[初次发表 24-07-03 最后编辑：24-07-17]
反向恢复是给二极管施加AC偏置时的现象。先给二极管施加正向电压，突然变成反向电压，此刻会观察到二极管电流开始反向流动，并持续短暂时间，当电流减小到反向偏置漏电流时，二极管进入反向工作区。 这个短暂的时间就是反向恢复时间（Trr），严格定义另见元器件第040篇。
反向恢复现象表明，二极管的响应与时间有关，也就是说，二极管存在响应时间或者响应速度，存在“惯性”。由于电压滞后于电流变化，让人想到了另一个元件——电容。二极管确实也有结电容（Cj，Junction capacitance）。反向恢复现象常用载流子重新分布、耗尽层和反型层重建等微观行为来解释，与二极管芯片的结构、半导体材料的固有特性有关。
反向恢复时间或者说结电容限制了二极管所能允许的开关频率上限。在较低频率下可以顺利通断切换的二极管，如果提高频率到超过其限值，那么通断转换就不能彻底完成，形成振荡。
（图来自Ref 2）
反向恢复时间并不是固定数值。它不仅仅由结构和材料决定，也和AC偏置下的正向电压、正向电流有关，也就是正向偏置时的耗散功率。耗散功率越大，那么反向恢复时间越长。我的理解是载流子复合、内电场重建的速度是相对固定的，如果正向工作耗散功率大，要中和形成正向电流的电荷，需要更多的时间。这也可以理解为，在反向恢复过程中，电流变化率 dI/dt 和电压变化率 dV/dt 都是有极限的。
我认为反向恢复特性是容易被忽略但其实影响很广的特性。该特性不仅限于二极管，MOSFET（体二极管）也会有，往大里说，半导体器件的响应、延迟、振荡等现象，EMC问题，都与这个特性相关。
作者： 电子知识打边炉， 来源：面包板社区
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