ASE90N20-ASEMI工业电源专用ASE90N20
型号:ASE90N20
品牌:ASEMI
封装:TO-263
最大漏源电流:90A
漏源击穿电压:200V
批号:最新
RDS(ON)Max:7.5mΩ
引脚数量:3
沟道类型:N沟道MOS管
封装尺寸:如图
特性:MOS管、N沟道MOS管
工作结温:-55℃~175℃
为什么选择ASE90N20?
在新能源汽车、工业电源、5G基站等场景中,电力系统的效率与稳定性直接决定产品竞争力。ASE90N20 MOS管凭借90A电流承载+200V耐压的硬核性能,以“低损耗、高可靠、易集成”三大优势,成为高压大电流应用的理想选择。
核心优势
损耗更低:导通电阻仅4.5mΩ,比传统MOS管减少40%发热
响应更快:纳秒级开关速度,支持200kHz高频电路设计
寿命更长:-55℃~175℃宽温域稳定运行,无惧严苛环境
实战案例
某800V电动车充电模块采用90N20 MOS管后:
能效提升至96.2%,充电损耗降低31%
系统体积缩小20%,单机成本节省120元
温升控制在15℃内,无需额外散热
设计建议
高频场景:搭配低Qg驱动芯片,开关损耗再降15%
大电流需求:3管并联+均流电感设计,轻松输出250A
散热优化:采用源极开尔文连接和2oz厚铜PCB
未来价值
适配TOLL/SMD-8L等新型封装,ASE90N20 MOS管已拓展至光伏优化器、机器人驱动等新兴领域,并与数字电源芯片深度协同,为智能能源系统提供底层支撑。
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